2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:serena | |
標簽: 低噪聲放大器 | |
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文檔介紹: 利用pHEMT工藝設計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設計的ATF-54143晶體管,電路采用二級級聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式,利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配,通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計,最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB,噪聲小于1.2 dB,輸出電壓駐波比小于2,達到了設計指標的要求。 | |
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