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英特尔下代AI芯片将采用SK海力士HBM4
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三星电子加入SOCAMM内存模块战场
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三星电子1c nm DRAM内存工艺开发完成
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英伟达在SK海力士HBM内存销售额占比降至80%
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美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免”
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SK海力士已向英伟达小批量供应HBM4
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SK海力士暂缓1c DRAM内存量产设备采购
發(fā)表于：2025/6/17 下午1:22:57
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美光与SK海力士等美国建厂计划受阻
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任天堂Switch 2拆解：关键芯片供应商曝光
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SK海力士发布未来30年新DRAM技术路线图
發(fā)表于：2025/6/10 下午1:38:27
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2025Q1全球DRAM市场下滑5.5%
發(fā)表于：2025/6/4 上午11:22:06
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五大NAND闪存厂Q1营收暴跌近1/4
發(fā)表于：2025/5/30 上午9:24:54
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消息称SK海力士计划10月量产12Hi HBM4内存
發(fā)表于：2025/5/28 下午1:15:01
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HBM4制造难度及成本将更高
發(fā)表于：2025/5/23 下午1:19:13
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三星押注1c DRAM挑战SK海力士HBM霸主地位
發(fā)表于：2025/5/23 上午10:39:50
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SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
發(fā)表于：2025/5/22 下午1:09:00
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消息称三星等5大原厂集体减产10~15%NAND
發(fā)表于：2025/5/20 下午2:02:06
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三星电子和SK海力士正在加速将混合键合技术引入HBM4
發(fā)表于：2025/5/9 上午10:34:24
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SK海力士DRAM颗粒大涨12%
發(fā)表于：2025/5/7 上午9:08:26
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三星计划三年内量产V-DRAM
發(fā)表于：2025/4/29 上午9:16:17
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SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4
發(fā)表于：2025/4/28 上午11:25:58
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DDR4市场生变 美光紧随三星削减产能
發(fā)表于：2025/4/24 上午9:38:17
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB产品客户验证
發(fā)表于：2025/4/23 上午9:54:45
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韩国将半导体产业支持资金增至230亿美元
發(fā)表于：2025/4/15 下午6:25:03
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消息称SK海力士拆分HBM封装产品开发团队
發(fā)表于：2025/4/14 下午9:27:43
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SK海力士大连二厂、台积电日本熊本二厂纷纷建设延期
發(fā)表于：2025/4/14 下午7:16:33
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SK海力士首次超越三星成为全球第一大DRAM供应商
發(fā)表于：2025/4/9 下午8:23:02
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消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80%
發(fā)表于：2025/4/8 下午9:15:35
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消息称SK海力士封装厂产线升级 HBM月产能新增1万片晶圆
發(fā)表于：2025/4/3 上午9:27:06
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SK海力士已完成收购英特尔NAND业务部门的最终阶段交易
發(fā)表于：2025/3/28 上午11:33:53
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