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軟件定義SoC助力中國智能物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新并服務(wù)世界

  作為一家匠心獨(dú)到的半導(dǎo)體科技企業(yè),XMOS一直站在智能物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的前沿,公司的使命是改變系統(tǒng)在芯片上的部署方式。我們的技術(shù)為系統(tǒng)級芯片(SoC)帶來了顛覆性的經(jīng)濟(jì)性和上市時(shí)間,嵌入式軟件工程師僅需開發(fā)軟件并加載到XMOS獨(dú)具靈活性和可用性的硬件平臺上,即可更快速且更輕松地創(chuàng)建定制化的SoC解決方案。

發(fā)表于:8/17/2024 4:48:31 PM

緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管

【2024年8月16日,德國慕尼黑訊】直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中都是必不可少的,用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12 V電源的前大燈、車內(nèi)燈、雨刮和車窗電機(jī)、風(fēng)扇,以及48 V電源的泵、轉(zhuǎn)向驅(qū)動(dòng)裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調(diào)壓縮機(jī)。

發(fā)表于:8/16/2024 6:11:22 PM

我國首臺600兆超導(dǎo)核磁共振波譜儀研發(fā)成功

我國首臺 600 兆超導(dǎo)核磁共振波譜儀研發(fā)成功,德國、日本之后全球第三家整機(jī)制造且核心自研

發(fā)表于:8/16/2024 1:50:42 PM

華為發(fā)布星河AI電力網(wǎng)絡(luò)

8 月 16 日消息,8 月 15 日,2024 電力信息通信新技術(shù)大會(huì)在北京召開。會(huì)上,華為數(shù)據(jù)通信產(chǎn)品線能源行業(yè)解決方案總監(jiān)楊新峰發(fā)表“華為星河 AI 電力網(wǎng)絡(luò),構(gòu)筑電力智能化發(fā)展的通信基座”主題演講,發(fā)布華為星河 AI 電力網(wǎng)絡(luò)。

發(fā)表于:8/16/2024 10:56:53 AM

全球首個(gè)無負(fù)極鈉固態(tài)電池成功問世

全球首個(gè)無負(fù)極鈉固態(tài)電池成功問世:歷時(shí) 8 年、歷經(jīng) 100 多次實(shí)驗(yàn)失敗 8 月 16 日消息,科學(xué)網(wǎng)昨日(8 月 15 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱芝加哥大學(xué)孟穎帶領(lǐng)其團(tuán)隊(duì),歷時(shí) 8 年、歷經(jīng) 100 多次實(shí)驗(yàn)失敗后,終于成功研發(fā)出全球首個(gè)無負(fù)極鈉固態(tài)電池。 項(xiàng)目開發(fā)背景 鈉電池、固態(tài)電池和無負(fù)極電池都已經(jīng)出現(xiàn),但沒有人能夠成功地將這三種想法結(jié)合起來。 這種新型電池結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、安全性高,可循環(huán)數(shù)百次,并且具備環(huán)保、低成本的優(yōu)點(diǎn),為未來電池技術(shù)的發(fā)展開辟了新的路徑。

發(fā)表于:8/16/2024 10:39:58 AM

賽昉推出64位極低功耗亂序RISC-V CPU內(nèi)核

賽昉推出64位極低功耗亂序RISC-V CPU內(nèi)核IP昉?天樞-70

發(fā)表于:8/16/2024 10:31:00 AM

消息稱索尼正全力推動(dòng)CIS圖像傳感器產(chǎn)品線轉(zhuǎn)型

消息稱索尼正全力推動(dòng) CIS 轉(zhuǎn)型,IMX 產(chǎn)品線逐步改名為光喻 LYTIA 系列

發(fā)表于:8/16/2024 10:25:25 AM

新一代彩色電子紙時(shí)序控制芯片T2000問世

8月15日消息,近日元太與奇景光電共同宣布,攜手開發(fā)新一代彩色電子紙時(shí)序控制芯片(ePaper Timing Controller)T2000。 T2000是彩色電子紙的關(guān)鍵核心零件,負(fù)責(zé)產(chǎn)生和管理驅(qū)動(dòng)屏幕的時(shí)序信號,并控制驅(qū)動(dòng)電壓的開關(guān)時(shí)間和持續(xù)時(shí)間波型,以達(dá)到最佳效能。 與元太2019年發(fā)布的T1000相比,T2000支持的電子紙屏幕最大解析度升級至4K(3840 x 2160),最高幀速達(dá)150Hz,顯示器標(biāo)準(zhǔn)MIPI介面的傳輸速度,也升級至最高的1Gbps。

發(fā)表于:8/16/2024 10:18:12 AM

NEO半導(dǎo)體推出3D X-AI芯片

近日,3D NAND 閃存和 3D DRAM 創(chuàng)新技術(shù)的領(lǐng)先開發(fā)商 NEO Semiconductor 宣布推出其 3D X-AI芯片技術(shù),旨在取代高帶寬內(nèi)存 (HBM) 內(nèi)部的現(xiàn)有 DRAM 芯片,通過在 3D DRAM 中實(shí)現(xiàn) AI 處理來解決數(shù)據(jù)總線帶寬瓶頸。

發(fā)表于:8/16/2024 10:10:25 AM

谷歌開放Imagen 3文生圖AI模型訪問

力壓 DALL-E 3 等頂級模型,谷歌開放 Imagen 3 文生圖 AI 訪問

發(fā)表于:8/16/2024 10:03:52 AM

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