基于體硅MEMS工藝的射頻微系統(tǒng)沖擊特性仿真研究*
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>4394 K
標(biāo)簽： 體硅MEMS 射頻微系統(tǒng) 沖擊
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文檔介紹：高過(guò)載沖擊試驗(yàn)成本高、周期長(zhǎng)，同時(shí)失效檢測(cè)手段較少，難以定位結(jié)構(gòu)薄弱點(diǎn)。針對(duì)體硅工藝MEMS（Micro-electromechanical System）射頻微系統(tǒng)，采用沖擊響應(yīng)譜與瞬態(tài)動(dòng)力學(xué)方法，研究板級(jí)與試驗(yàn)條件下的高沖擊載荷響應(yīng)。仿真結(jié)果表明，該射頻微系統(tǒng)能夠承受高沖擊過(guò)載，仿真結(jié)果可提前預(yù)判結(jié)構(gòu)失效點(diǎn)，提高產(chǎn)品抗沖擊可靠性。
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