中國(guó)，2021年4月14日——意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

作為意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題，簡(jiǎn)化了寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計(jì)。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應(yīng)傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

GaN晶體管開關(guān)性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發(fā)熱更少，設(shè)計(jì)人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，設(shè)計(jì)更小、更輕的電源、充電器和適配器。MasterGaN4非常適用于對(duì)稱半橋拓?fù)湟约败涢_關(guān)拓?fù)洌?，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。

4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護(hù)功能包括柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護(hù)，可進(jìn)一步簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)。還有一個(gè)專用的關(guān)斷引腳。

作為這次產(chǎn)品發(fā)布的一部分，意法半導(dǎo)體還推出一個(gè)MasterGaN4原型開發(fā)板(EVALMASTERGAN4)。這塊評(píng)估板提供使用單一或互補(bǔ)信號(hào)驅(qū)動(dòng)MasterGaN4的全部功能，以及一個(gè)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器。用戶可以靈活地施加一個(gè)單獨(dú)輸入信號(hào)或PWM信號(hào)，插入一個(gè)外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅(qū)動(dòng)器電源軌，以及使用一個(gè)低邊電流采樣電阻設(shè)計(jì)峰值電流模式拓?fù)洹?br/>

MasterGaN4現(xiàn)已投產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應(yīng)用中的使用安全。