《電子技術(shù)應(yīng)用》
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頻率可自動調(diào)節(jié)的高線性度低通濾波器設(shè)計
摘要: 為提高在電力網(wǎng)載波通信系統(tǒng)中發(fā)射端低通濾波器的頻率響應(yīng)和線性度, 同時也為了節(jié)省成本, 文中給出了把低通濾波器放在芯片里面, 并通過使用電阻和MOS管級聯(lián)來組成一個可變電阻, 同時把MOS管放在反饋系統(tǒng)中來提高低通濾波器的線性度的低通濾波器的設(shè)計方法, 利用該方法設(shè)計的四階切比雪夫Ⅰ型低通濾波器的-3dB截止頻率為164kHz, 輸入輸出擺幅為1Vpp。
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    0 引言

  低頻低通濾波器通常有兩種形式, 一種是開關(guān)電容型濾波器, 另一種是連續(xù)時間型濾波器。開關(guān)電容型濾波器的截止頻率由時鐘頻率和電容的比值來決定, 所以非常精確。但是它有兩個缺點: 首先, 由于它的采樣特性, 使得它在輸入端需要抗混疊濾波器且在輸出端需要平滑濾波器;其次, 時鐘饋通效應(yīng)和電荷注入效應(yīng)會使濾波器的線性度變差。而連續(xù)型濾波器則沒有上述缺點, 所以成為低頻濾波器設(shè)計的主流。

  而低頻連續(xù)型低通濾波器的設(shè)計也有兩種形式: 一種是R-C-Opamp型, 這種實現(xiàn)形式在低頻應(yīng)用中, 為了實現(xiàn)大的時間常數(shù), 通常要用大的電阻和電容, 故會占用大量芯片面積并增加成本; 而且, 由于截止頻率是由電阻和電容的絕對值來確定, 故在電壓、工藝和溫度變化時會有很大的偏差, 所以, 必須用很多控制字來調(diào)節(jié)截止頻率, 而這又增加了設(shè)計的復(fù)雜度; 另一種是RMOS-C-Opamp型, 這種結(jié)構(gòu)用電阻和MOS管來實現(xiàn)可變電阻, 不僅能夠降低芯片面積, 而且還能實現(xiàn)截止頻率的自動調(diào)節(jié)。

  本文采用R-MOS-C-Opamp型結(jié)構(gòu)來實現(xiàn),并且把可變電阻中的MOS管部分放在反饋系統(tǒng)中, 因而進(jìn)一步提高了濾波器的線性度。而在截至頻率的自動調(diào)節(jié)方面, 則利用開關(guān)電容電路來實現(xiàn)精確時間常數(shù)控制, 從而構(gòu)成了一個簡單而精確的主從型調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)。

  1 可變電阻的實現(xiàn)

  差分型可變電阻的實現(xiàn)可由四個處在線性區(qū)的MOS管M1, M2, M3, M4來實現(xiàn), 圖1所示是差分型可變電阻的實現(xiàn)原理圖。這種結(jié)構(gòu)在理想匹配的情況下具有良好的線性度, 但是, 這種理想的情況在實際中是不存在的, MOS管之間的不匹配限制了它的線性度。其等效電阻的計算如式(1) 所示:


 

  式中, Gi是處在線性區(qū)的MOS管Mi的跨導(dǎo),其計算公式如下:


 

差分型可變電阻原理圖
 

圖1 差分型可變電阻原理圖

  為了提高線性度, 本文采用改進(jìn)型R-MOS結(jié)構(gòu), 圖2所示是其原理圖。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是電阻和MOS管之間的分壓作用可使MOS管兩端的電壓變小, 從而改善圖1中的線性度。在這種結(jié)構(gòu)中, 處于線性區(qū)的MOS管更像一個電流舵器件而不是一個電阻器件。它的等效電阻如下:


改進(jìn)型R-MOS可變電阻原理圖
 

圖2 改進(jìn)型R-MOS可變電阻原理圖

  式中, 是M1、M2、M3、M4的平均跨導(dǎo), VCM是由自動調(diào)節(jié)電路確定的控制共模電壓。其計算公式如下:


  2 高線性度低通濾波器的設(shè)計

  2.1 基于反饋的線性度提高技術(shù)

  濾波器是由積分器實現(xiàn)的。當(dāng)積分器有兩個輸入時, 通常會形成反饋。圖3所示是應(yīng)用線性度提高技術(shù)的一階濾波器結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)把由MOS和運放組成的積分器看成一個整體, 它的環(huán)路增益為, 這個增益在低頻時和運放的直流增益相等, 故其整體傳輸函數(shù)如下:


 


 

圖3 R-MOS-C一階濾波器結(jié)構(gòu)圖

  從這個傳輸函數(shù)可以看出, 它的線性度依賴于電阻R2/R1的相對比值。式子的右邊形成了T/T+1的形式, 這就意味著由于MOS管所引入的非線性位于反饋環(huán)路的里面, 環(huán)路增益T=A (R1||ZX)/(R1||ZX+R2) 在濾波器的帶寬內(nèi)有效減小了MOS管的Vds, 從而提高了線性度。但是, 這種線性度的提高會隨著輸入頻率的增加而減弱。當(dāng)輸入信號頻率到達(dá)濾波器的截止頻率時, 環(huán)路增益T將變成單位1, 從而失去提高線性度的作用。

  2.2 自動調(diào)節(jié)電路

  本文所設(shè)計的自動調(diào)節(jié)電路利用開關(guān)電容來實現(xiàn)精確時間常數(shù)的控制, 從而實現(xiàn)一個主從結(jié)構(gòu)的自動調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)。其結(jié)構(gòu)如圖4所示。圖4上面的部分左邊是連續(xù)時間通路和開關(guān)電容通路, 連續(xù)時間通路的時間常數(shù)是ReqCint, 開關(guān)電容通路的時間常數(shù)是Cint/fclkC1。兩個時間常數(shù)的差會反映成積分器的輸出端電壓, 這個電壓通過右面的電路可形成電流舵MOS管的控制電壓Vc+和Vc-,從而改變連續(xù)時間通路的時間常數(shù)。當(dāng)平衡時,Req=1/fclkC1。圖4下面的部分用來確定電流舵MOS管控制電壓的共模部分??刂齐妷旱墓材cm是由電壓的比例常數(shù)F來確定的。在整個環(huán)路中, 要設(shè)計一個大的時間常數(shù)RpCp并使其成為環(huán)路的主極點, 以穩(wěn)定整個環(huán)路。

  頻率調(diào)節(jié)電路圖

 

圖4 頻率調(diào)節(jié)電路圖

  2.3 濾波器結(jié)構(gòu)

  根據(jù)電力網(wǎng)載波通信系統(tǒng)對濾波器的指標(biāo)要求, 結(jié)合線性度提高技術(shù)和自動調(diào)節(jié)技術(shù), 本文所設(shè)計的四階切比雪夫Ⅰ型低通濾波器的結(jié)構(gòu)如圖5所示。圖中帶交叉箭頭的盒子代表電流舵MOS管組成的可變電阻。該電路在設(shè)計時同時采用了動態(tài)范圍優(yōu)化技術(shù)。

四階切比雪夫Ⅰ型低通濾波器結(jié)構(gòu)圖

圖5 四階切比雪夫Ⅰ型低通濾波器結(jié)構(gòu)圖

  3 仿真結(jié)果分析

  本文介紹的整個濾波器的設(shè)計是在SMIC0.18 -um CMOS 工藝下完成的, 設(shè)計面積為545μm×290μm。濾波器的頻率響應(yīng)如圖6所示。

  在PVT變化時, -3dB截止頻率在164kHz~167kHz內(nèi)變化, 可滿足系統(tǒng)的指標(biāo)要求。

 濾波器的頻率響應(yīng)圖

圖6 濾波器的頻率響應(yīng)圖

  4 結(jié)束語

  通過仿真結(jié)果顯示, 本文的設(shè)計方案, 無論是在頻率自動調(diào)節(jié)和響應(yīng), 還是在濾波器的線性度方面, 均可滿足系統(tǒng)的設(shè)計指標(biāo)要求。因而是一種可行的設(shè)計方案。

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