STM32FSMC機(jī)制FlaSh存儲(chǔ)器擴(kuò)展
魯東大學(xué) 潘輝
摘要: STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex-M3的32位微控制器系列。Cortex-M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專門設(shè)計(jì)的,具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb-2高密度指令集,Cortex-M3內(nèi)核降低了系統(tǒng)存儲(chǔ)要求,同時(shí)快速的中斷處理能夠滿足控制領(lǐng)域的高實(shí)時(shí)性要求,使基于該內(nèi)核設(shè)計(jì)的STM32系列微控制器能夠以更優(yōu)越的性價(jià)比,面向更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。STM32系列微控制器為用戶提供了豐富的選擇,可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。STM32系列采用一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)——FSMC,在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要,方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。
Abstract:
Key words :
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STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex-M3的32位微控制器系列。Cortex-M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專門設(shè)計(jì)的,具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb-2高密度指令集,Cortex-M3內(nèi)核降低了系統(tǒng)存儲(chǔ)要求,同時(shí)快速的中斷處理能夠滿足控制領(lǐng)域的高實(shí)時(shí)性要求,使基于該內(nèi)核設(shè)計(jì)的STM32系列微控制器能夠以更優(yōu)越的性價(jià)比,面向更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。
STM32系列微控制器為用戶提供了豐富的選擇,可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。STM32系列采用一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)——FSMC,在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要,方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。
1 FSMC機(jī)制
FSMC(Flexihie Static Memory Controller,可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器)是STM32系列中內(nèi)部集成256 KB以上FlaSh,后綴為xC、xD和xE的高存儲(chǔ)密度微控制器特有的存儲(chǔ)控制機(jī)制。之所以稱為“可變”,是由于通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器的設(shè)置,F(xiàn)SMC能夠根據(jù)不同的外部存儲(chǔ)器類型,發(fā)出相應(yīng)的數(shù)據(jù)/地址/控制信號(hào)類型以匹配信號(hào)的速度,從而使得STM32系列微控制器不僅能夠應(yīng)用各種不同類型、不同速度的外部靜態(tài)存儲(chǔ)器,而且能夠在不增加外部器件的情況下同時(shí)擴(kuò)展多種不同類型的靜態(tài)存儲(chǔ)器,滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)存儲(chǔ)容量、產(chǎn)品體積以及成本的綜合要求。
1.1 FSMC技術(shù)優(yōu)勢(shì)
①支持多種靜態(tài)存儲(chǔ)器類型。STM32通過(guò)FSMC町以與SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存儲(chǔ)器的引腳直接相連。
②支持豐富的存儲(chǔ)操作方法。FSMC不僅支持多種數(shù)據(jù)寬度的異步讀/寫操作,而且支持對(duì)NOR/PSRAM/NAND存儲(chǔ)器的同步突發(fā)訪問(wèn)方式。
