據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。

　　雖然最近幾個季度DRAM產業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產業(yè)的加權平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。

　　IHS iSuppli公司的研究顯示，但從第二季度開始，預計DRAM產業(yè)對于光刻工藝遷移的態(tài)度將不再那么積極，成本下降速度也將變慢。第二季度lithography reduction將下降到5.2%，第三季度下降到4.8%，第四季度降到3.7%。相應地，成本削減幅度也將在第二季度下降到12%，第三和第四季度分別降至9和4%，如圖2所示。
 

     確實，DRAM產業(yè)正在經歷幾種轉變，例如許多供應商進行戰(zhàn)略性調整，擺脫商品類DRAM；建立新的制造與代工聯(lián)盟；繼續(xù)向40納米及更先進的工藝遷移。IHS公司認為，所有這些因素都將對供需關系產生影響，進而影響利潤率和供應商的利潤。

　　令人意外的是，由于上一個繁榮周期利潤率大幅上升，第一季度DRAM產業(yè)保持盈利狀態(tài)。上一個繁榮周期始于2009年第二季度，持續(xù)到一年以后結束。盡管DRAM平均銷售價格持續(xù)下降，但目前的周期符合歷史形態(tài)，隨著需求的起伏變化，芯片價格與DRAM廠商的利潤也隨之波動。

　　尤其是，預期中的成本下降將來自技術變化，DRAM芯片將越來越多地采用新型光刻設備和技術制造。從2010年第四季度到今年第一季度，推動光刻工藝變化的主要廠商是Inotera和Rexchip，前者的平均光刻節(jié)點橫跨至50納米，而后者則前進到了40納米。

　　IHS iSuppli公司的研究顯示，雖然DRAM成本下降可以來自光刻技術變化以外的其它因素，但那些額外考慮現(xiàn)在完全可以排除。其中一個因素是以擴大規(guī)模效益為目的的產能增長，該因素將受到限制，因為廠商將繼續(xù)對專門用于產能擴張的資本支出保持謹慎。另一個因素是運營效率，由于以前及目前的疲軟局面促使廠商的運營保持相對緊縮，該因素預計不會對未來的成本節(jié)省有太大影響。

　　IHS的估計顯示，隨著向4x納米的過渡明年徹底完成，成本下降勢頭將更加變弱。在2011年剩余時間內，每季度相對于光刻遷移的成本下降將達到6.5%，2012年縮窄到3.3%。隨著光刻遷移勢頭在未來幾個季度減弱，成本下降趨勢將反映這種變化——現(xiàn)在強勁，2012年減弱。