MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
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標簽： 光傳輸網(wǎng)絡
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文檔介紹：MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能Carl Blake, 國際整流器公司     一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。   MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能.pdf
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