?、壑С滞瑫r(shí)擴(kuò)展多種存儲(chǔ)器。FSMC的映射地址空間中,不同的BANK是獨(dú)立的,可用于擴(kuò)展不同類型的存儲(chǔ)器。當(dāng)系統(tǒng)中擴(kuò)展和使用多個(gè)外部存儲(chǔ)器時(shí),F(xiàn)SMC會(huì)通過(guò)總線懸空延遲時(shí)間參數(shù)的設(shè)置,防止各存儲(chǔ)器對(duì)總線的訪問(wèn)沖突。
④支持更為廣泛的存儲(chǔ)器型號(hào)。通過(guò)對(duì)FSMC的時(shí)間參數(shù)設(shè)置,擴(kuò)大了系統(tǒng)中可用存儲(chǔ)器的速度范圍,為用戶提供了靈活的存儲(chǔ)芯片選擇空間。
?、葜С执a從FSMC擴(kuò)展的外部存儲(chǔ)器中直接運(yùn)行,而不需要首先調(diào)入內(nèi)部SRAM。
1.2 FSMC內(nèi)部結(jié)構(gòu)
STM32微控制器之所以能夠支持NOR Flash和NAND Flash這兩類訪問(wèn)方式完全不同的存儲(chǔ)器擴(kuò)展,是因?yàn)镕SMC內(nèi)部實(shí)際包括NOR Flash和NAND/PC Card兩個(gè)控制器,分別支持兩種截然不同的存儲(chǔ)器訪問(wèn)方式。在STM32內(nèi)部,F(xiàn)SMC的一端通過(guò)內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex-M3,另一端則是面向擴(kuò)展存儲(chǔ)器的外部總線。內(nèi)核對(duì)外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)信號(hào)發(fā)送到AHB總線后,經(jīng)過(guò)FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲(chǔ)器通信規(guī)約的信號(hào),送到外部存儲(chǔ)器的相應(yīng)引腳,實(shí)現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互。FSMC起到橋梁作用,既能夠進(jìn)行信號(hào)類型的轉(zhuǎn)換,又能夠進(jìn)行信號(hào)寬度和時(shí)序的調(diào)整,屏蔽掉不同存儲(chǔ)類型的差異,使之對(duì)內(nèi)核而言沒有區(qū)別。
1.3 FSMC映射地址空間
FSMC管理1 GB的映射地址空間。該空間劃分為4個(gè)大小為256 MB的BANK,每個(gè)BANK又劃分為4個(gè)64 MB的子BANK,如表1所列。FSMC的2個(gè)控制器管理的映射地址空間不同。NOR Flash控制器管理第1個(gè)BANK,NAND/PC Card控制器管理第2~4個(gè)BANK。由于兩個(gè)控制器管理的存儲(chǔ)器類型不同,擴(kuò)展時(shí)應(yīng)根據(jù)選用的存儲(chǔ)設(shè)備類型確定其映射位置。其中,BANK1的4個(gè)子BANK擁有獨(dú)立的片選線和控制寄存器,可分別擴(kuò)展一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)設(shè)備,而BANK2~BANK4只有一組控制寄存器。
2 FSMC擴(kuò)展NOR Flash配置
SRAM/ROM、NOR Flash和PSRAM類型的外部存儲(chǔ)器都是由FSMC的NOR Flash控制器管理的,擴(kuò)展方法基本相同,其中NOR Flash最為復(fù)雜。通過(guò)FSMC擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器時(shí),除了傳統(tǒng)存儲(chǔ)器擴(kuò)展所需要的硬件電路外,還需要進(jìn)行FSMC初始化配置。FSMC提供大量、細(xì)致的可編程參數(shù),以便能夠靈活地進(jìn)行各種不同類型、不同速度的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。外部存儲(chǔ)器能否正常工作的關(guān)鍵在于:用戶能否根據(jù)選用的存儲(chǔ)器型號(hào),對(duì)配置寄存器進(jìn)行合理的初始化配置。
(1)確定映射地址空間
根據(jù)選用的存儲(chǔ)器類型確定擴(kuò)展使用的映射地址空間。NOR Flash只能選用BANK1中的4個(gè)子BANK。選定映射子BANK后,即可確定以下2方面內(nèi)容:
①硬件電路中用于選中該存儲(chǔ)器的片選線FSMC_NEi(i為子BANK號(hào),i=1,…,4);
?、贔SMC配置中用于配置該外部存儲(chǔ)器的特殊功能寄存器號(hào)(如表1所列)。
(2)配置存儲(chǔ)器基本特征
通過(guò)對(duì)FSMC特殊功能寄存器FSMC_BCRi(i為子BANK號(hào),i=1,…,4)中對(duì)應(yīng)控制位的設(shè)置,F(xiàn)SMC根據(jù)不同存儲(chǔ)器特征可靈活地進(jìn)行工作方式和信號(hào)的調(diào)整。根據(jù)選用的存儲(chǔ)器芯片確定需要配置的存儲(chǔ)器特征,主要包括以下方面:
