美國(guó)Dallas公司推出的串行接口實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片DSl302可對(duì)時(shí)鐘芯片備份電池進(jìn)行涓流充電。由于該芯片具有體積小、功耗低、接口容易、占用CPU I/0口線少等主要特點(diǎn)，故該芯片可作為實(shí)時(shí)時(shí)鐘,廣泛應(yīng)用于智能化儀器儀表中。
　　筆者在調(diào)試中發(fā)現(xiàn),在對(duì)DSl302編程中有幾個(gè)問題易被疏忽而導(dǎo)致錯(cuò)誤，現(xiàn)提供給讀者參考。
1 讀操作出現(xiàn)的錯(cuò)誤
　　按照參考文獻(xiàn)[2]的讀操作程序框圖和參考文獻(xiàn)[1]、[2]所敘述的可知：?jiǎn)巫止?jié)讀操作每次需16個(gè)時(shí)鐘，地址字節(jié)在前8個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿輸入，而數(shù)據(jù)字節(jié)在后8個(gè)時(shí)鐘周期的下降沿輸出。據(jù)此結(jié)合圖1的硬件連接圖編制出了如下的單字節(jié)讀程序：

　　DS_READ:SETB 　　P1.2 　??；令＝0。
　　　　CLR 　　P1.1 　　；令SCLK＝0。
　　　　CLR 　　P1.2 　?。涣?IMG height=19 alt="" hspace=0 src="http://files.chinaaet.com/old/uploadfiles/jishu/jslw/20090205085451671.gif" width=34 align=absMiddle border=0>＝1，啟動(dòng)芯片。
　　　　LCALL DS_WSUB 　?。粚?位地址。
　　　　LCALL DS_RSUB 　　；讀出8位數(shù)據(jù)。
　　　　RET
　　DS_WSUB:MOV 　　R7，#08H
　　WL00P: RRC 　　A　　　??；A為地址字節(jié)。
　　　　MOV 　　P1.0，C
　　　　SETB 　　P1.1　??；在時(shí)鐘上升沿
　　　　NOP　　　　　??；輸入地址字節(jié)。
　　　　CLR 　　P1.1
　　　　DJNZ R7,WL00P
　　　　RET
　　DS_RSUB:SETB 　　P1.0 　　；為讀數(shù)據(jù)作準(zhǔn)備。
　　　　MOV R7,#08H
　　RL00P：SETB 　　P1.1
　　　　NOP
　　　　CLR　　P1.1　??；在第9個(gè)正脈沖的下
　　　　MOV　　C，P1.0　?。唤笛亻_始輸出數(shù)據(jù)。
　　　　RRC　　A　　　?。籄中為讀出的數(shù)據(jù)。
　　　　DJNZ R7，RL00P
　　　　RET
　　若使用如下程序?qū)Sl302的RAM1(其內(nèi)容為5AH)進(jìn)行讀操作
　　READ：MOV A,#11000101B ；RAMl單元的讀地址。
　　　　　LCAll DS_READ ；調(diào)用讀子程序。
　　則程序執(zhí)行后A中的數(shù)據(jù)為2DH，顯然讀出的數(shù)據(jù)不正確。若再使用一條RL A指令調(diào)整后，則A中為5AH，結(jié)果才正確。由此說明：使用上述程序讀出的RAM1單元中的第0位數(shù)據(jù)實(shí)為第1位數(shù)據(jù)，讀出的第7位數(shù)據(jù)實(shí)為第0位數(shù)據(jù)。
