《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于雙閃存的大容量沖擊波超壓測(cè)試系統(tǒng)
來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用2013年第11期
張海龍1,2,馬鐵華1,2,謝 銳1,2,劉雙紅1,2
1. 中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 山西 太原030051; 2. 中北大學(xué) 電子測(cè)試技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 山西 太原030051
摘要: 為了解決沖擊波超壓測(cè)試系統(tǒng)的存儲(chǔ)容量小、功耗大的問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種基于AVR單片機(jī)和CPLD的雙閃存沖擊波超壓測(cè)試系統(tǒng)。闡述了存儲(chǔ)測(cè)試方法,設(shè)計(jì)了負(fù)延時(shí)模塊,通過(guò)CPLD對(duì)被測(cè)量進(jìn)行高速采集,使用單片機(jī)控制兩片閃存交替工作的模式來(lái)記錄被測(cè)信號(hào)。根據(jù)被測(cè)信號(hào)的頻譜選擇了傳感器,針對(duì)該傳感器設(shè)計(jì)了模擬信號(hào)調(diào)理電路和數(shù)字電路。實(shí)驗(yàn)證明將系統(tǒng)應(yīng)用于爆炸現(xiàn)場(chǎng)可完成對(duì)沖擊波壓力信號(hào)的檢測(cè)和存儲(chǔ)。
中圖分類號(hào): TM93
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2013)11-0085-04
The shock wave overpressure test system based on double flash memory
Zhang Hailong1,2, Ma Tiehua1,2, Xie Rui1,2, Liu Shuanghong1,2
1.Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement, North University of China,Taiyuan 030051, China; 2. Key Laboratory of Electronic Measurement Technology, North University of China,Taiyuan 030051, China
Abstract: A double flash memory test system of shock wave overpressure based on AVR MCU and CPLD is designed to solve the problems of small storage capacity, high power consumption in the traditional shock wave test.In this paper,storage test method and negative delay module are described in detail.CPLD is used to produce high-speed sample signal and MCU is used to control two flashes record the tested signal alternately. The sensor was chosen according to frequency spectrum of measured signal. The analog signal conditioning circuit and digital circuit were designed on the basis of sensor type.Experiments show the system applied in explosion field can complete the detection and storage of shockwave pressure signal.
Key words : shock wave; overpressure test; measurement system; calibration

    沖擊波超壓測(cè)試在工程領(lǐng)域特別是軍工領(lǐng)域有著重要的作用[1]。沖擊波超壓測(cè)試系統(tǒng)主要用于以燃料空氣炸彈以及激光制導(dǎo)炸彈為代表的各種火箭彈、航空炸彈等大裝藥量彈藥的現(xiàn)場(chǎng)靜爆空氣沖擊波測(cè)試,同時(shí)它也可以應(yīng)用于常規(guī)兵器毀傷效能的技術(shù)指標(biāo)測(cè)試[2-5]。

1 總體方案設(shè)計(jì)
    沖擊波超壓測(cè)試時(shí)沖擊波場(chǎng)中存在電磁場(chǎng)干擾和超高壓,環(huán)境溫度最高時(shí)達(dá)2 600℃左右[6]。在這樣惡劣的環(huán)境下要想保證測(cè)量系統(tǒng)可靠工作,必須將電路、觸發(fā)控制電路、通信接口及電池緊湊封裝在耐高溫高強(qiáng)度的保護(hù)的鋼殼內(nèi),鋼殼內(nèi)灌封上蠟,將傳感器的敏感面露在外面感受被測(cè)量壓力;然后將整個(gè)測(cè)試裝置放入測(cè)試環(huán)境中,信號(hào)被記錄下來(lái)并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi),記錄完畢后回收測(cè)試裝置。
    本測(cè)試系統(tǒng)主要由以下幾部分組成:傳感器、信號(hào)調(diào)理電路、A/D轉(zhuǎn)換器與存儲(chǔ)電路、中心控制電路、通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)等。測(cè)試系統(tǒng)原理框圖如圖1所示。

