第11屆中國國際半導體博覽會暨高峰論壇(簡稱2013 ICC)將于2013年11月13-15日在上海新國際博覽中心隆重開幕。屆時，盛美半導體設備（上海）有限公司(簡稱ACM)傾力打造的Ultra C SAPS兆聲波單片清洗設備和Ultra SFP-TSV無應力拋光設備將正式揭開其神秘面紗。

ACM（上海）公司高級技術經(jīng)理陳福平向我們介紹說，本屆展會推出的這兩款產(chǎn)品系公司獨立研發(fā)，完全擁有自主知識產(chǎn)品。

談到公司的發(fā)展歷程時，陳福平介紹說，盛美半導體設備公司于1998年在美國硅谷創(chuàng)立。2006年9月，公司將研發(fā)中心遷至亞洲，與上海風投合作成立子公司盛美半導體設備（上海）有限公司。公司致力于無應力拋光(UltraSFP™)和電化學鍍銅(UltraECP™)技術的研究開發(fā)。

盛美半導體落戶上海張江高科技園區(qū)

同時，他又補充道，地處上海張江高科技園區(qū)的盛美半導體設備公司專注于集成電路制造產(chǎn)業(yè)中電鍍銅設備、拋銅設備、單晶圓清洗設備的研發(fā)及生產(chǎn)。迄今，ACM公司已申請了100多項國際專利，其中60余項已獲批準。

此前，據(jù)公司創(chuàng)始人王暉透露，今年上半年公司已取得8500萬元的訂單，預計全年訂單總額將突破億元。

2013年7月，該公司自主研發(fā)的UltraSAPS12英寸8腔SAPS兆聲波單片清洗設備將出廠運至SK海力士(無錫)。

2013年5月，公司再次獲取上海晶盟硅材料和臺灣合晶集團四臺單片清洗機訂單，標志著盛美清洗設備成功進入硅片清洗以及外延片清洗的量產(chǎn)客戶群。

2012年1月，盛美半導體設備公司宣布開發(fā)出十二英寸單片兆聲波清洗設備。

2011年10月，公司將首臺UltraC™12英寸單片兆聲波清洗設備銷售給韓國存儲器制造巨頭。

2010年10月，盛美半導體設備(上海)有限公司自主研發(fā)的12英寸45納米單片清洗設備沖出國門，銷往韓國知名存儲器廠商。這是中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“零損傷”兆聲波半導體清洗設備，填補了國內(nèi)技術的空白。

另外，公司SFP工藝副經(jīng)理賈照偉透露，公司近期已與美國的Sematech達成聯(lián)合開發(fā)的協(xié)議，將一起開發(fā)SFP在TSV上新應用，為客戶提供無應力、低成本的工藝方案。未來，公司將重點發(fā)展先進封裝領域相關濕法設備， 清洗設備，濕法去膠設備，濕法蝕刻設備，涂膠設備，顯影設備等產(chǎn)品。在長三角地區(qū)，公司最看重的主要是集成電路，晶圓制造以及先進封裝領域。

最后，賈照偉表示公司將以穩(wěn)定的裝備，先進的工藝，優(yōu)異的客戶服務來開拓市場。

第11屆中國國際半導體博覽會暨高峰論壇是在工信部、科技部和上海市政府指導下，由中國半導體行業(yè)協(xié)會和中國電子器材總公司等主辦。中國國際半導體博覽會暨高峰論壇經(jīng)過10年的發(fā)展，已成為國內(nèi)外具有一定影響力的半導體業(yè)界盛會。它為從事集成電路設計、芯片加工、封裝測試、半導體專用設備、半導體專用材料、半導體分立器件的海內(nèi)外廠商，企事業(yè)單位搭建了一個展示最新成果，打造產(chǎn)品品牌的平臺。而且聚焦產(chǎn)業(yè)政策解讀，涵蓋“體制創(chuàng)新、模式創(chuàng)新、技術創(chuàng)新”等內(nèi)容的高峰論壇和專題研討會，在業(yè)界有著極佳的口碑和知名度。

附：盛美半導體設備公司Ultra C SAPS兆聲波單片清洗設備和Ultra SFP-TSV無應力拋光設備資料：

Ultra C 003

Ultra C SAPS是盛美獨立開發(fā)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)的兆聲波單片清洗設備。它主要有三部分組成：機械前端模塊，包括機械手、loadport等；液體供應模塊，包括液體供給流量控制系統(tǒng)等；以及工藝加工模塊，包括清洗腔以及兆聲波能量發(fā)生器。具有極高的顆粒去除效率，并且可以控制硅片表面的能量密度均勻的分布以去除“hot spots”，達到對器件的無損傷清洗。同時，所有的化學清洗液均可單獨回收循環(huán)利用。主要應用于：集成電路工藝相關濕法清洗，濕法蝕刻工藝，晶圓制造拋光后，外延前后清洗，先進封裝領域（TSV）深孔清洗，濕法蝕刻，濕法去膠等。

Ultra SFP II

Ultra SFP-TSV無應力拋光樣機也是由盛美獨立開發(fā)，并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，在2002年SFP無應力拋光樣機就進入了Intel和LSI Logic的產(chǎn)線進行Cu/low k工藝的驗證。 本產(chǎn)品主要有三部分組成：機械前端模塊，包括機械手、loadport和aligner等；液體供應模塊，包括液體供給流量控制系統(tǒng)等；以及工藝加工模塊，包括一個無應力拋光腔以及一個清洗腔。采用電化學拋光原理可以對硅片表面的銅膜的進行去除和減薄。主要應用領域包括：芯片加工的后端銅大馬士革工藝，Cu/低k 超低k以及Cu/air gap工藝以及先進封裝領域TSV技術中鍍銅以后銅膜減薄工藝等。