頭條 “网络安全”再次成为众多两会代表提案的关键词 今年的两会已落下帷幕，“没有网络安全就没有国家安全”，“网络安全”再次成为众多代表委员提案和议案中的关键词。随着网络的飞速发展，网络信息安全问题已对国家、社会及个人造成巨大威胁。 下面就一起看看对于解决所面临的网络安全问题，代表委员们都有哪些好的建议。 最新資訊 东芝推出输出耐压为900 V的小型封装车载光继电器 中国上海，2024年10月24日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出一款输出耐压为900 V（最小值）的车载光继电器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封装，非常适合400 V车载电池应用。现已开始批量供货。 發(fā)表于：2024/10/29 Melexis创新推出集成唤醒功能的汽车制动踏板位置传感器芯片方案 2024年10月24日，比利时泰森德洛——全球微电子工程公司Melexis宣布，推出MLX90424，这是一款简化汽车刹车踏板传感过程的经济高效的解决方案。为实现功能安全，该产品将两个位置传感器芯片和一个唤醒开关集成于单一封装组件中。此外，该解决方案能够直接由12V电源供电，并实现高达30mm的线性位移精确测量。 發(fā)表于：2024/10/29 大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC 整流器参考设计方案 2024年10月24日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STM32G474RET3 MCU、STPSC40H12C SiC肖特基二极管、SCT018W65G3-4AG SiC MOSFET和STGAP2SICS电流隔离驱动器IC的30kW Vienna PFC整流器参考设计方案（STDES-30KWVRECT）。 發(fā)表于：2024/10/29 Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年10月24日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns。 發(fā)表于：2024/10/29 英诺天使基金李竹：智能终端及机器人产业会引领AI的落地和应用 英诺天使基金创始合伙人李竹在柳州市智能终端及机器人产业发展合作大会上表示，智能终端和机器人方向，代表了新质生产力，是人工智能领域具身智能的重点应用，是目前的前沿科技方向，发展前景广阔。 發(fā)表于：2024/10/29 Gartner发布2025年CIO需关注的十大战略性IT数字化技术趋势 Gartner发布2025年企业机构需要探索的十大战略技术趋势。 Gartner研究副总裁高挺（Arnold Gao）表示：“今年的重要战略技术趋势涵盖了AI的必要事项和风险，以及计算技术和人机协同等前沿趋势。追踪这些趋势将帮助IT领导者以负责任、和合乎道德的创新方式塑造企业机构的未来。” 發(fā)表于：2024/10/29 Intel第一份分解式GPU设计专利曝光 10月29日消息，Intel首款采用Chiplets（芯粒）设计的桌面处理器Arrow Lake——酷睿Ultra 200S全球首发之后，其第一份“分解式”GPU设计专利也随之曝光。 本月早些时候，Intel申请了一份分解式GPU架构的专利，这可能是第一个具有逻辑小芯片的商业GPU架构。 發(fā)表于：2024/10/29 三诺上榜“2024深圳企业500强” 近日,深圳市企业联合会、深圳市企业家协会正式发布“2024深圳企业500强榜单”及《2024深圳500强企业发展报告》。深圳市三诺投资控股有限公司(简称三诺)凭借强大稳健的综合实力荣耀上榜,这已是三诺连续多年荣登该榜单,并且三诺还荣登“2024深圳500强企业国际化发展TOP100”细分榜单。此次入选是对三诺经营成绩、创新活力与发展潜力的高度认可。 發(fā)表于：2024/10/29 报道称美议员敦促审查中国硅光技术可能带来的威胁 北京时间10月29日消息 路透社近日报道称，一个由美国两党议员组成的团体敦促美国商务部审查中国开发硅光子技术对美国国家安全造成的威胁。硅光是一个快速发展的领域，可以加速人工智能的发展 硅光子的核心是依靠光，而不是电信号在计算机系统内部传输信息，可用于连接数以万计计算机芯片的人工智能系统。 發(fā)表于：2024/10/29 一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密 针对远山半导体D-Mode GaN HEMT器件的测试样品,广电计量完成了一系列静态和动态的参数测试。测试结果显示,远山半导体DFN封装形式的Gan HEMT器件通过了1200V高耐压测试,并且展现出了极低的界面电容、优良的热阻和极快的开关速度,同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。各项性能指标均达到行业领先水平,意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势,有更强的市场竞争力。 發(fā)表于：2024/10/29 <…791792793794795796797798799800…>