2 存儲(chǔ)測(cè)試方法
    單獨(dú)的單片機(jī)控制難以實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行,而單獨(dú)采用CPLD控制功耗較大且邏輯復(fù)雜。
    本文設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)測(cè)試方法采用單片機(jī)與CPLD共同控制的模式,使用兩片閃存交替工作組成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,滿足了沖擊波測(cè)試高采樣頻率和大容量記錄的要求。單片機(jī)控制測(cè)試系統(tǒng)向閃存發(fā)出寫(xiě)入、讀取、擦除操作的命令并進(jìn)行工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換,CPLD控制高速數(shù)據(jù)采樣轉(zhuǎn)換和轉(zhuǎn)換完畢后數(shù)據(jù)的緩存。這樣的設(shè)計(jì)充分利用了單片機(jī)功耗低、邏輯簡(jiǎn)單、CPLD速度高的優(yōu)點(diǎn),提高了測(cè)試系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。使用CPLD對(duì)外部晶振分頻后的信號(hào)作為A/D轉(zhuǎn)換的時(shí)鐘,這樣得到的信號(hào)穩(wěn)定且占用芯片資源少。
    被測(cè)物理量經(jīng)過(guò)傳感器后轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。電信號(hào)經(jīng)調(diào)理電路調(diào)理后CPLD以1 MHz的采樣頻率采集并將數(shù)據(jù)交替存入兩片F(xiàn)lash中。
2.1 觸發(fā)電路
    超壓場(chǎng)對(duì)人體殺傷判據(jù)的依據(jù)是操作人員控制處的沖擊波超壓應(yīng)小于0.03 MPa,距爆炸中心的距離一般為幾百米[7]。若使用引線電測(cè)試法,需要布設(shè)長(zhǎng)距離的電纜。由于測(cè)試環(huán)境的惡劣、沖擊波破壞性大,現(xiàn)場(chǎng)固定和保護(hù)要求高,造成布線非常不方便。
    本測(cè)試系統(tǒng)觸發(fā)電路采用內(nèi)觸發(fā)和外觸發(fā)兩種觸發(fā)同時(shí)進(jìn)行。
    外觸發(fā)采用光觸發(fā)技術(shù),炸彈爆炸時(shí)的閃光信號(hào)通過(guò)光電轉(zhuǎn)換電路觸發(fā)系統(tǒng)。光電轉(zhuǎn)換電路的光電器件選擇2DU型硅功率光敏二極管,將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),結(jié)合外圍電路組成光電轉(zhuǎn)換電路。光電轉(zhuǎn)換電路如圖2所示。

