MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)和時間功耗計算 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:serena | |
標(biāo)簽: MOS | |
所需積分:1分積分不夠怎么辦? | |
文檔介紹: MOS關(guān)模型 Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是耗盡區(qū)電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結(jié)電容,也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們在實際應(yīng)用的時候需要修改Cgd的值。 | |
現(xiàn)在下載 | |
VIP會員,AET專家下載不扣分;重復(fù)下載不扣分,本人上傳資源不扣分。 |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2