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人工耳蝸系統(tǒng)專用植入刺激芯片設計
摘要: 0引言人工耳蝸是幫助傳感性耳聾患者恢復聽覺的一種電子裝置,它把外部的聲音轉換為聽神經(jīng)需要的電刺激,將這種刺激通過植入電極刺激聽覺神經(jīng),人工制造出聽覺。
Abstract:
Key words :

0 引言

人工耳蝸是幫助傳感性耳聾患者恢復聽覺的一種電子裝置,它把外部的聲音轉換為聽神經(jīng)需要的電刺激,將這種刺激通過植入電極刺激聽覺神經(jīng),人工制造出聽覺。

人工耳蝸主要由四部分構成:(1)語音處理器,按照一定的算法將聲音轉換成適當?shù)碾娦盘?;?)傳輸系統(tǒng),用來將電信號和體內電路所需的能量從體外傳送到體內;(3)植入刺激電路,用來處理體外傳入的電信號并產(chǎn)生刺激聽神經(jīng)的電脈沖;(4)電極(組),用來直接刺激聽覺神經(jīng)。其中植入刺激電路、接收天線和電極組通過外科手術植入耳內。

植入刺激電路是人工耳蝸的核心部件,早在1800年,AlessAndro VoltA在實驗時發(fā)現(xiàn)將通電的電極插入雙耳時“使頭內產(chǎn)生轟響聲”,隨后會聽到“一種如同粘液沸騰的聲音”。此后人類便開始了對電刺激恢復聽覺的研究;到1960年fBsIMMons等人使用了一種單通道刺激系統(tǒng),在耳蝸內插入一根電極,用電脈沖直接刺激聽神經(jīng),使患者可以產(chǎn)生音調感覺;此后,受到電極陣列技術條件和無法實現(xiàn)小面積低功耗的植入刺激電路的限制,人工耳蝸的發(fā)展很慢;20世紀80年代,電極技術有了較大突破,可以在一根載體中放入4根或者更多的獨立電極,同時集成電路的制造和設計技術也有了很大的進步,植入芯片由分立元件實現(xiàn)發(fā)展到專用集成電路實現(xiàn),功耗和面積都得到了很大程度的降低,越來越多的人工耳蝸系統(tǒng)開始出現(xiàn)。目前三家商用的人工耳蝸系統(tǒng)的植入刺激電路普遍采用數(shù)?;旌蠈S眉呻娐吩O計實現(xiàn)。

本文介紹一種適用于16通道、電流脈沖刺激方式的人工耳蝸系統(tǒng)的體內刺激電路。

1 芯片結構和功能

植入刺激電路的結構如圖1所示。

圖1 植入刺激電路結構示意圖


植入刺激電路通過接收線圈接收體外電路發(fā)射的信號,從中提取出數(shù)據(jù)和能量,并對數(shù)據(jù)解碼形成相應的脈沖刺激電流刺激聽神經(jīng)。具體各部分的功能為:(1)接收線圈負責接收體外線圈發(fā)射的調制信號;(2)整流濾波電路對接收線圈接收到的信號進行整流、濾波,得到12V的高壓電源電壓VCC;(3)高壓帶隙基準模塊產(chǎn)生低壓降穩(wěn)壓器使用的1.2V參考電源電壓Vref;(4)低壓降穩(wěn)壓器負責產(chǎn)生3.3V的常壓電源Vdd給其他常壓模塊供電;(5)上電復位電路負責在低壓降穩(wěn)壓器輸出到一定電位時產(chǎn)生復位信號,控制數(shù)字模塊復位,進入工作狀態(tài);(6)數(shù)據(jù)時鐘恢復模塊將線圈接收到的信號進行處理,解調出數(shù)字控制模塊所需的數(shù)據(jù)信號(dAtA)和時鐘信號(Clk);(7)數(shù)字控制模塊負責從數(shù)據(jù)時鐘恢復模塊恢復出的數(shù)據(jù)信號中提取出關于刺激電流的各種參數(shù)(刺激電極選擇、刺激維持時間、刺激強度等),控制開關陣列和數(shù)模轉換電路;(8)常壓帶隙基準源負責產(chǎn)生數(shù)模轉換電路所需要的0.9V參考電壓;(9)12位數(shù)模轉換電路根據(jù)數(shù)字控制模塊提取出的刺激強度產(chǎn)生控制壓控電流源的控制電壓;(10)壓控電流源負責根據(jù)數(shù)模轉換電路的控制電壓產(chǎn)生精確的刺激電流;(11)開關陣列根據(jù)數(shù)字控制模塊提取出的電極序號選通待刺激的電極,并維持相應的刺激時間。

體內刺激電路有兩個工作電壓,12V高壓電源VCC和3.3V常壓電源Vdd。使用12V高壓電源的模塊為高壓模塊,采用相應的高壓工藝進行設計;使用常壓電源的模塊為常壓模塊,采用常壓工藝進行設計。采用雙電源既可以有效地降低電路功耗,又可以保證刺激的強度。

2 關鍵模塊電路實現(xiàn)

2.1 帶隙基準源

植入刺激電路中有高壓和常壓兩個帶隙基準源,二者均采用了傳統(tǒng)的帶隙結構,其核心電路如圖2所示。通過雙極型晶體管VBe的負溫度系數(shù)和不同電流密度的兩個雙極型晶體管的VBe之差ΔVBe的正溫度系數(shù)相加產(chǎn)生與溫度無關的基準電壓,輸出電壓為
 


