COOLMOS 原理結(jié)構(gòu) | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:serena | |
標(biāo)簽: CoolMOS EPI | |
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文檔介紹: 看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來,與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下: 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? | |
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