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Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案

Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V TrenchFET®功率MOSFET-SQJQ402E,目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装,实现大电流,并能节省空间和功耗的方案。

發(fā)表于:2015/4/1 下午4:28:00

Vishay 新款20V芯片级MOSFET可帮助超便携应用进一步节省空间并延长电池工作时间

Vishay 新款20V芯片级MOSFET可帮助超便携应用进一步节省空间并延长电池工作时间

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的TrenchFET® 20V N沟道MOSFET---Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT®封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的导通电阻。

發(fā)表于:2015/3/27 下午2:27:00

CISSOID 公司推出 HADES® v2, 一款适合高功率密度应用的隔离式栅极驱动器

CISSOID 公司推出 HADES® v2, 一款适合高功率密度应用的隔离式栅极驱动器

高温及长寿命半导体解决方案领导者 CISSOID 公司推出第二代 HADES® ,一款高度集成的隔离式栅极驱动器产品。 HADES® 旨在面向基于快速开关碳化硅 (SiC) 晶体管、传统功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率转换器、电机驱动器和致动器应用。 凭借 CISSOID 产品无与伦比的耐用性,栅极驱动器 HADES® 在严酷的环境下可实现更高可靠性和更长的使用寿命,从而满足系统设计者对航空、汽车、工业、石油和天然气市场的应用需求。

發(fā)表于:2015/3/26 下午4:07:00

盛科推出SDN智能高密度万兆芯片CTC8096

盛科推出SDN智能高密度万兆芯片CTC8096

盛科网络,领先的SDN芯片和白牌交换机设备供应商,重磅推出SDN智能高密度万兆交换芯片CTC8096。此次全新推出的CTC8096交换芯片是盛科自主研发的第四代交换芯片,该芯片应云计算、大数据、网络功能虚拟化的趋势而生,具有业界领先的容量、性能、功能、功耗和高性价比,旨在以核心芯片助力全球网络加速走进大规模智能万兆时代。

發(fā)表于:2015/3/26 下午4:02:00

Vishay液钽电容器通过DLA 15005认证,为航太系统提供更好的反向电压、抗振动和抗热冲击能力

Vishay液钽电容器通过DLA 15005认证,为航太系统提供更好的反向电压、抗振动和抗热冲击能力

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其采用玻璃-钽密封的新款钽壳液钽电容已通过Defense Logistics Agency(DLA) 15005标准认证。对于航空和航天系统,该款器件是业内首个通过DLA 15005认证的液钽电容器,在+85℃ 下的反向电压为1.5V,具有更好的抗振动能力(正弦:50g,随机:27.7g),可耐受300次循环热冲击。

發(fā)表于:2015/3/26 下午3:58:00

Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 并节省占位面积

Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 并节省占位面积

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F,该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来,有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。

發(fā)表于:2015/3/26 下午3:54:00

 ADI推出四通道、2.4 GSPS、16位数DAC AD9154

ADI推出四通道、2.4 GSPS、16位数DAC AD9154

全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出四通道、2.4 GSPS、16位数模转换器(DAC) AD9154,该器件在100 MHz至300 MHz频段内具有业界领先的动态范围性能,可用于复中频发射机。

發(fā)表于:2015/3/26 下午3:36:00

英飞凌携高能效增强模式和共源共栅配置硅基板GaN平台组合亮相2015年应用电力电子会议暨展览会(APEC)

英飞凌携高能效增强模式和共源共栅配置硅基板GaN平台组合亮相2015年应用电力电子会议暨展览会(APEC)

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前,英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台,包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量,这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。

發(fā)表于:2015/3/25 下午6:31:00

Silicon Labs推出新型低功耗数字机顶盒调谐器系列产品

Silicon Labs推出新型低功耗数字机顶盒调谐器系列产品

硅TV调谐器的领先供应商Silicon Labs(芯科科技有限公司,NASDAQ:SLAB)今日宣布推出新型高性能数字机顶盒(STB)调谐器IC系列产品,设计旨在降低有线、地面、混合型地面/卫星和基于IP的STB产品的成本、复杂度和功耗。Silicon Labs新型的Si2144和Si2124数字调谐器IC凭借优秀的单芯片集成度和业内最小的封装尺寸,能够有效帮助STB设计人员减少电路板面积和物料清单(BOM)成本。Si2144/24调谐器系列产品所集成的环路输出(LT, Loop-Through)技术也有助于降低系统整体成本和功耗。

發(fā)表于:2015/3/25 下午5:03:00

TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块

TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块

近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成,使之非常易于设计。如需了解更多信息,敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。

發(fā)表于:2015/3/24 上午12:15:00

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