物聯(lián)網(wǎng)最新文章 格芯在300mm平台上为下一代移动应用提供8SW RF SOI客户端芯片 格芯今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布，针对移动应用优化的8SW 300mm RF SOI技术平台已通过认证并投入量产。这项RF SOI工艺引起了多位客户的关注和兴趣，它专为满足前端模块(FEM)应用更高的LTE和6 GHz以下标准要求量身定制，包括5G IoT、移动设备和无线通信。 發(fā)表于：2018/9/28 Arm推出全球首款自动驾驶级处理器 加速推进自动驾驶安全性 ?Arm以引领安全为己任，加速自动驾驶技术在大众市场部署 ?Arm “安全就绪”（Safety Ready）计划：协助Arm芯片合作伙伴开发车用SoC ?分核-锁步（Split-Lock）：在应用处理器中首次搭载具有颠覆性的安全创新 ?针对7纳米制程进行优化，Cortex-A76AE是全球第一款具有集成安全、高性能、领先效率和防护等IP选项的自动驾驶级处理器 發(fā)表于：2018/9/28 用世强元件电商进行电子元器件采购，获年终会员大奖 世强元件电商元件商城全面升级，相较于之前可以进行元件小批量快速购买和大批量询价采购之外，目前在商城搜索型号的同时，还可以到该型号对应的开发工具、量产烧录工具等内容，而对于库存暂时无货但在途的产品，也可以点击“交期查询”一键查询。 發(fā)表于：2018/9/28 功率电子设计中的碳化硅共源共栅器件及其优势 几乎没有必要用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术来描述宽带隙（WBG）器件的质量，因为单从这些器件标注的名称已经足以保证极高的功率密度和匹配效率，最近的一个例证是“小盒子挑战”，它将特定转换器的目标功率密度提高了三倍。在实际系统中，设计人员需要通常由SiC MOSFET和增强型GaN（e-GaN）HEMT单元提供的OFF开关，但它们并不十全十美，都有自己的局限性和缺陷。这两种类型的器件都需要非常特殊的栅极驱动电压。SiC MOSFET具有相对较差的体二极管，而GaN器件则没有经典的体二极管，且没有雪崩电压特性。在“斩波器”、半桥和“图腾柱”功率因数（PFC）级等许多实际应用中，需要体二极管或其他类似的器件。为了显著提高效率，SiC-MOSFET和GaN HEMT需要并联一个高性能二极管，增加了总体成本和复杂性。 發(fā)表于：2018/9/27 意法半导体先进的Qi®兼容充电发射器，可确保15W多线圈无线充电器给移动设备充电快速稳定 意法半导体STWBC-MC 15W无线充电发射器可以控制多个充电线圈，降低无线充电对电池供电设备需精确定位的依赖。 發(fā)表于：2018/9/27 从起源到氮化镓/碳化硅等材料，一文读懂半导体材料进化史 现代世界里，没有人可以说自己跟“半导体”没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰，但它不仅是科学园区里那帮工程师的事，你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音响，里面都有半导体元件，可以说若没有半导体，就没有现代世界里的轻巧又好用的高科技产物。 發(fā)表于：2018/9/27 英特尔携手京东大数据，打造下一代大数据平台，推动社区和业界数据分析创新 在今日举行的“携手共创未来数据科技；京东与英特尔，大数据合作备忘录签约仪式”上，英特尔与京东共同分享了在大数据分析领域的合作成果，以及将要展开的全新合作。具体而言，京东正在为建立高级数据分析能力而着力打造下一代可扩展的大数据平台，京东和英特尔除了在软件领域展开深入合作外，京东大数据也在计算、存储、网络等领域充分利用英特尔下一代硬件产品；京东大数据团队在大数据领域创新的同时，将持续推动开源社区和整个行业在数据分析领域的进步。 發(fā)表于：2018/9/27 LG选择新思科技HDMI 2.1 IP提供沉浸式观看体验 LG选择具有HDCP 2.3内容保护功能的DesignWare HDMI 2.1控制器IP，在其新款多媒体芯片中实现安全、高质量的数字视频和音频链路。 ·符合标准的HDMI 2.1 IP可提供48 Gbps聚合带宽，在60 Hz刷新率条件下实现无压缩8K分辨率，以满足高性能设计要求。 ·DesignWare HDCP 2.3内容保护IP支持最新标准，以保护跨HDMI链路的数据传输。 發(fā)表于：2018/9/27 我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。但长期以来，我国SiC器件的研制生产主要依赖进口。SiC器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自主保障、降低生产线建设与运营成本、促进产业技术进步和快速发展壮大等方面具有重大的推动作用。 發(fā)表于：2018/9/27 Molex推出新型高性能节能串灯 Molex发布全新Woodhead LED串灯，这是一款为工业和电气应用设计的高性能节能产品。Woodhead LED串灯不仅降低了运营成本，还降低了对基础设施和后期维护的要求。集成的灯具引擎使得这一体化解决方案可以搭建整个系统而无需采购额外的产品，比如单独采购的保护罩或更换的灯珠。 發(fā)表于：2018/9/27 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路 对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。 發(fā)表于：2018/9/27 集邦咨询：供过于求加上旺季不旺，DRAM第四季合约价跌幅恐扩大至5% 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，时序进入9月下旬，正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机，但受到位元产出持续增加，以及旺季需求并未明显增温的影响，价格走弱的态势更为明显，DRAM第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌1~3%，扩大至约5% 發(fā)表于：2018/9/27 国内首条全碳化硅智能功率模块生产线在厦投产 厦门中小平台消息，国内首条全碳化硅智能功率模块生产线将在厦门正式投产，标志着我国在碳化硅芯片这个新兴行业又实现了一次重要突破。值得一提的是，这一中国半导体行业健康发展的新亮点是“厦门制造”，由厦门市火炬高新区企业厦门芯光润泽科技有限公司研发。 發(fā)表于：2018/9/27 半导体代际迅速发展，罗姆：争取2022年普及碳化硅 科技是人类一大进步的基石，自从第一次工业革命开始后，人类发展的速度突飞猛进。越来越多科技产品的出现便利了人们的生活，现如今人们离不开电子产品等时代的产物了。 發(fā)表于：2018/9/27 SiC器件的优点被熟知近60年为什么还未普及？ 如果硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础，砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料奠定了信息产业的基础，那么以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料将是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，SiC器件备受期待，但工艺和成本成为其普及的障碍。不过，在可以预见的未来，我们将看到SiC对电动汽车行业产生的革命性影响，电动汽车也将引领SiC器件的普及。 發(fā)表于：2018/9/27 <…477478479480481482483484485486…>
