內(nèi)容簡介：基于半導(dǎo)體工藝與器件模擬工具（TCAD）提出并仿真了一種基于緩變組分AlGaN和InGaN復(fù)合溝道的高線性GaN HEMT器件，該結(jié)構(gòu)的復(fù)合溝道層形成了三維電子氣和二維電子氣雙溝道分布，器件柵壓擺幅高達4.1 V，比常規(guī)突變異質(zhì)結(jié)HEMT提高2.2 V。器件跨導(dǎo)的二階導(dǎo)數(shù)的峰值比常規(guī)器件的低大約56%，顯示其優(yōu)越的抑制三階互調(diào)的能力。另外，還探究了自熱效應(yīng)對器件線性度的影響。所提出的器件結(jié)構(gòu)在高線性應(yīng)用領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。