19~21 GHz GaAs高線性功率放大器MMIC
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>5134 K
標(biāo)簽： 自適應(yīng)穩(wěn)壓偏置 冷模 高線性
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文檔介紹：基于0.15 μm GaAs高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝研制了一款19~21 GHz的高線性功率放大器單片微波集成電路。高峰均比信號(hào)傳輸場(chǎng)景中，功率放大器的效率和線性度對(duì)射頻前端性能具有關(guān)鍵影響。該放大器在功放柵極級(jí)聯(lián)冷模線性化電路，以補(bǔ)償放大器輻相失真特性，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)線性度和效率的提升，為克服冷模對(duì)電壓敏感問題，采用片上有源穩(wěn)壓及溫度補(bǔ)償偏置電路擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍，降低大動(dòng)態(tài)失真，抑制工藝離散、外部離散等帶來的線性度惡化問題。測(cè)試結(jié)果表明，在19~21 GHz頻帶內(nèi)，飽和輸出功率為22.3~22.8 dBm，飽和功率附加效率為35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz頻點(diǎn)，輸出功率19 dBm時(shí)，三階互調(diào)失真均小于-30 dBc；6 dB峰均比、100 MHz正交頻分多路復(fù)用的64-QAM調(diào)制信號(hào)激勵(lì)下，平均輸出功率及對(duì)應(yīng)的功率附加效率為19 dBm和27%，實(shí)現(xiàn)了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的鄰道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的誤差矢量幅度。
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