英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導(dǎo)通阻抗及針對應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達(dá)到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計(jì)算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機(jī)架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機(jī)等。

英飛凌低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術(shù)的集成了驅(qū)動器及MOSFET半橋的半導(dǎo)體公司。DrBlade的推出可提升服務(wù)器應(yīng)用在全負(fù)載范圍的效率，再度證明我們在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

節(jié)省空間，提高效率

DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿足計(jì)算系統(tǒng)對于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術(shù)，再結(jié)合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩(wěn)壓解決方案。

上市時(shí)間與定價(jià)

DrBlade樣品已開始提供，并于2013年第二季度量產(chǎn)。

關(guān)于英飛凌全新Blade系列產(chǎn)品的更多信息，請?jiān)L問：www.infineon.com/drblade。