COOLMOS 原理結(jié)構(gòu)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： CoolMOS EPI
所需積分：1分積分不夠怎么辦？
文檔介紹： 看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。