《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電源技術(shù) > 新品快遞 > 安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充用于電機(jī)控制、太陽(yáng)能及不斷間電源應(yīng)用的 高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充用于電機(jī)控制、太陽(yáng)能及不斷間電源應(yīng)用的 高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容

新的場(chǎng)截止溝槽型技術(shù)器件擴(kuò)大額定電流,提供高速開(kāi)關(guān)能力,用于要求嚴(yán)格的電源應(yīng)用
2012-10-25

 

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS)絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。

這些新器件提升系統(tǒng)總體開(kāi)關(guān)能效,降低功率耗散,且提升系統(tǒng)可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有超過(guò)30款的IGBT產(chǎn)品系列中,將產(chǎn)品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產(chǎn)品中包含專門(mén)針對(duì)太陽(yáng)能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。

 

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說(shuō):“全球能耗的大幅增加及對(duì)經(jīng)濟(jì)及環(huán)境預(yù)計(jì)帶來(lái)的不利影響,持續(xù)推動(dòng)對(duì)更高性能功率分立元器件的需求。這些新一代器件在提供高性價(jià)比及業(yè)界領(lǐng)先能效的同時(shí)無(wú)損強(qiáng)固性。安森美半導(dǎo)體專有的溝槽型場(chǎng)截止技術(shù)能為工程師在應(yīng)用其電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)提供更豐富的選擇。”

 

第一組新IGBT是NGTB40N120FLWGNGTB25N120FLWGNGTB15N120FLWG。這些產(chǎn)品采用強(qiáng)固及高性價(jià)比的溝槽型技術(shù)結(jié)構(gòu),為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供優(yōu)異的性能。低開(kāi)關(guān)損耗及超快恢復(fù)二極管使它們非常適合于高頻太陽(yáng)能、UPS及逆變焊機(jī)應(yīng)用。這些器件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款器件均經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化,用于頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,提供低導(dǎo)通電壓(VCEsat)及低門(mén)電荷(Qg)特性,并具備超快恢復(fù)能力,提供極低開(kāi)關(guān)損耗,以保持低功率耗散。這些新IGBT器件都提供−55 °C至+150 °C的工作結(jié)溫。

第二組新器件也拓寬了安森美半導(dǎo)體的溝槽型場(chǎng)截止IGBT器件陣容,將產(chǎn)品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWGNGTB40N120LWG提供低Vcesat及強(qiáng)固的短路特性,帶有快速恢復(fù)二極管,用于低頻(2 – 20 kHz)硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電機(jī)控制變頻應(yīng)用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWGNGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWGNGTB30N120IHSWG,這些器件具有均衡的開(kāi)關(guān)及導(dǎo)電損耗,用于中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應(yīng)加熱及其它軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。

 

封裝及價(jià)格

NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無(wú)鉛TO-247封裝,每批量10,000片的單價(jià)分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。


關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)?a >汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。