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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平

  美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年3月14日 —日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高功率密度和能效的同時,增強(qiáng)熱性能,減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

發(fā)表于:3/25/2024 4:47:00 PM

嘉楠基于RISC-V的端側(cè)AIoT SoC采用了芯原的ISP IP和GPU IP

  2024年3月14日,中國上?!驹煞荩ㄐ驹善贝a:688521.SH)今日宣布嘉楠科技(嘉楠,納斯達(dá)克股票代碼:CAN)全球首款支持RISC-V Vector 1.0標(biāo)準(zhǔn)的商用量產(chǎn)端側(cè)AIoT芯片K230集成了芯原的圖像信號處理器(ISP)IP ISP8000、畸變矯正(DeWarp)處理器IP DW200,以及2.5D圖形處理器(GPU)IP GCNanoV。該合作極大地優(yōu)化了高精度、低延遲的端側(cè)AIoT解決方案,可廣泛適用于各類智能產(chǎn)品及場景,如邊緣側(cè)大模型多模態(tài)接入終端、3D結(jié)構(gòu)光深度感知模組、交互型機(jī)器人、開源硬件,以及智能制造、智能家居和智能教育相關(guān)硬件設(shè)備等。

發(fā)表于:3/25/2024 3:16:00 PM

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V

  【2024年3月13日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。

發(fā)表于:3/25/2024 12:31:00 PM

羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列(Sony)合作

  羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列(Sony)合作,達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗(yàn)證了基于PCT的測試用例。兩項(xiàng)工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動通信大會上,羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設(shè)備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測試的實(shí)時演示。

發(fā)表于:3/25/2024 12:22:00 PM

e絡(luò)盟開售Traco Power 5-50瓦緊湊型封裝TMPW系列產(chǎn)品

  中國上海,2024年3月13日—安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟現(xiàn)貨發(fā)售Traco Power的TMPW 系列超緊湊型直流、交流電源。

發(fā)表于:3/25/2024 12:00:00 PM

解決ORAN基礎(chǔ)設(shè)施中面臨的網(wǎng)絡(luò)同步挑戰(zhàn)

  開放式無線接入網(wǎng)絡(luò)(ORAN)技術(shù)的市場規(guī)模及其在實(shí)施5G服務(wù)中的作用呈現(xiàn)出快速增長的潛力。各大移動網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商(MNO)都在尋求更低的成本、更高的靈活性以及避免供應(yīng)商鎖定的能力。這些優(yōu)勢可通過采用多家供應(yīng)商的可互操作技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。運(yùn)營商也可以從實(shí)時性能中受益。

發(fā)表于:3/25/2024 11:51:00 AM

Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊

  美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年3月13日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出適于IrDA®應(yīng)用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 數(shù)據(jù)速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動化控制、手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸。為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流 < 70 μA,關(guān)斷模式 < 1 μA。

發(fā)表于:3/25/2024 11:24:00 AM

SK海力士展示新一代GDDR7顯存

據(jù)媒體報道,SK海力士近期展出的GDDR7顯存無疑成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。 據(jù)悉,SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb,傳輸速度可達(dá)40Gbps,比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps,并且可以提供160GB/s的顯存帶寬。 這意味著在相同時間內(nèi),SK海力士的GDDR7顯存可以處理更多數(shù)據(jù),從而大大提升顯卡的整體性能。

發(fā)表于:3/25/2024 8:59:50 AM

消息稱臺積電2nm制程設(shè)備安裝加速

據(jù)臺灣《工商時報》消息,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱,臺積電2nm制程加速安裝設(shè)備,臺積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進(jìn)行設(shè)備安裝工程,為GAA(環(huán)繞式閘級)架構(gòu)量產(chǎn)暖身,預(yù)計寶山P1、P2及高雄三座先進(jìn)制程晶圓廠均于2025年量產(chǎn),并吸引蘋果、英偉達(dá)、AMD及高通等客戶爭搶產(chǎn)能。臺積電對此不發(fā)表評論。

發(fā)表于:3/25/2024 8:59:45 AM

AMD將采用三星4nm工藝生產(chǎn)低端APU以及Radeon芯片

3 月 23 日消息,@Tech_Reve 表示,AMD 將采用三星的 4nm 工藝生產(chǎn)一些消費(fèi)級產(chǎn)品,包括低端 APU 和 Radeon GPU。 他援引 " 可靠消息 " 稱,預(yù)計 AMD 未來將更多地依賴三星代工,這可能與臺積電產(chǎn)能已經(jīng)因?yàn)?AI 等其他需求而被預(yù)訂一空有關(guān)。 他之前還提到,AMD 原計劃是借助三星的 4nm 工藝來為索尼 PS5 Pro 生產(chǎn)定制 APU 芯片,但該計劃已經(jīng)取消并轉(zhuǎn)向生產(chǎn)其他不同的芯片。

發(fā)表于:3/25/2024 8:59:39 AM

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