《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 微波|射頻 > 新品快遞 > 恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET

恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET

NextPower Live同時提供出色線性模式性能和低RDS(on)的MOSFET
2013-01-24
關鍵詞: 功率MOSFET

     憑借在功率MOSFET領域的領先地位,恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日推出了其NextPower Live產品組合,設計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值,該獨特組合展示了恩智浦在該領域的技術能力。

     運行于全天候網絡世界的大部分基礎設施(從云計算和移動電話到ATM和交通管理)由永久性處于工作(開啟)狀態(tài)的機架式系統(tǒng)組成。正因如此,驅動這些系統(tǒng)的電路板和元件必須能夠實現(xiàn)“熱插拔”工作,以實現(xiàn)在無需關閉設備電源的條件下即可進行產品升級和維護。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在為這樣的系統(tǒng)提供了最佳的性能。

    在應用過程中,為應對更換板卡插入工作系統(tǒng)時的沖擊電流,需要MOSFET具有強大的線性工作區(qū)域和很寬的安全運行區(qū)域(SOA)來防止電涌;但是,在過去需要使用RDS(on)較高且效率極低的老一代MOSFET,現(xiàn)在恩智浦NextPower Live系列已克服了該難題,只要系統(tǒng)安全安裝并運行,即可提供很強的線性模式性能以及實現(xiàn)高效率(Rdson 很低)。

    恩智浦半導體MOSFET業(yè)務經理Chris Boyce表示:“我們生活在計算和通信基礎設施不間斷的一個永無停歇的世界之中,享受始終連接、始終在線且沒有中斷的社會,這就需要特殊類型的元件能夠處理關鍵任務的應用需求。過去,基礎設施所有者被迫使用可應對被安裝到某個活動環(huán)境的老一代MOSFET,但系統(tǒng)卻引入的高電阻值的MOSFET,它造成了過多的功率損耗且提高了機架的整體溫度。我們的NextPower Live MOSFET將改變了這一切,讓其在無中斷可靠加電后以極低的RDS(on)值工作,并實現(xiàn)高效率,目前其他解決方案都無法提供可與之相比擬的性能參數。”

    NextPower Live產品組合兼具30V設備(針對工作電壓為12V DC的刀片服務器等應用)和100V設備(針對工作電壓為標稱48V DC的電信應用)。具有這兩種電壓范圍的MOSFET采用D2PAK封裝和LFPAK56(兼容Power-SO8)封裝,現(xiàn)已上市。

    恩智浦半導體還在針對以太網供電(PoE)等其他相關線性模式應用開發(fā)NextPower Live MOSFET。

相關鏈接

·         恩智浦NextPower Live MOSFET:http://www.nxp.com/nextpower-live

·         恩智浦先進的MOSFET解決方案:http://www.nxp.com/products/mosfets/        

關于恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長,提供高性能混合信號(High Performance Mixed Signal)和標準產品解決方案。這些創(chuàng)新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智慧識別、無線基礎設施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業(yè)務執(zhí)行機構,2011年公司營業(yè)額達到42億美元。更多恩智浦相關信息,請登錄公司官方網站http://cn.nxp.com/查詢。

本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。