頭條 “网络安全”再次成为众多两会代表提案的关键词 今年的两会已落下帷幕，“没有网络安全就没有国家安全”，“网络安全”再次成为众多代表委员提案和议案中的关键词。随着网络的飞速发展，网络信息安全问题已对国家、社会及个人造成巨大威胁。 下面就一起看看对于解决所面临的网络安全问题，代表委员们都有哪些好的建议。 最新資訊 英飞凌发布新一代氮化镓产品矩阵 随着低碳节能需求的不断释放，第三代半导体产品逐步获得广泛应用。借助手机、家电等消费电子领域的成功，氮化镓目前正逐渐进入高价值应用场景如AI服务器、汽车等热门市场，这些领域的投资回报率和利润率高于消费市场，从而不断吸引功率半导体大厂的注意力。日前，英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生，详细介绍了该公司在氮化镓领域的业务布局和新一代产品方阵。 發(fā)表于：2024/8/13 英飞凌推出PSOC™ Control MCU系列 【2024年8月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）近日推出全新PSOC™ Control微控制器（MCU）系列。该系列适用于新一代工业和消费电机控制以及功率转换系统应用，包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器，以及照明和计算/通信电源等。 發(fā)表于：2024/8/13 艾迈斯欧司朗成立中国发展中心，推动区域业务拓展 中国 上海，2024年8月12日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，已正式启动中国研发中心（China Development Center，以下简称CDC），旨在推动大中华区的业务增长和技术创新。 發(fā)表于：2024/8/13 上半年国内乘用车座舱芯片交付榜公布 8月13日消息，根据高工智能汽车研究院最新发布的《2024上半年中国市场乘用车座舱芯片交付量TOP10》榜单。 华为海思作为本土品牌，在激烈的市场竞争中表现出色，成功跻身前十，交付量达到225898辆，市场份额为1.42%。 發(fā)表于：2024/8/13 复旦团队国际首次验证超快闪存集成工艺 8 月 13 日消息，据复旦大学官方今日消息，人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存。然而，如何实现规模集成、走向实际应用极具挑战。 从界面工程出发，复旦大学团队在国际上首次验证了 1Kb 超快闪存阵列集成验证，并证明了超快特性可延伸至亚 10 纳米尺度。北京时间 8 月 12 日下午 5 点，相关成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）为题发表于国际顶尖期刊《自然-电子学》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 發(fā)表于：2024/8/13 把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新 把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新 發(fā)表于：2024/8/13 网信办：我国备案上线可提供服务生成式AI大模型达190多个 网信办：我国备案上线可提供服务生成式AI大模型达190多个8月12日，新华社对中央网信办主任庄荣文的访谈文章引起了业界的广泛关注，特别是庄荣文对积极推动生成式人工智能发展和管理方面的问答。 庄荣文有提到，近年来，生成式人工智能快速发展，新技术不断突破，新业态持续涌现，为经济社会发展注入了强劲动能。 發(fā)表于：2024/8/13 传台积电将在高雄建设1.4nm晶圆厂 因应全球芯片订单及AI快速发展，台积电持续寻觅可用厂区土地，将最先进制程技术留在台湾发展。高雄楠梓园区除3座2纳米技术晶圆厂外，还有基地可容纳2纳米以下技术设厂需求。据悉，高雄市府已超前部署，锁定A14（14埃米）制程，盘点次世代先进技术生产土地及水电供给，作为台积电坚强后盾。 针对台积电将于高雄扩大埃米制程布局，公司低调表示不回应市场传言。 發(fā)表于：2024/8/13 禾赛科技被移除出美国防部黑名单 中国激光雷达企业被移除出美国防部黑名单 發(fā)表于：2024/8/13 消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。 平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。 發(fā)表于：2024/8/13 <…922923924925926927928929930931…>