　　經(jīng)筆者仔細(xì)研究時(shí)序圖和多次試驗(yàn)得知，問題的原因在于：對(duì)于讀操作時(shí)序，在SCLK出現(xiàn)第8個(gè)正脈沖時(shí)，上升沿輸入地址字節(jié)的最后一位數(shù)據(jù)，而在此正脈沖的下降沿就要輸出數(shù)據(jù)字節(jié)的第0位數(shù)據(jù)。然而筆者的程序中是在第9個(gè)正脈沖的下降沿才誤認(rèn)為輸出了數(shù)據(jù)字節(jié)的第0位數(shù)據(jù)，此位數(shù)據(jù)事實(shí)上是第二個(gè)下降沿輸出的，故實(shí)為數(shù)據(jù)字節(jié)的第1位數(shù)據(jù)。經(jīng)筆者實(shí)驗(yàn)：只要保持為高電平，如果超過8個(gè)下降沿，它們將重新從第0位輸出數(shù)據(jù)位，因程序中輸出的最后一位數(shù)據(jù)位，是第9個(gè)下降沿輸出的數(shù)據(jù)位，故實(shí)為數(shù)據(jù)字節(jié)的第0位數(shù)據(jù)位。
　　由此可見，單字節(jié)讀操作的時(shí)序圖如改為圖2所示時(shí)序圖，則讀者較容易理解可避免發(fā)生上述編程錯(cuò)誤。

　　只要將上述的DS_RSUB子程序改為如下的子程序即可解決上述問題：
　　DS_RSUBl：SETB P1.0　??；為讀數(shù)據(jù)作準(zhǔn)備
　　　　MOV R7，#08H
　　RL00P：　　CLR P1.1　　　?。籗CLK第8個(gè)正脈沖的
　　　　MOV C，P1.0　??；下降沿開始輸出數(shù)據(jù)。
　　　　RAC
　　　　SETB 　　P1.1
　　　　DJNZ 　　R7，RL00P
　　　　RET
2 禁止涓流充電出現(xiàn)的錯(cuò)誤
　　涓流充電寄存器(TCR)控制著DSl302的涓流充電特性。據(jù)參考文獻(xiàn)[1]、[2]介紹，寄存器的位(TCS)4～7決定著是否具備充電性能。僅在1010編碼的條件下才具備充電性能，其它編碼組合不允許充電。位2和3(DS)則在VCC2和VCC1之間選擇是一個(gè)還是兩個(gè)二極管串入其中。如果編碼是01，選擇一個(gè)二極管；如果編碼是10，選擇兩個(gè)；其它編碼將禁止充電。該寄存器的0和l位(RS)用于選擇與二極管相串聯(lián)的電阻值，其中編碼01為2kΩ；10為4kΩ；11為8kΩ；而00將不允許充電。筆者編制了如下的允許涓流充電的控制程序(選擇一個(gè)二極管,充電限流電阻為4kΩ)：
　　SETB 　　P1.2　　　?。涣?IMG height=19 alt="" hspace=0 src="http://files.chinaaet.com/old/uploadfiles/jishu/jslw/20090205085451671.gif" width=34 align=absMiddle border=0>＝0
　　CLR 　　P1.2 　　　?。涣頢CLK＝0
　　CLR 　　P1.2　　　??；令＝1
　　MOV 　　A,#90H　　　　；TCR的寫地址
　　LCALL DS_WSUB
　　MOV 　　A,#10100110B 　　；TCR的命令
　　LCALL DS_WSUB
　　用萬用表串入Vcc1與可充電池之間，執(zhí)行程序后，則有電流流過萬用表，表示充電正常。筆者通過將上述程序的第6句改為：MOV A,#10100010B，即置DS為00來禁止涓流充電器工作。執(zhí)行程序后，在Vcc1與電池之間串入萬用表，則仍有電流流過，表示尚未禁止充電。若將第6語(yǔ)句改為：MOV A,#10101110B，即置DS為11，執(zhí)行上述程序后情況仍如此。若將第6語(yǔ)句改為：
　　MOV A,#01010110B 即TCS≠1010
　　或：　　MOV A,#10100100B 即RS＝00則充電被禁止。
　　筆者誤認(rèn)為芯片損壞，換上另一新購(gòu)置的芯片，結(jié)果仍如此。隨即筆者取下圖1所示電路中的可充電池，換上一標(biāo)稱為10kΩ的電阻對(duì)芯片進(jìn)行了測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表1所示VCC2＝5V。