其偏置電流由自偏置模塊產(chǎn)生,運算放大器為典型的兩級運放結構。常壓帶隙基準源要給數(shù)模轉換電路提供穩(wěn)定的有驅動能力的參考電位,因此在基準源的輸出端根據(jù)數(shù)模轉換電路的精度,等效電容,刺激速率要求設計完成了兩級密勒補償?shù)木彌_器,用以驅動數(shù)模轉換電路。

圖2 帶隙基準源核心電路結構


2.2 數(shù)字控制模塊

數(shù)字控制模塊是植入刺激電路中的數(shù)字部分,這部分采用有限狀態(tài)機設計,在不同的狀態(tài)下生成相應的控制信號。它以數(shù)據(jù)時鐘模塊恢復出的時鐘為工作時鐘,將數(shù)據(jù)時鐘模塊恢復出的數(shù)據(jù)進行譯碼,提取出刺激強度控制數(shù)模轉換電路,提取出刺激維持時間、刺激電極序號控制開關陣列。本設計中使用的指令幀格式如圖3所示,指令首位是幀起始位,然后依次是刺激模式、刺激強度、刺激脈寬、電極編號1、電極編號2、最后一位是奇偶校驗位。該部分電路采用標準AsIC設計流程,規(guī)模約1500門,功耗730μW@10MHz。


圖3 指令幀格式


2.3 數(shù)模轉換電路

12位數(shù)模轉換電路采用分段電容結構,如圖4所示。為了提高數(shù)模轉換電路電容陣列的匹配性,該數(shù)模轉換電路采用左右兩個對稱的電容陣列組成,為減小電路轉換的毛刺幅度,提高線性度,高三位使用溫度計編碼,數(shù)模轉換電路的參考電平由基準源提供。


圖4 數(shù)模轉換電路

2.4 壓控電流源電路


該部分由滿足數(shù)模轉換電路精度和速度的運算放大器和一個高壓nMos反饋管組成,具體電路如圖5所示。運放與nMos管M1組成的負反饋保證電阻r(本設計中r為外接電阻,以方便對該電路的測試以及調節(jié)刺激電流的大?。┥系碾妷簽閿?shù)模轉換電路的輸出,從而保證流過兩個電極的電流為Iout=VdAC/r以實現(xiàn)刺激強度隨數(shù)模轉換s電路輸出的變化。其中運算放大器采用兩級密勒補償結構,輸入部分為PMos射級跟隨器,用以實現(xiàn)電平移位,保證在數(shù)模轉換電路輸出電壓很小時運放仍然正常工作。

圖5 壓控電流源電路


2.5 開關陣列電路

開關陣列結構示意圖如圖6所示。本設計中電極共有17個(el0~el16),圖中僅給出兩個電極作為示意,數(shù)字控制部分通過控制如圖所示的模擬開關來控制刺激電流方向,刺激維持時間以及選通電極。比如,當elVen1和elAen2閉合時,電流由電極el1流向el2,大小為前面壓控電流源產(chǎn)生的由數(shù)模轉換電路控制的電流,而當elVen2和elAen1閉合時,電流由電極el2流向el1。這樣,通過開關陣列,很容易實現(xiàn)電極的選擇,電流方向及刺激維持時間的控制。elIdle開關用于短接未被選中的電極以泄放殘留的不平衡電荷。

圖6 開關陣列結構示意圖


3 芯片版圖實現(xiàn)

植入刺激電路為一數(shù)模混合電路,035μM工藝流片,芯片總面積為9MM2,數(shù)字模塊、高壓模塊、常壓模塊均單獨供電,共使用77個PAd(37個高壓PAd,40個常壓PAd)。為保證能夠測量各個組成電路的性能,各個模塊間除了必要的連接外均相互獨立,并且各個模塊都有獨立的測試PAd,具體版圖如圖7所示。

圖7 版圖實現(xiàn)


4 測試結果

因為電路的PAd數(shù)目比較多,同時各個模塊都留有單獨的測試PAd,所以首先單獨封裝測試了各個組成模塊的性能,然后在此基礎上進行了完整功能的測試。帶隙基準源電路輸出穩(wěn)定的1.222V電壓,基準的平均偏差(5片)為0.082%,片間偏差最大為0.82%,電壓調整率為1838mV/V。數(shù)字控制模塊、數(shù)模轉換電路、壓控電流源均正常工作,芯片整體工作正常,圖5中電阻r上的電壓測試波形變化如圖8所示,刺激脈寬為50μs,在電極間負載為1500Ω時最大輸出刺激電流為2MA,每通道刺激頻率最高可達930脈沖/s。

圖8 測試電極上電壓輸出


5 結論

本文設計了一種專用于16通道、電流脈沖刺激方式的人工耳蝸體內刺激電路,通過測試表明該芯片的各個組成部分均可以正常工作,指標滿足設計的要求。該芯片可以產(chǎn)生16通道的雙相刺激電流,電流大小2μA~2mA分1024級可調,無電流刺激時電極通過開關elIdle短接以泄放電極上的不平衡電荷,提高刺激的安全性。同時芯片具有一定的數(shù)據(jù)檢錯能力,當數(shù)據(jù)奇偶校驗錯誤時,會放棄當前接受到的數(shù)據(jù),繼續(xù)進行下一幀數(shù)據(jù)的處理。


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