基于體硅MEMS工藝的射頻微系統(tǒng)沖擊特性仿真研究* | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:wwei | |
文檔大?。?span>4394 K | |
標簽: 體硅MEMS 射頻微系統(tǒng) 沖擊 | |
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文檔介紹:高過載沖擊試驗成本高、周期長,同時失效檢測手段較少,難以定位結(jié)構(gòu)薄弱點。針對體硅工藝MEMS(Micro-electromechanical System)射頻微系統(tǒng),采用沖擊響應(yīng)譜與瞬態(tài)動力學方法,研究板級與試驗條件下的高沖擊載荷響應(yīng)。仿真結(jié)果表明,該射頻微系統(tǒng)能夠承受高沖擊過載,仿真結(jié)果可提前預(yù)判結(jié)構(gòu)失效點,提高產(chǎn)品抗沖擊可靠性。 | |
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