測(cè)不對(duì)SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)波形的6大原因
所屬分類：白皮書
上傳者：zhoubin333
文檔大?。?span>4268 K
標(biāo)簽： SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)波形
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：很多電源工程師剛剛接觸 SiC MOSFET 不久，往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量上遇到問(wèn)題，即測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導(dǎo)致搞不清楚是器件的問(wèn)題還是電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，進(jìn)而耽誤開發(fā)進(jìn)度。 我們將向您介紹 6 種由于測(cè)試問(wèn)題而導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)電壓離譜的原因。
現(xiàn)在下載
VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。