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瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET,可提高筆記本電池的功率效率

器件的損耗量約為瑞薩原有產(chǎn)品的一半,3.3mm的正方形封裝,具備業(yè)界領(lǐng)先的4.2mΩ低阻抗
2012-02-27
關(guān)鍵詞: P通道MOSFET µPA2812T1L

    全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品,包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開(kāi)關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的µPA2812T1L。

    近年來(lái),市場(chǎng)對(duì)于筆記本電池在整體系統(tǒng)的低功耗、在采用電池電源時(shí)更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間以及更小、更輕薄的外形因數(shù)等方面的需求日益提高。功率MOSFET用于鋰離子二級(jí)電池中的控制開(kāi)關(guān),以及AC適配器電源轉(zhuǎn)換的電源管理開(kāi)關(guān),它們必須能夠承載操作整個(gè)系統(tǒng)所需要的大電流,因此需要降低工作電阻的需求(導(dǎo)通電阻),從而降低系統(tǒng)的整體功耗。同時(shí),由于筆記本電腦的機(jī)身變得日益輕薄緊湊,因此對(duì)于更小型、更輕薄鋰離子電池包的需求日益增強(qiáng)。

    為了滿足上述需求,瑞薩電子開(kāi)發(fā)了一種新的制造工藝,相對(duì)于其它創(chuàng)新而言,它采用了極其細(xì)微的工藝技術(shù),在面對(duì)相似的應(yīng)用時(shí),在相同的有效范圍內(nèi),與之前制造MOSFET的工藝技術(shù)相比,將導(dǎo)通電阻降低一半。此次包括µPA2812T1L在內(nèi)的五款新產(chǎn)品,都在很小的封裝內(nèi),提供了低導(dǎo)通電阻。

新款P通道功率MOSFET的主要特性:

(1) 業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)了更好的系統(tǒng)功率效率并增加了電池的工作次數(shù)

新款MOSFET的導(dǎo)通電阻值大約為瑞薩電子原有產(chǎn)品的一半。µPA2812T1L采用緊湊型3.3mm正方形封裝,并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的4.2 mΩ(典型值)的導(dǎo)通電阻,并可保持低功耗,提升系統(tǒng)整體的電源效率,使用鋰離子二次電池時(shí)可延長(zhǎng)使用時(shí)間。

較低的導(dǎo)通電阻的還包括其他優(yōu)點(diǎn),例如以采用新款μPA2812T1L的電路取代采用瑞薩電子原有的μPA2810T1L平行連接的電路,可降低整個(gè)系統(tǒng)的安裝面積。

•   (2)安裝面積約為具有同等性能的原有產(chǎn)品的三分之二,從而尺寸更加緊湊的系統(tǒng)。

較早期的瑞薩電子產(chǎn)品以SOP-8的封裝提供與新款µPA2812T1L相同的低導(dǎo)通電阻,但面積約為新款產(chǎn)品的三倍大。采用µPA2812T1L可以縮減大約三分之二的安裝面積,為筆記本電腦提供尺寸更小的電源供應(yīng)系統(tǒng)。

•   (3)涵蓋大范圍運(yùn)作電流等級(jí)的完整洗了產(chǎn)品

在五款新產(chǎn)品中,µPA2812T1L的額定導(dǎo)通電阻范圍從4.2 mΩ至12 mΩ(典型),客戶可以選擇最符合其運(yùn)作電流、環(huán)境條件等要求的產(chǎn)品版本。

   小尺寸3.3mm正方形封裝(HVSON(3333))提供了極好的散熱效果,其設(shè)計(jì)可讓封裝內(nèi)的熱量通過(guò)外露的引線框散發(fā)到所安裝的電路板上。由于器件周?chē)臒崃可儆诓捎肧OP-8等低效散熱封裝的熱量,因此能夠設(shè)計(jì)尺寸較輕巧的鋰電池。

    瑞薩電子計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET器件的陣列,提供更強(qiáng)大的功能和尺寸更緊湊的封裝。結(jié)合功率MOSFET器件和鋰離子電池充電器控制IC等套件,將為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供更廣泛的、靈活的系統(tǒng)解決方案。

定價(jià)和供貨情況

    瑞薩電子新款MOSFET的樣品現(xiàn)已推出,每片價(jià)格為0.6美元。計(jì)劃于2012年4 月開(kāi)始量產(chǎn),至2013年4月,每個(gè)月的產(chǎn)量有望達(dá)到5,000,000。(價(jià)格和供貨情況如有變更,恕不另行通知。)

P通道功率MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品

產(chǎn)品漏電-源電壓(VDSS) (V)

門(mén)-源電壓(VGSS) (V)

漏電流(ID) (A)

導(dǎo)通電阻(mΩ)

輸入電容(Ciss) (pF)

封裝

VGSS = 10 V

VGSS = 4.5 V

Typ

Max

Typ

Max

µPA2812T1L

-30

±20

30

4.2

5.2

6.9

9.9

3850

HVSON(3333) <3.3 × 3.3 mm2>

µPA2813T1L

-30

±20

27

5.6

7

9

13

3160

µPA2814T1S

-30

±20

24

7.2

9

12

17

2810

µPA2815T1S

-30

±20

21

9

12

16

23

1760

µPA2816T1S

-30

±20

17

12

18

28

45

1210

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