    內(nèi)觸發(fā)通過(guò)無(wú)線模塊手動(dòng)控制無(wú)線控制平臺(tái)以廣播的方式發(fā)出觸發(fā)信號(hào)。
    無(wú)線模塊選用SZ-05系列ZigBee無(wú)線數(shù)據(jù)通信模塊。ZigBee技術(shù)是一種應(yīng)用于短距離范圍內(nèi)、低速率傳輸?shù)臒o(wú)線通信技術(shù),主要具有功耗低、成本低、數(shù)據(jù)傳輸可靠、網(wǎng)絡(luò)容量大、兼容性好等特點(diǎn)[8]。
     ZigBee無(wú)線系統(tǒng)可組成星型、網(wǎng)狀以及簇狀結(jié)構(gòu)[9]。為保證觸發(fā)信號(hào)的同步性,本系統(tǒng)采用星型結(jié)構(gòu),即一個(gè)中心節(jié)點(diǎn)與多個(gè)無(wú)線傳感器從節(jié)點(diǎn)相互通信的組網(wǎng)方式。引爆前計(jì)算機(jī)通過(guò)中斷方式給出觸發(fā)信號(hào),無(wú)線主機(jī)接收到中斷信號(hào)后以廣播方式發(fā)送。無(wú)線從機(jī)接收到信號(hào)后輸出相應(yīng)指令,進(jìn)行判斷、執(zhí)行和參數(shù)設(shè)置,完成對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試裝置的觸發(fā)控制。
2.2 負(fù)延時(shí)與低功耗
 由于測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng),為了滿足測(cè)試要求并降低功耗,測(cè)試過(guò)程中設(shè)計(jì)了負(fù)延遲和低功耗兩種狀態(tài)。
 負(fù)延時(shí)實(shí)現(xiàn)原理:將兩片閃存存儲(chǔ)總?cè)萘糠譃閮蓚€(gè)部分,測(cè)試系統(tǒng)未觸發(fā)時(shí),數(shù)據(jù)被循環(huán)記錄在第一個(gè)部分,舊的數(shù)據(jù)不斷被新的數(shù)據(jù)替換;當(dāng)系統(tǒng)觸發(fā)后,負(fù)延時(shí)計(jì)數(shù)器開(kāi)始計(jì)數(shù),數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在第二部分。第一部分記錄的是系統(tǒng)觸發(fā)之前的數(shù)據(jù),第二部分記錄的是系統(tǒng)觸發(fā)之后的數(shù)據(jù)。記錄完畢后系統(tǒng)進(jìn)入休眠狀態(tài),等待讀數(shù)和擦除。負(fù)延時(shí)功能可以將觸發(fā)前的一段信息保存,從而得到完整的超壓測(cè)試曲線,以保證數(shù)據(jù)的完整性。記錄完畢且數(shù)據(jù)擦除后測(cè)試系統(tǒng)處于低功耗狀態(tài),低功耗狀態(tài)下單片機(jī)控制關(guān)掉模擬電路電源,數(shù)字電路處于休眠狀態(tài),有效降低了功耗。
2.3  Flsah存儲(chǔ)電路
      存儲(chǔ)芯片采用兩片三星公司生產(chǎn)的NAND型閃存存儲(chǔ)器K9F4G08OM,單片容量為512 MB。NADA結(jié)構(gòu)閃存的特點(diǎn)是:以頁(yè)為單位進(jìn)行讀和編程操作,以塊為單位進(jìn)行擦除操作[10]。
 由于閃存存在較長(zhǎng)的頁(yè)編程時(shí)間,編程時(shí)無(wú)法對(duì)其進(jìn)行操作,為了在高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換情況下不丟失數(shù)據(jù),并進(jìn)一步提高存儲(chǔ)容量,采用兩片閃存芯片交替工作組成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,總存儲(chǔ)容量擴(kuò)大為1 GB。
    采用寫(xiě)滿一頁(yè)數(shù)據(jù)后,判斷此頁(yè)是否為該塊的最后一頁(yè),如果是則擦除下一塊的數(shù)據(jù)。采編頻率為320 kHz,編碼為16 bit,存儲(chǔ)器為byte模式,寫(xiě)滿一頁(yè)的2 048個(gè)單元需要時(shí)間3.2 ms。一塊地址單元的擦除時(shí)間最大需要2 ms,加上系統(tǒng)命令最大耗時(shí)0.5 ms,對(duì)一頁(yè)數(shù)據(jù)編程需要0.7 ms,總的時(shí)間不會(huì)超過(guò)3 ms,能滿足循環(huán)寫(xiě)的要求。
  A/D輸出為12 bit,閃存的數(shù)據(jù)線為8 bit,轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)先進(jìn)入CPLD轉(zhuǎn)化為2組8 bit數(shù)據(jù),使數(shù)據(jù)位數(shù)匹配。對(duì)A片發(fā)出命令后,A片進(jìn)行編程時(shí)對(duì)B片寫(xiě)入數(shù)據(jù),反之相同,這樣提高了測(cè)試系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理速度,滿足了測(cè)試要求。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)如圖3所示。

