頭條 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日,德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(總部位于德國(guó)諾伊比貝格,以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)今日宣布,與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 最新資訊 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗之探討 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。 發(fā)表于:9/26/2010 一種集成式PFC/PWM組合解決方案 電源工程師一直都在尋找既能實(shí)現(xiàn)一系列電路保護(hù)功能,又可以使電源符合愈來(lái)愈嚴(yán)格效率規(guī)范的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)方法。本文將探討一個(gè)結(jié)合了boost功率因數(shù)校正轉(zhuǎn)換器與雙管正激式脈寬調(diào)控轉(zhuǎn)換器的高集成度半導(dǎo)體解決方案,只需極少數(shù)外部元件,就可以擁有多種電路保護(hù)功能與補(bǔ)償功能,并符合IEC-1000-3-2規(guī)范。 發(fā)表于:9/26/2010 控制板中的EMC解決方法 電磁兼容是小家電的一個(gè)重要衡量標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。由于小家電的種類繁多,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,因此,對(duì)其共性技術(shù)的研究極為重要。本文對(duì)小家電共有部件的EMS進(jìn)行了分析。相信這些分析對(duì)于其它的小家電的電磁兼容研究也具有一定的意義。 發(fā)表于:9/26/2010 PCB的電磁兼容設(shè)計(jì) 在PCB設(shè)計(jì)中,電磁兼容問(wèn)題日益突出,本文分析了PCB中常見(jiàn)電磁干擾的成因,從PCB布局、電源線、地線等幾個(gè)方面總結(jié)了改進(jìn)PCB電磁兼容性能的方法。 發(fā)表于:9/26/2010 適用于便攜設(shè)備的LED驅(qū)動(dòng)器方案 本文著重介紹了安森美半導(dǎo)體采用不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、用于低壓便攜設(shè)備背光或指示器應(yīng)用的各種白光或RGB LED驅(qū)動(dòng)器,并專門介紹了安森美半導(dǎo)體用于要求大電流能力的便攜設(shè)備閃光應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器,以及集成了多種功能的照明管理集成電路和針對(duì)扣式電池優(yōu)化了的LED驅(qū)動(dòng)器,方便工程師結(jié)合具體應(yīng)用選擇適合的產(chǎn)品。 發(fā)表于:9/26/2010 變壓器繞制工藝解密 許多的工程師對(duì)變壓器的繞制工藝把握不準(zhǔn),導(dǎo)致做出來(lái)的產(chǎn)品,反復(fù)的調(diào)試才能符合初始的設(shè)計(jì)參數(shù)要求,變壓器的工藝設(shè)計(jì)涉及到的東西很多,下面我就這個(gè)問(wèn)題向達(dá)家介紹一下各種繞制工藝對(duì)電源各項(xiàng)參數(shù)的影響,希望能對(duì)大家有鎖幫助。 發(fā)表于:9/26/2010 蓄電池在線監(jiān)測(cè)技術(shù)應(yīng)用 變電站蓄電池作為備用電源在電力系統(tǒng)中起著極其重要的作用,在交流電失電或其它事故狀態(tài)下蓄電池組一旦出現(xiàn)問(wèn)題,供電系統(tǒng)將面臨癱瘓,造成設(shè)備停運(yùn)及其它重大運(yùn)行事故。近年隨著閥控式密封鉛酸蓄電池(以下簡(jiǎn)稱閥控蓄電池電池)在電力系統(tǒng)的廣泛使用,由蓄電池故障而引發(fā)的事故時(shí)有發(fā)生,甚至造成著火、全站停電。閥控蓄電池由于特殊的閥控式密封結(jié)構(gòu),使得我們無(wú)法準(zhǔn)確掌握蓄電池的健康狀況,其“免維護(hù)”的這一優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為電池運(yùn)行管理中的缺點(diǎn)和難點(diǎn)。 發(fā)表于:9/26/2010 教你應(yīng)對(duì)電壓開(kāi)關(guān)中常見(jiàn)的挑戰(zhàn) 設(shè)計(jì)自動(dòng)化的測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)關(guān)需要搞清楚要開(kāi)關(guān)信號(hào)和要執(zhí)行測(cè)試的特點(diǎn)。例如,在測(cè)試應(yīng)用中承受開(kāi)關(guān)電壓信號(hào)的最合適的開(kāi)關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。 中等大小電壓應(yīng)用(1V到200V)通常要把一個(gè)伏特計(jì)或電壓源切換到多個(gè)器件,例如測(cè)試電池、電化電池、電路配件、熱電偶等。切換多個(gè)電源和切換多個(gè)負(fù)載各自分別存在相應(yīng)的問(wèn)題。 發(fā)表于:9/26/2010 用MOSFET方案提高功率CMOS器件功效 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn),新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。 發(fā)表于:9/26/2010 如何降低有源音箱噪音 有源音箱的噪音主要來(lái)源于三種:電磁干擾,電線干擾及機(jī)械雜音及熱噪聲,本文將介紹如何預(yù)防及降低這些噪音的方法。 發(fā)表于:9/26/2010 ?…1633163416351636163716381639164016411642…?