頭條 2025Q3數(shù)據(jù)中心GPU出貨環(huán)比暴增145% 11 月 25 日消息，機(jī)構(gòu) Jon Peddie Research (JPR) 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其 2025Q3 市場(chǎng)觀察報(bào)告，上季度全球數(shù)據(jù)中心 GPU 出貨規(guī)模環(huán)比增幅達(dá) 145%，而 PC GPU（含獨(dú)顯與核顯）出貨則呈現(xiàn)溫和增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，環(huán)比 +2.5%、同比 +4%。 最新資訊 美國(guó)將長(zhǎng)江存儲(chǔ)、寒武紀(jì)、上海微等36家中企列入實(shí)體清單 2022 年12 月15 日晚間，美國(guó)商務(wù)部決定將包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、寒武紀(jì)、上海集成電路電路研發(fā)中心、上海微電子、深圳鵬芯微等在內(nèi)的36 家中國(guó)實(shí)體（包括一家長(zhǎng)江存儲(chǔ)日本子公司） 加入實(shí)體清單。 發(fā)表于：2022/12/18 壞消息：臺(tái)積電停止SRAM微縮！卡在了5納米！ 根據(jù)WikiChip的一份報(bào)告，臺(tái)積電的SRAM微縮速度已經(jīng)大大放緩。當(dāng)涉及到全新的制造節(jié)點(diǎn)時(shí)，我們希望它們能夠提高性能、降低功耗并增加晶體管密度。但是，盡管邏輯電路在最近的工藝技術(shù)中得到了很好的擴(kuò)展，但SRAM單元一直落后，顯然在臺(tái)積電的3nm級(jí)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)上幾乎停止了微縮。對(duì)于未來(lái)的CPU、GPU和SoC來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)主要問題，由于SRAM單元區(qū)域微縮緩慢，它們可能會(huì)變得更加昂貴。 發(fā)表于：2022/12/18 高通看好RISC-V前景，暗諷Arm已過(guò)時(shí) 正與Arm進(jìn)行專利訴訟的高通近日表示RISC-V將會(huì)擁有更廣闊的未來(lái)，并暗諷Arm 是過(guò)時(shí)的傳統(tǒng)架構(gòu)，不僅具備一些無(wú)用的功能，且還無(wú)法滿足某些設(shè)計(jì)需求。 發(fā)表于：2022/12/18 富士康出售紫光集團(tuán)全部股權(quán)！ 鴻海昨日晚間重磅公告，全數(shù)出售北京智廣芯控股有限公司及紫光集團(tuán)有限公司持有的股權(quán)。 發(fā)表于：2022/12/18 韓國(guó)本土半導(dǎo)體廠商開發(fā)石墨烯技術(shù)，提高生產(chǎn)良率 12月15日消息，據(jù)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)本土的半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商——石墨烯實(shí)驗(yàn)室 (Graphene Lab) 開發(fā)出了基于石墨烯制造的EUV光罩保護(hù)膜 (Pellicle) ，有望顯著提高ASML的極紫外光 (EUV) 系統(tǒng)生產(chǎn)芯片的良率。 發(fā)表于：2022/12/18 曝三星向華為轉(zhuǎn)讓上百項(xiàng)美國(guó)專利 據(jù)媒體報(bào)道，日前，三星向華為轉(zhuǎn)讓了98項(xiàng)美國(guó)專利。 發(fā)表于：2022/12/18 中國(guó)首個(gè)原生Chiplet小芯片標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布 據(jù)報(bào)道，在16日舉辦的“第二屆中國(guó)互連技術(shù)與產(chǎn)業(yè)大會(huì)”上，首個(gè)由中國(guó)集成電路領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)和專家共同主導(dǎo)制定的《小芯片接口總線技術(shù)要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式通過(guò)工信部中國(guó)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)的審定并發(fā)布。 發(fā)表于：2022/12/18 曝臺(tái)積電1nm新廠最早或于2026年動(dòng)工 業(yè)內(nèi)分析稱，臺(tái)積電1奈米廠最快2026年中可開始動(dòng)土，最快2027年試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)。 發(fā)表于：2022/12/18 芯片設(shè)計(jì)公司最新排名：韋爾半導(dǎo)體第十！ 近日，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce公布2022年第三季全球十大IC設(shè)計(jì)企業(yè)排名，高通依然保持龍頭位置，博通超車NVIDIA（英偉達(dá)）與AMD（超微）至排名第二，NVIDIA與AMD因個(gè)人電腦與挖礦需求疲弱，排名分別下滑至第三與第四。 發(fā)表于：2022/12/18 Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評(píng)估數(shù)據(jù) 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對(duì)其氮化鎵功率管的最新可靠性評(píng)估數(shù)據(jù)。評(píng)估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過(guò)850億小時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用數(shù)據(jù)，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F(xiàn)有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評(píng)估中，這一失效率是業(yè)界報(bào)道過(guò)的最好的評(píng)估結(jié)果之一。 發(fā)表于：2022/12/18 ?…314315316317318319320321322323…?
