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世界首家！羅姆開發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）日前面向EV/HEV車（電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。這種模塊是600V/100A三相變頻，搭載了羅姆的6個(gè)SiC-SBD和6個(gè)SiC溝槽MOSFET，經(jīng)驗(yàn)證工作溫度可高達(dá)225℃。此外，該模塊使用范圍可達(dá)1200V級(jí)。因此，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，其損耗大大降低，不僅可實(shí)現(xiàn)小型化，而且與以往的母模類型SiC模塊相比，還可大幅降低成本。本產(chǎn)品預(yù)計(jì)于3～4年后達(dá)到實(shí)際應(yīng)用階段。在此基礎(chǔ)上，針對(duì)搭載了門極驅(qū)動(dòng)器IC的IPM，羅姆還計(jì)劃使用本技術(shù)，開發(fā)搭載SiC的壓鑄模類型DIP型、可高溫條件下工作的、使用范圍達(dá)600V/50A的IPM。

發(fā)表于：11/16/2011