成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射頻集成電路（RFIC）設(shè)計(jì)領(lǐng)域擁有自己的“獨(dú)門(mén)絕技”，這就是可提供基于砷化鎵（GaAs）工藝技術(shù)的高線(xiàn)性高效率射頻放大器。日前，該公司又推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP) 技術(shù)的全新功率放大器 (PA) 系列產(chǎn)品。新的HELP3DC AWT663x系列功率放大器是專(zhuān)門(mén)針對(duì)CDMA、WCDMA/HSPA和LTE設(shè)備中包含開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、DC/DC轉(zhuǎn)換器或包絡(luò)跟蹤IC進(jìn)行優(yōu)化，以便對(duì)功率放大器的工作電壓進(jìn)行控制。
ANADIGICS無(wú)線(xiàn)射頻產(chǎn)品事業(yè)部及營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Mahendra Singh告訴本刊記者，隨著我們推出針對(duì)無(wú)線(xiàn)設(shè)備中包括DC/DC轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的射頻功率管理設(shè)備而進(jìn)行優(yōu)化的全新HELP3DC系列，ANADIGICS正在不斷提高無(wú)線(xiàn)功率放大器的性能水平。該系列是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先且廣受好評(píng)的HELP產(chǎn)品家族的新成員，其為射頻設(shè)計(jì)者延長(zhǎng)電池使用時(shí)間提供了更多選擇，可使移動(dòng)設(shè)備用戶(hù)體驗(yàn)到移動(dòng)寬帶3G和4G服務(wù)的所有潛在功能。
Mahendra Singh介紹說(shuō)，SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器可使手機(jī)設(shè)計(jì)者降低功率放大器的工作電壓，從而在所選條件下降低平均電流消耗。ANADIGICS的HELP3DC功率放大器針對(duì)固定電源高低射頻功率級(jí)別設(shè)置了兩種功率模式，以實(shí)現(xiàn)更高效率。這些功率放大器還可提供超低靜態(tài)電流。HELP3DC系列功率放大器與外置DC/DC轉(zhuǎn)換器的結(jié)合使用為設(shè)計(jì)者帶來(lái)更多選擇，即在高低功率模式下均可降低電池電流消耗。包絡(luò)跟蹤設(shè)計(jì)可對(duì)功率放大器工作電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其滿(mǎn)足輸入射頻信號(hào)的要求。在包絡(luò)跟蹤設(shè)計(jì)中，HELP3DC功率放大器可實(shí)現(xiàn)業(yè)界一流的性能和效率。
Mahendra Singh說(shuō)，ANADIGICS HELP3DC的主要優(yōu)勢(shì)還體現(xiàn)在，兩種工作模式就可支持全功率射頻高效率輸出，單一控制信號(hào)。針對(duì)改變功率放大器工作電壓的射頻設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，從而降低電流消耗。它的低靜態(tài)電流在3.4 V下低于8 mA，并且在3.4 V下具有同類(lèi)最佳線(xiàn)性度 (ACLR1) 。與LTE兼容、與WCDMA、HSPA及HSPA+和CDMA/EVDO兼容，控制邏輯為1.8 V。ANADIGICS HELP3DC還集成了射頻耦合器、電壓調(diào)節(jié)和射頻端口上的集成隔直電容，封裝尺寸為3 mm × 3 mm × 1 mm 。
Mahendra Singh表示，ANADIGICS目前重點(diǎn)在做與MMMB（多模多頻）相關(guān)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，這也是未來(lái)高功率放大器發(fā)展的趨勢(shì)。同時(shí)保持與高通公司更加緊密的合作，開(kāi)發(fā)一些適合于高通參考設(shè)計(jì)方面的產(chǎn)品。ANADIGICS管理層希望該公司能成為市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，提到WCDMA、3G時(shí)，大家馬上就能想到ANADIGICS產(chǎn)品是做的最好的。
Mahendra Singh認(rèn)為，現(xiàn)在很多公司都在做CMOS PA，有些也比較成功。但是跟砷化鎵來(lái)比，性能上還是不如砷化鎵，比如說(shuō)效率還是沒(méi)有砷化鎵高。另外，CMOS目前來(lái)看也沒(méi)有砷化鎵穩(wěn)定性高，主要體現(xiàn)在生產(chǎn)的良率不夠高。當(dāng)然CMOS也有它的優(yōu)勢(shì)，比如成本比較低、體積小。另外產(chǎn)量相比砷化鎵更大。對(duì)ANADIGICS來(lái)說(shuō)，也有CMOS的產(chǎn)品，例如，PA里面有多級(jí)放大，前級(jí)、中級(jí)、后級(jí)。我們打算前級(jí)（推動(dòng)級(jí)）上用CMOS來(lái)做，后級(jí)還是用砷化鎵，這樣可以保證低成本的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)后級(jí)還可以提高輸出效率、穩(wěn)定性等指標(biāo)。所以，未來(lái)CMOS和砷化鎵會(huì)共存，一些低端的應(yīng)用，對(duì)成本要求比較高的可能會(huì)采用CMOS來(lái)做。對(duì)一些高端應(yīng)用，對(duì)性能要求比較高，還是會(huì)使用砷化鎵工藝技術(shù)。（叢秋波）