一種電子標(biāo)簽的加速壽命試驗(yàn)可靠性預(yù)測方法研究
所屬分類:技術(shù)論文
上傳者:wwei
文檔大?。?span>3747 K
標(biāo)簽: 壽命加速 激活能 性能退化
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文檔介紹:隨著微電子元器件設(shè)計(jì)能力和工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,器件的可靠性和壽命不斷增加。射頻識別電子標(biāo)簽具有需求量大、應(yīng)用范圍廣、地域(使用溫度)跨度大等特點(diǎn),這就對產(chǎn)品本身的可靠性提出了較高的要求,研究器件在高低溫下的退化特性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義?;贏rrhenius理論提出了一種快速計(jì)算電子標(biāo)簽激活能的方法,對電子標(biāo)簽進(jìn)行短時間的壽命加速試驗(yàn),通過標(biāo)簽電場強(qiáng)度性能的退化數(shù)據(jù)預(yù)測壽命情況,快速求解電子標(biāo)簽的激活能,進(jìn)而計(jì)算出不同溫度條件下的加速因子,為電子標(biāo)簽在不同壽命評價標(biāo)準(zhǔn)下的加速試驗(yàn)時間提供理論依據(jù)。
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