?、俅鎯?chǔ)器類型(MTYPE)是SRAM/ROM、PSRAM,還是NOR FlaSh;
?、诖鎯?chǔ)芯片的地址和數(shù)據(jù)引腳是否復(fù)用(MUXEN),F(xiàn)SMC可以直接與AD0~AD15復(fù)用的存儲(chǔ)器相連,不需要增加外部器件;
?、鄞鎯?chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線寬度(MWID),F(xiàn)SMC支持8位/16位兩種外部數(shù)據(jù)總線寬度;
?、軐?duì)于NOR Flash(PSRAM),是否采用同步突發(fā)訪問(wèn)方式(B URSTEN);
?、輰?duì)于NOR Flash(PSRAM),NWAIT信號(hào)的特性說(shuō)明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL);
?、迣?duì)于該存儲(chǔ)芯片的讀/寫操作,是否采用相同的時(shí)序參數(shù)來(lái)確定時(shí)序關(guān)系(EXTMOD)。
(3)配置存儲(chǔ)器時(shí)序參數(shù)
FSMC通過(guò)使用可編程的存儲(chǔ)器時(shí)序參數(shù)寄存器,拓寬了可選用的外部存儲(chǔ)器的速度范圍。FSMC的NORFlash控制器支持同步和異步突發(fā)兩種訪問(wèn)方式。選用同步突發(fā)訪問(wèn)方式時(shí),F(xiàn)SMC將HCLK(系統(tǒng)時(shí)鐘)分頻后,發(fā)送給外部存儲(chǔ)器作為同步時(shí)鐘信號(hào)FSMC_CLK。此時(shí)需要的設(shè)置的時(shí)間參數(shù)有2個(gè):
①HCLK與FSMC_CLK的分頻系數(shù)(CLKDIV),可以為2~16分頻;
?、谕酵话l(fā)訪問(wèn)中獲得第1個(gè)數(shù)據(jù)所需要的等待延遲(DATLAT)。
對(duì)于異步突發(fā)訪問(wèn)方式,F(xiàn)SMC主要設(shè)置3個(gè)時(shí)間參數(shù):地址建立時(shí)間(ADDSET)、數(shù)據(jù)建立時(shí)間(DATAST)和地址保持時(shí)間(ADDHLD)。FSMC綜合了SRAM/ROM、PSRAM和NOR Flash產(chǎn)品的信號(hào)特點(diǎn),定義了4種不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí),需要設(shè)置不同的時(shí)序參數(shù),如表2所列。在實(shí)際擴(kuò)展時(shí),根據(jù)選用存儲(chǔ)器的特征確定時(shí)序模型,從而確定各時(shí)間參數(shù)與存儲(chǔ)器讀/寫周期參數(shù)指標(biāo)之間的計(jì)算關(guān)系;利用該計(jì)算關(guān)系和存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中給定的參數(shù)指標(biāo),可計(jì)算出FSMC所需要的各時(shí)間參數(shù),從而對(duì)時(shí)間參數(shù)寄存器進(jìn)行合理的配置。
3 STM2擴(kuò)展S29GL系列NOR Flash實(shí)例
3.1 S29GL系列NOR Flash簡(jiǎn)介
Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技術(shù)制造的高集成度NOR Flash存儲(chǔ)芯片,提供16~128 MB可選容量,支持最快25 ns的頁(yè)訪問(wèn)速度和11O ns的隨機(jī)訪問(wèn)速度,帶有最大64字節(jié)的寫緩沖區(qū),以提供更快、更高效的編程,是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中大容量存儲(chǔ)器擴(kuò)展的理想選擇。本文選用的型號(hào)為S29GL512P,容量為512×64K字(總?cè)萘?4 MB),擴(kuò)展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2個(gè)子BANK。
3.2 STM32與S29GL512P的電路連接
S25GL512P可通過(guò)控制引腳BYTE選擇對(duì)芯片的訪問(wèn)單位(字/字節(jié)),區(qū)別在于:
①對(duì)于芯片引腳DQ15,字模式時(shí)傳送最高數(shù)據(jù)位D15;字節(jié)模式時(shí)傳送最低地址A-1。
?、谧帜J綍r(shí),數(shù)據(jù)引腳D0~D15上傳送數(shù)據(jù)信號(hào);字節(jié)模式時(shí),只有D0~D7上有信號(hào)。
此處,將BYTE上拉到高電平,選擇16位的字訪問(wèn)單位。FSMC數(shù)據(jù)線FSMC_D[15:0]與S29GL512P的D15~D0對(duì)應(yīng)連接;FSMC地址線FSMC_A[25:0]的低25根與S29GL512P的地址線A[24:0]對(duì)應(yīng)連接。
