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安森美半导体超低功耗单芯片方案

安森美半导体超低功耗单芯片方案

录音和音频播放功能已经成为便携式和可穿戴设备重要的用户体验之一。消费者不断追求更轻、更薄、更短 、更小,可提供更长续航时间的设备,这就为电子元件工程师带来更严苛的设计挑战。他们不仅需要需要实现高品质、先进的数字信号处理(DSP)算法,而且需要节省空间和省电。 而安森美半导体近期推出的LC823450超低功耗单芯片方案,集成了高分辨率的声音处理、音频应用所需的功能,并具有超低功耗、小尺寸、降低成本、加快产品上市等一系列优势。

發(fā)表于:2016/7/19 下午8:32:00

RS新增Molex连接器和线缆 延伸USB-C 产品组合

RS新增Molex连接器和线缆 延伸USB-C 产品组合

中国北京,2016年7月19日 - 服务于全球工程师的分销商Electrocomponents plc (LSE:ECM)集团旗下的贸易品牌RS Components (RS) 公司开始供货Molex新款USB-C连接器和补充的线缆组件,进一步扩张其不断增加的USB-C解决方案系列,适用于消费市场、自动化和控制系统、汽车以及电信和数据通信行业中广泛的电子应用。

發(fā)表于:2016/7/19 下午8:28:00

意法半导体(ST)发布新的开发生态系统

意法半导体(ST)发布新的开发生态系统

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)近日发布支持其最新的STM32L4 低功耗高性能微控制器(MCU) 的开发生态系统,同时宣布该系列产品新增五个产品线,为客户提供更多的封装类型和存储容量选择。

發(fā)表于:2016/7/18 下午9:49:00

Vishay精密无磁薄膜片式电阻以小尺寸实现6W功率

Vishay精密无磁薄膜片式电阻以小尺寸实现6W功率

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 7 月18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列高功率、表面贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底,功率等级为2W和6W,外形尺寸分别为1206和2512。

發(fā)表于:2016/7/18 下午9:34:00

LLC发布具有转换器和过流保护的全新DMOS微步进驱动器

LLC发布具有转换器和过流保护的全新DMOS微步进驱动器

Allegro MicroSystems, LLC宣布推出一款全新的集成式双极步进电机驱动器IC,此产品具有内置转换器以便于操作。Allegro公司的A5985可以用整步到三十二分之一步细分模式来驱动双极步进电机,这些模式可由MSx逻辑输入选择。新器件输出驱动能力高达40V和±2A,并采用单电源供电。A5985面向办公和工业自动化市场,主要应用包括:自动取款机、POS机和激光打印机、3D打印机、复印机、闭路电视(CCTV)摄像机、缝纫机、自动售货机和机器人等。

發(fā)表于:2016/7/18 下午9:25:00

Diodes 公司提供超级势垒整流器优化固态MR16 LED改造灯

Diodes 公司提供超级势垒整流器优化固态MR16 LED改造灯

Diodes 公司推出SBRT3M40P1沟槽超势垒整流器(SBR®)产品,经优化使用小外形尺寸提供低正向电压降,同时保持低反向漏电流,以满足集中于12V AC LED改造灯的固态照明(SSL)应用中的输入桥整流器要求,针对受欢迎的MR16卤素灯提供更高效且使用寿命更长的替代产品。

發(fā)表于:2016/7/18 下午9:19:00

ROHM开发出非常适用于车载 工业设备的新型抗硫化贴片电阻器“SFR系列”

ROHM开发出非常适用于车载 工业设备的新型抗硫化贴片电阻器“SFR系列”

全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适合在车载、工业设备以及通讯基础设施等易硫化的严苛环境下使用的新型抗硫化贴片电阻器“SFR系列”产品。贴片电阻器的内部表面电极和侧面电极通常使用的是银。但是,银容易被硫化,在硫化环境下使用时应用的长期可靠性存在问题。为此,本系列产品在电极部分采用ROHM独有的结构和保护材料,成功地大幅度提高了抗硫化性能。非常有助于提高车载以及工业设备等在硫化环境中使用的应用的长期可靠性及安全性。

發(fā)表于:2016/7/18 下午9:09:00

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有高可靠性和小封装电感,可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。   

發(fā)表于:2016/7/18 下午8:37:00

意法半导体(ST)扩大通信接口产品阵容

意法半导体(ST)扩大通信接口产品阵容

中国, 2016年7月15日——针对全球越来越多的电子产品公司计划在新产品中采用USB Type-C™和电力传输(PD,Power Delivery)技术,横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布一款经过行业认证的基于其领先市场的STM32微控制器的软件解决方案,让USB Type-C™和电力传输(PD)集成工作变得更容易。

發(fā)表于:2016/7/18 下午8:33:00

TI推出电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

TI推出电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装,其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。如需了解更多信息与样品,敬请访问www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。

發(fā)表于:2016/7/15 下午6:47:00

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