北京－ 電子設(shè)計創(chuàng)新會議（EDI CON 2014）─ 2014年4月9日─ Peregrine半導(dǎo)體公司（納斯達克股票代碼：PSMI ）是射頻SOI（絕緣體上硅）技術(shù)的創(chuàng)始人、先進的射頻解決方案之先驅(qū)，今天，在電子設(shè)計創(chuàng)新會議（EDI CON 2014）上，宣布UltraCMOSGlobal1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOSGlobal 1是行業(yè)中第一個可重構(gòu)射頻前端（RFFE ）系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端（RFFE）的所有元件，UltraCMOSGlobal 1是單一平臺的設(shè)計── 一個SKU，全球使用──能夠在全球所有地區(qū)運作。該系統(tǒng)包括產(chǎn)業(yè)界第一個LTE CMOS功率放大器（PA），它達到砷化鎵（GaAs ）技術(shù)功率放大器的性能。UltraCMOS Global 1 功率放大器提供寬頻帶功放通道，支持中國近期發(fā)放了牌照的TDD -LTE技術(shù)網(wǎng)絡(luò)。

UltraCMOS Global 1是可重構(gòu)系統(tǒng)
    LTE設(shè)備市場的迅速增長對射頻前端的性能提出了前所未有的要求。為了滿足40個以上頻段和運行狀態(tài)數(shù)目可能增加5000倍以上的需要，產(chǎn)業(yè)界現(xiàn)在需要可重新配置、可調(diào)諧的射頻前端。Peregrine半導(dǎo)體公司的UltraCMOS Global 1是一種易于使用的數(shù)字控制射頻前端，適用于一切模式和頻段，隔離性能好，解決了互操作問題。它可以擴展，輕而易舉地支持更多的頻段，而且開關(guān)損耗小，可調(diào)諧。這樣高水平的可重構(gòu)能力只有用Peregrine半導(dǎo)體公司的UltraCMOS 10技術(shù)平臺方能做到。UltraCMOS 10是先進的CMOS工藝，它利用射頻SOI基片，比起同類的解決方案，在性能方面提高了50 ％。UltraCMOS Global 1就是在這個先進的技術(shù)平臺上制造而成的。

    Peregrine半導(dǎo)體的UltraCMOS Global 1，是第一個可重構(gòu)的射頻前端（RFFE）系統(tǒng)，它包含多模式、多頻帶功率放大器，置于功放之后的開關(guān)，天線開關(guān)和天線調(diào)諧器，這些都做在一塊芯片上。

    UltraCMOS Global 1是在一塊芯片上，把Peregrine半導(dǎo)體最好的、成熟的射頻開關(guān)和調(diào)諧器緊密無間地與CMOS功率放大器集成在一起。UltraCMOS Global 1射頻前端 系統(tǒng)包含：

• 3路MMMB功率放大器 ，置于功放之后的開關(guān)，天線開關(guān)和天線調(diào)諧器
• 支持包絡(luò)跟蹤
• 通用射頻前端MIPI接口

    UltraCMOS Global 1對于整個無線生態(tài)系統(tǒng)是有利的。平臺提供商和原始設(shè)備制造商（OEM）可以建立一個單一的平臺設(shè)計，面向全球市場，從而加快產(chǎn)品上市時間。消費者可以得到更長的電池壽命，更好的接收效果，更快的數(shù)據(jù)傳輸速率和更廣闊的漫游范圍。最后，使用性能改進了的射頻前端，可以擴大覆蓋范圍并減少掉線，無線運營商可以降低他們在網(wǎng)絡(luò)上的資本投入。

    UltraCMOS Global 1射頻前端系統(tǒng)的平臺整合將在2014年完成，將在2015年后期投入大批量生產(chǎn)。

UltraCMOS Global 1功放在性能方面有許多優(yōu)勢
    UltraCMOS Global 1采用業(yè)界第一個LTE CMOS功率放大器，它的性能與領(lǐng)先的砷化鎵功率放大器相同。在相鄰信道泄漏比（ACLR）為-38 dBc的情況下，使用WCDMA （語音）波形，UltraCMOS Global 1功放的PAE（功率附加效率）性能接近50％。這個性能與領(lǐng)先的GaAs功放的性能在同一個水平，超過其他CMOS功放十個百分點，這表示效率提高了33 ％。此外，對于LTE波形，在不同資源塊分配的情況下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能與GaAs功放相當(dāng)。達到這個水平性能，并不需要增強包絡(luò)跟蹤，也不需要數(shù)字預(yù)失真，在CMOS功放與砷化鎵功放進行性能對比測試時，往往加強包絡(luò)跟蹤，并使用數(shù)字預(yù)失真。
 

    “Peregrine半導(dǎo)體公司的UltraCMOS Global 1 功放在市場上掀起了軒然大波，它將加速功放前端市場從砷化鎵技術(shù)過渡到CMOS功率放大器。”Strategy Analytics公司射頻和無線元件總監(jiān)Christopher Taylor說。“在2014年世界移動通信大會上進行的演示中，在所有功率電平上，Peregrine半導(dǎo)體的UltraCMOS Global 1 功率放大器與具有領(lǐng)先優(yōu)勢的砷化鎵功放顯然不相伯仲，在此基礎(chǔ)上，由于CMOS的集成能力，Peregrine半導(dǎo)體的功放具有更強的靈活性。”
 

    UltraCMOS Global 1功率放大器（PA ）是業(yè)界第一個性能與GaAs功放的性能不分伯仲的功放，它的性能超過現(xiàn)有的CMOS功放十個百分點，這表示效率提高了33個百分點。
 

UltraCMOSGlobal1支持TDD-LTE網(wǎng)絡(luò)
    在中國，近期得到牌照的TDD-LTE網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)在2.3至2.7 GHz頻率范圍增加了對頻帶的要求。UltraCMOSGlobal1功放提供寬頻帶功放的通路，支持這個頻率范圍。

    “Peregrine致力為大中華地區(qū)市場服務(wù)。”Peregrine半導(dǎo)體公司行政總監(jiān)Jim Cable說。“為了更好地為我們的客戶服務(wù)，我們在最近擴大了我們在中國的辦事處，包括設(shè)立新的實驗室設(shè)施以及其他技術(shù)資源。今天，在電子設(shè)計創(chuàng)新會議（EDI CON）上 ，我們推出UltraCMOSGlobal 1射頻前端（RFFE）解決方案，以滿足TDD - LTE網(wǎng)絡(luò)的需要。”

Peregrine半導(dǎo)體公司簡介
    Peregrine半導(dǎo)體公司（NASDAQ股票代號：PSMI）是射頻SOI（絕緣體上硅）技術(shù)的創(chuàng)始人，是提供高性能集成射頻解決方案的領(lǐng)先的無晶圓廠供應(yīng)商。自1988年以來，Peregrine和它的創(chuàng)始團隊一直在完善UltraCMOS®技術(shù)──這是SOI方面擁有專利權(quán)的先進技術(shù)，提供解決射頻市場的最大挑戰(zhàn)所需要的性能，例如線性度。由于Peregrine半導(dǎo)體提供的產(chǎn)品是單片集成方案，具有最好的性能，是汽車、寬帶、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、軍工、移動設(shè)備、智能手機、空間技術(shù)、測試和測量設(shè)備和無線等市場的領(lǐng)先公司完全可信賴的選擇。Peregrine擁有超過170專利和正在審批的專利，已經(jīng)向市場提供二十多億個UltraCMOS。欲了解更多信息，請訪問http://www.psemi.com。