隨著集成電路設(shè)計(jì)線寬的不斷縮小，生產(chǎn)過程中對(duì)于污染物的控制變得空前嚴(yán)格，隨之而來(lái)的便是單片清洗工藝步驟的增加。以目前集成電路最為主流的28納米產(chǎn)品為例，單片清洗步驟約占到總步驟的1/4。作為國(guó)內(nèi)僅有的從事集成電路清洗設(shè)備的公司，盛美半導(dǎo)體所做的便是不斷進(jìn)行內(nèi)功修煉，以滿足主流集成電路生產(chǎn)的需求，目前在新產(chǎn)品上研發(fā)及相關(guān)評(píng)估上已有所突破。

    去年Semicon China期間，盛美半導(dǎo)體帶來(lái)了Ultra C SAPS III單片兆聲波清洗機(jī)。該臺(tái)清洗機(jī)在配合超稀化學(xué)液體 (ppm級(jí)別)使用后，可用于微小顆粒（小于65nm）去除以及化學(xué)氧化層控制，以替代傳統(tǒng)‘Nano Spray’清洗技術(shù)，在薄膜沉積后的清洗領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。盛美半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官王暉介紹稱 “經(jīng)過不斷優(yōu)化，該清洗機(jī)已于近日通過了韓國(guó)集成電路大廠的大生產(chǎn)線工藝評(píng)估，有望成為下一代微小顆粒清洗的主流設(shè)備”。

    高產(chǎn)能、高良率、低占地面積是Ultra C SAPS III的二大亮點(diǎn) ： 該單片清洗機(jī)采用了兩套機(jī)械傳輸機(jī)構(gòu)，產(chǎn)能可以提升約15%。同時(shí)，該設(shè)備采用了三維堆棧結(jié)構(gòu)，占地面積可以大大減小，僅為上一代8腔體單片清洗機(jī)的45%。