由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2,可確定其片選線應(yīng)連接FSMC片選控制線FSMC_NE2。S29GL512P的RY/BY引腳連接FSMC的FSMC_NWAIT引腳,提供等待信號(hào)。
3.3 FSMC的配置
根據(jù)S29GL512P的映射位置,需要對(duì)FSMC_BCR2和FSMC_BTR2/BWTR2寄存器進(jìn)行配置。
(1)FSMC_BCR2
配置S29GL512P的讀/寫采用統(tǒng)一時(shí)間參數(shù),只需要設(shè)置時(shí)間寄存器FSMC_BTR2。配置存儲(chǔ)器類型為NORFlash,數(shù)據(jù)總線寬度為16位(字),不采用地址/數(shù)據(jù)復(fù)用,使能BANK1的子BANK2。
(2)FSMC_BTR2
由表2可知,異步NOR Flash時(shí)序模型Mode2/B需要設(shè)置時(shí)間參數(shù)DATAST和ADDSET。根據(jù)時(shí)序圖,兩個(gè)參數(shù)的計(jì)算公式如下:
式中:Twc和Trc為所選存儲(chǔ)芯片的寫周期長(zhǎng)度和讀操作周期長(zhǎng)度;Twp為所選存儲(chǔ)芯片的寫信號(hào)持續(xù)長(zhǎng)度。根據(jù)S29GL512P用戶手冊(cè),可知參數(shù)Twc=Trc=130 ns,Twp=35 ns。設(shè)STM32微控制器采用72 MHz主頻,則HCLK=(1/72×10-6)s。通過(guò)上述公式計(jì)算,可取值為:DATAST=2,ADDSET=5。
為了達(dá)到更好的控制效果,還應(yīng)考慮FSMC自身延遲問(wèn)題,使用校正公式:
式中:TAVQV為所選存儲(chǔ)芯片訪問(wèn)過(guò)程中,從地址有效至數(shù)據(jù)有效的時(shí)間域;Tsu(Data_NE)為STM32特征參數(shù),從數(shù)據(jù)有效到FSMC_NE(片選)失效時(shí)間域;Ttv(A_NE)為STM32特征參數(shù),從FSMC_NE有效至地址有效的時(shí)間域。
TAVQV=130 ns,Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns,對(duì)DATAST參數(shù)進(jìn)行校正,可得DATAST=3。
3.4 應(yīng)用STM32固件對(duì)FSMC進(jìn)行初始化配置
ST公司為用戶開發(fā)提供了完整、高效的工具和固件庫(kù),其中使用C語(yǔ)言編寫的固件庫(kù)提供了覆蓋所有標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)的函數(shù),使用戶無(wú)需使用匯編操作外設(shè)特性,從而提高了程序的可讀性和易維護(hù)性。
STM32固件庫(kù)中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件,主要包括2個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和3個(gè)函數(shù)。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef對(duì)應(yīng)時(shí)間參數(shù)寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的結(jié)構(gòu)定義;
FSMC_NORSRAMinitTypeDef對(duì)應(yīng)特征配置寄存器FSMC_BCR的結(jié)構(gòu)定義,并包含2個(gè)指向?qū)?yīng)BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef結(jié)構(gòu)指針。針對(duì)上述S29GL512P芯片擴(kuò)展要求,利用固件庫(kù)進(jìn)行的主要初始化操作如下:
結(jié) 語(yǔ)
STM32作為新一代ARM Cortex-M3核處理器,其卓越的性能和功耗控制能夠適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域;而其特殊的可變靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)FSMC具有高度的靈活性,對(duì)于存儲(chǔ)容量要求較高的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì),能夠在不增加外部分立器件的情況下,擴(kuò)展多種不同類型和容量的存儲(chǔ)芯片,降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,提高了系統(tǒng)的可靠性。
來(lái)源:?jiǎn)纹瑱C(jī)與嵌入式系統(tǒng)
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