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盛美半導(dǎo)體SAPS III清洗設(shè)備滿(mǎn)足集成電路主流生產(chǎn)需求

2015-03-27

    隨著集成電路設(shè)計(jì)線(xiàn)寬的不斷縮小,生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)于污染物的控制變得空前嚴(yán)格,隨之而來(lái)的便是單片清洗工藝步驟的增加。以目前集成電路最為主流的28納米產(chǎn)品為例,單片清洗步驟約占到總步驟的1/4。作為國(guó)內(nèi)僅有的從事集成電路清洗設(shè)備的公司,盛美半導(dǎo)體所做的便是不斷進(jìn)行內(nèi)功修煉,以滿(mǎn)足主流集成電路生產(chǎn)的需求,目前在新產(chǎn)品上研發(fā)及相關(guān)評(píng)估上已有所突破。

    去年Semicon China期間,盛美半導(dǎo)體帶來(lái)了Ultra C SAPS III單片兆聲波清洗機(jī)。該臺(tái)清洗機(jī)在配合超稀化學(xué)液體 (ppm級(jí)別)使用后,可用于微小顆粒(小于65nm)去除以及化學(xué)氧化層控制,以替代傳統(tǒng)‘Nano Spray’清洗技術(shù),在薄膜沉積后的清洗領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。盛美半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官王暉介紹稱(chēng) “經(jīng)過(guò)不斷優(yōu)化,該清洗機(jī)已于近日通過(guò)了韓國(guó)集成電路大廠(chǎng)的大生產(chǎn)線(xiàn)工藝評(píng)估,有望成為下一代微小顆粒清洗的主流設(shè)備”。

    高產(chǎn)能、高良率、低占地面積是Ultra C SAPS III的二大亮點(diǎn) : 該單片清洗機(jī)采用了兩套機(jī)械傳輸機(jī)構(gòu),產(chǎn)能可以提升約15%。同時(shí),該設(shè)備采用了三維堆棧結(jié)構(gòu),占地面積可以大大減小,僅為上一代8腔體單片清洗機(jī)的45%。


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