一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计
所屬分類：技术论文
上傳者：serena
標(biāo)簽： 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数
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文檔介紹： 摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.
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