3 傳感器選擇
    傳感器是測(cè)試系統(tǒng)的一個(gè)重要組成部分[11]。爆炸沖擊波的壓力信號(hào)變化一般在微秒量級(jí),因此對(duì)傳感器的動(dòng)態(tài)性能要求較高[12],對(duì)某典型爆炸信號(hào)進(jìn)行的頻譜分析如圖4所示,爆炸信號(hào)在62 460 Hz以后幅度幾乎可以忽略。
    目前,可以考慮用來(lái)進(jìn)行沖擊波壓力檢測(cè)的傳感器主要壓電式和壓阻式傳感器。壓電式傳感器的諧振頻率比較低,輸出阻抗比較高,需要經(jīng)過(guò)電荷放大器進(jìn)而變換為阻抗較低的電壓信號(hào)。由于周圍的環(huán)境因子可能會(huì)降低絕緣阻抗,使信號(hào)產(chǎn)生漂移。連接傳感器和電荷放大器的電纜、接頭需要很高的絕緣性。壓阻式傳感器具有較高的諧振頻率。但是,壓阻式壓力傳感器的光效應(yīng)太強(qiáng),爆炸產(chǎn)生的強(qiáng)火光會(huì)嚴(yán)重干擾壓力測(cè)試信號(hào)[11]。
    經(jīng)綜合考慮,傳感器選擇型號(hào)為CA-YD-205T的壓電式壓力傳感器,這種傳感器的特點(diǎn)是:大沖擊加速度傳感器,底部安裝螺紋M5,重量輕,溫度特性好。傳感器主要性能指標(biāo):
 壓力范圍:5×106 Pa
   過(guò)載能力:120%
   參考靈敏度:0.000 090 8 pC/Pa
 自振頻率:≥100 kHz
 非線性:≤1 %FS
 絕緣電阻:≥1013 Ω
 工作溫度:-40~250 ℃
4 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
4.1 信號(hào)調(diào)理電路

    信號(hào)調(diào)理電路由三部分組成:電荷放大器、儀表放大器和低通濾波器。   
    由前文可知壓電傳感器輸出的信號(hào)為電荷信號(hào),不便于進(jìn)行處理和存儲(chǔ),所以需要使用電荷放大器把電荷信號(hào)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào),放大倍數(shù)根據(jù)公式計(jì)算得出。在時(shí)間域,放大倍數(shù)可以近似為1/C2。如圖5所示。

 

 

4.2 A/D轉(zhuǎn)換器
    根據(jù)圖4對(duì)典型被測(cè)信號(hào)的頻譜分析研究得出結(jié)論:被測(cè)信號(hào)的頻率在60 kHz以下。根據(jù)香農(nóng)采樣定理,原則上使用120 kHz的采樣頻率即可實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)信號(hào)的采集。系統(tǒng)為了更好地對(duì)被測(cè)信號(hào)進(jìn)行采集,留出了一部分余量,編程設(shè)置將采樣頻率設(shè)定為500 kHz。因此本系統(tǒng)選用了高速、低功耗、逐次逼近的12位A/D轉(zhuǎn)換器AD7492,它可在2.7 V~5.25 V的電壓下工作,其數(shù)據(jù)通過(guò)率高達(dá)1 MSPS。它內(nèi)含一個(gè)低噪聲、寬頻帶的跟蹤/保持放大器,它可以處理高達(dá)10 MHz的寬頻信號(hào)。
5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
     該系統(tǒng)對(duì)某TNT藥柱的爆炸沖擊波進(jìn)行了多點(diǎn)測(cè)試,分別測(cè)量距爆心14 m和19 m的沖擊波超壓值,捕獲數(shù)據(jù)完整可靠。圖8為距爆心14 m沖擊波超壓值, 圖9為距爆心19 m沖擊波超壓值。

    與傳統(tǒng)的引線測(cè)試系統(tǒng)相比,沖擊波超壓存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)具有體積小、功耗低、穩(wěn)定性高、抗干擾性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn),可嵌入爆炸現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)完成沖擊波超高壓測(cè)試,特別適宜于惡劣環(huán)境下大范圍多測(cè)點(diǎn)的沖擊波測(cè)試試驗(yàn)場(chǎng)合。本測(cè)試系統(tǒng)為武器系統(tǒng)的爆炸威力評(píng)價(jià)提供了可靠有效的測(cè)試手段。
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