针对总剂量效应4H-SiC功率器件的加固设计方法
所屬分類：技术论文
上傳者：wwei
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標(biāo)簽： 4H-SiC 器件 总剂量效应 电路加固
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文檔介紹：介绍了总剂量效应对4H-SiC功率器件的影响以及对应的加固方案。首先介绍了4H-SiC功率器件的电气特性以及工作时面临的辐照环境。接着根据辐射对器件特性的影响，识别辐射缺陷，并建立了退化机制。然后，分析了单极性器件和双极性器件的辐照的特性。最后，针对器件在辐照环境中的退化机理，分别从工艺、器件结构、版图与电路方面提出了加固设计方法。
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