據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
IHS iSuppli公司的研究顯示,但從第二季度開始,預(yù)計DRAM產(chǎn)業(yè)對于光刻工藝遷移的態(tài)度將不再那么積極,成本下降速度也將變慢。第二季度lithography reduction將下降到5.2%,第三季度下降到4.8%,第四季度降到3.7%。相應(yīng)地,成本削減幅度也將在第二季度下降到12%,第三和第四季度分別降至9和4%,如圖2所示。
確實,DRAM產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷幾種轉(zhuǎn)變,例如許多供應(yīng)商進(jìn)行戰(zhàn)略性調(diào)整,擺脫商品類DRAM;建立新的制造與代工聯(lián)盟;繼續(xù)向40納米及更先進(jìn)的工藝遷移。IHS公司認(rèn)為,所有這些因素都將對供需關(guān)系產(chǎn)生影響,進(jìn)而影響利潤率和供應(yīng)商的利潤。
令人意外的是,由于上一個繁榮周期利潤率大幅上升,第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)保持盈利狀態(tài)。上一個繁榮周期始于2009年第二季度,持續(xù)到一年以后結(jié)束。盡管DRAM平均銷售價格持續(xù)下降,但目前的周期符合歷史形態(tài),隨著需求的起伏變化,芯片價格與DRAM廠商的利潤也隨之波動。
尤其是,預(yù)期中的成本下降將來自技術(shù)變化,DRAM芯片將越來越多地采用新型光刻設(shè)備和技術(shù)制造。從2010年第四季度到今年第一季度,推動光刻工藝變化的主要廠商是Inotera和Rexchip,前者的平均光刻節(jié)點(diǎn)橫跨至50納米,而后者則前進(jìn)到了40納米。
IHS iSuppli公司的研究顯示,雖然DRAM成本下降可以來自光刻技術(shù)變化以外的其它因素,但那些額外考慮現(xiàn)在完全可以排除。其中一個因素是以擴(kuò)大規(guī)模效益為目的的產(chǎn)能增長,該因素將受到限制,因為廠商將繼續(xù)對專門用于產(chǎn)能擴(kuò)張的資本支出保持謹(jǐn)慎。另一個因素是運(yùn)營效率,由于以前及目前的疲軟局面促使廠商的運(yùn)營保持相對緊縮,該因素預(yù)計不會對未來的成本節(jié)省有太大影響。
IHS的估計顯示,隨著向4x納米的過渡明年徹底完成,成本下降勢頭將更加變?nèi)酢T?011年剩余時間內(nèi),每季度相對于光刻遷移的成本下降將達(dá)到6.5%,2012年縮窄到3.3%。隨著光刻遷移勢頭在未來幾個季度減弱,成本下降趨勢將反映這種變化——現(xiàn)在強(qiáng)勁,2012年減弱。