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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對(duì)國家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

我國首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)擬立項(xiàng)

國家標(biāo)準(zhǔn)委網(wǎng)站顯示，我國首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)——《極紫外（EUV）光刻膠測(cè)試方法》作為擬立項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，10月23日開始公示，截止時(shí)間為11月22日。標(biāo)準(zhǔn)的起草單位包括上海大學(xué)、張江國家實(shí)驗(yàn)室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司。

發(fā)表于：2025/10/27

存儲(chǔ)芯片一周再次暴漲30%

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財(cái)聯(lián)社記者指出，原廠產(chǎn)能正優(yōu)先分配給高階Server DRAM和HBM，從而擠壓了傳統(tǒng)消費(fèi)電子所需的DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品供給，DDR4的緊缺或持續(xù)到26年的H1。對(duì)于國內(nèi)廠商而言，許家源認(rèn)為模組廠已積極儲(chǔ)備顆粒及晶圓（wafer）庫存，國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈正試圖通過積極囤貨和調(diào)漲價(jià)格，迎接這場(chǎng)結(jié)構(gòu)性景氣新時(shí)代。

發(fā)表于：2025/10/27

特斯拉人形機(jī)器人再延期

10月24日消息，早在2018年特斯拉就展示了Optimus人形機(jī)器人，雖然目前已迭代至第三代，但因?yàn)榧夹g(shù)原因，仍遲遲無法正式定型發(fā)布并量產(chǎn)。

發(fā)表于：2025/10/27

北大團(tuán)隊(duì)成功改進(jìn)光刻膠缺點(diǎn) 提升7nm及以下先進(jìn)制程良率

10月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道稱，我國芯片領(lǐng)域取得新突破，具體來說是在光刻膠領(lǐng)域。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然通訊》。

發(fā)表于：2025/10/27

Intel 14A工藝沖擊代工客戶初步反饋令人鼓舞

10月26日消息，Intel原本計(jì)劃在18A工藝節(jié)點(diǎn)大力發(fā)展外部代工，但進(jìn)展非常不樂觀，不得不改為內(nèi)部使用，轉(zhuǎn)而發(fā)展14A代工。

發(fā)表于：2025/10/27

臺(tái)積電再向海外轉(zhuǎn)移先進(jìn)工藝

臺(tái)積電確認(rèn)將在日本熊本縣建設(shè)第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營，建筑面積6.9萬平方英尺，可新增1700余崗位，與一廠合計(jì)雇約3400人。新廠直接導(dǎo)入6nm工藝，用于自動(dòng)駕駛、AI等高端應(yīng)用，把日本本土芯片制造水平從28nm提升兩三代，投資額139億美元；兩廠總計(jì)225億美元，日本經(jīng)產(chǎn)省補(bǔ)貼1.2萬億日元。

發(fā)表于：2025/10/27

三星2nm工藝良率被指僅有30%

10月26日消息，臺(tái)積電今年底量產(chǎn)2nm工藝，Intel的18A工藝也一樣是今年底量產(chǎn)，三星更是很早就宣布了2nm工藝量產(chǎn)的消息，然而問題還是很多。

發(fā)表于：2025/10/27

意法半導(dǎo)體Q3業(yè)績(jī)爆雷凈利下滑23.9%

當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月23日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV，簡(jiǎn)稱“ST”)公布了截至 2025 年 9 月 27 日的第三季度財(cái)報(bào)，由于業(yè)績(jī)不及預(yù)期，導(dǎo)致意法半導(dǎo)體股價(jià)暴跌13.26%。模擬、功率和分立器件、MEMS 和傳感器 (APMS) 產(chǎn)品組：

發(fā)表于：2025/10/27

報(bào)名火熱進(jìn)行中丨全方位解讀ICCAD Expo，洞見產(chǎn)業(yè)“芯”未來

本屆大會(huì)將于2025年11月20日-21日在成都·中國西部國際博覽城舉行。屆時(shí)，全國各半導(dǎo)體行業(yè)主管機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)、國家芯火基地（平臺(tái)）、國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)CEO、技術(shù)領(lǐng)袖與行業(yè)專家將齊聚一堂?，F(xiàn)場(chǎng)將匯聚數(shù)百家覆蓋EDA、IP、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)全產(chǎn)業(yè)鏈的頭部展商，并吸引超80%經(jīng)理級(jí)以上、其中30%為總監(jiān)/VP以上級(jí)別的高質(zhì)量專業(yè)觀眾與決策者。

發(fā)表于：2025/10/24

我國成功發(fā)射通信技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星二十號(hào)

10 月 23 日消息，據(jù)央視新聞報(bào)道，北京時(shí)間 2025 年 10 月 23 日 22 時(shí) 30 分，我國在文昌航天發(fā)射場(chǎng)使用長(zhǎng)征五號(hào)運(yùn)載火箭，成功將通信技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星二十號(hào)發(fā)射升空，衛(wèi)星順利進(jìn)入預(yù)定軌道，發(fā)射任務(wù)獲得圓滿成功。該衛(wèi)星主要用于開展多頻段、高速率衛(wèi)星通信技術(shù)驗(yàn)證。

發(fā)表于：2025/10/24