消息稱三星8層HBM3E存儲芯片已通過英偉達測試
8 月 7 日消息,據(jù)路透社報道,知情人士稱,三星電子第五代 8 層 HBM3E 產(chǎn)品已通過英偉達的測試,可用于后者的人工智能處理器。
發(fā)表于:8/7/2024 8:50:00 AM
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