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功率電子設(shè)計中的碳化硅共源共柵器件及其優(yōu)勢

　幾乎沒有必要用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)來描述寬帶隙（WBG）器件的質(zhì)量，因為單從這些器件標(biāo)注的名稱已經(jīng)足以保證極高的功率密度和匹配效率，最近的一個例證是“小盒子挑戰(zhàn)”，它將特定轉(zhuǎn)換器的目標(biāo)功率密度提高了三倍。在實際系統(tǒng)中，設(shè)計人員需要通常由SiC MOSFET和增強(qiáng)型GaN（e-GaN）HEMT單元提供的OFF開關(guān)，但它們并不十全十美，都有自己的局限性和缺陷。這兩種類型的器件都需要非常特殊的柵極驅(qū)動電壓。SiC MOSFET具有相對較差的體二極管，而GaN器件則沒有經(jīng)典的體二極管，且沒有雪崩電壓特性。在“斬波器”、半橋和“圖騰柱”功率因數(shù)（PFC）級等許多實際應(yīng)用中，需要體二極管或其他類似的器件。為了顯著提高效率，SiC-MOSFET和GaN HEMT需要并聯(lián)一個高性能二極管，增加了總體成本和復(fù)雜性。

發(fā)表于：9/27/2018

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的Qi®兼容充電發(fā)射器，可確保15W多線圈無線充電器給移動設(shè)備充電快速穩(wěn)定

意法半導(dǎo)體STWBC-MC 15W無線充電發(fā)射器可以控制多個充電線圈，降低無線充電對電池供電設(shè)備需精確定位的依賴。

發(fā)表于：9/27/2018

從起源到氮化鎵/碳化硅等材料，一文讀懂半導(dǎo)體材料進(jìn)化史

現(xiàn)代世界里，沒有人可以說自己跟“半導(dǎo)體”沒有關(guān)系。半導(dǎo)體聽起來既生硬又冷冰冰，但它不僅是科學(xué)園區(qū)里那幫工程師的事，你每天滑的手機(jī)、用的電腦、看的電視、聽的音響，里面都有半導(dǎo)體元件，可以說若沒有半導(dǎo)體，就沒有現(xiàn)代世界里的輕巧又好用的高科技產(chǎn)物。

發(fā)表于：9/27/2018

英特爾攜手京東大數(shù)據(jù)，打造下一代大數(shù)據(jù)平臺，推動社區(qū)和業(yè)界數(shù)據(jù)分析創(chuàng)新

在今日舉行的“攜手共創(chuàng)未來數(shù)據(jù)科技；京東與英特爾，大數(shù)據(jù)合作備忘錄簽約儀式”上，英特爾與京東共同分享了在大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域的合作成果，以及將要展開的全新合作。具體而言，京東正在為建立高級數(shù)據(jù)分析能力而著力打造下一代可擴(kuò)展的大數(shù)據(jù)平臺，京東和英特爾除了在軟件領(lǐng)域展開深入合作外，京東大數(shù)據(jù)也在計算、存儲、網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域充分利用英特爾下一代硬件產(chǎn)品；京東大數(shù)據(jù)團(tuán)隊在大數(shù)據(jù)領(lǐng)域創(chuàng)新的同時，將持續(xù)推動開源社區(qū)和整個行業(yè)在數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域的進(jìn)步。

發(fā)表于：9/27/2018

LG選擇新思科技HDMI 2.1 IP提供沉浸式觀看體驗

　　LG選擇具有HDCP 2.3內(nèi)容保護(hù)功能的DesignWare HDMI 2.1控制器IP，在其新款多媒體芯片中實現(xiàn)安全、高質(zhì)量的數(shù)字視頻和音頻鏈路。　　·符合標(biāo)準(zhǔn)的HDMI 2.1 IP可提供48 Gbps聚合帶寬，在60 Hz刷新率條件下實現(xiàn)無壓縮8K分辨率，以滿足高性能設(shè)計要求。　　·DesignWare HDCP 2.3內(nèi)容保護(hù)IP支持最新標(biāo)準(zhǔn)，以保護(hù)跨HDMI鏈路的數(shù)據(jù)傳輸。

發(fā)表于：9/27/2018

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進(jìn)展

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉(zhuǎn)化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機(jī)車索引、新能源汽車、現(xiàn)代國防武器裝備等重大戰(zhàn)略領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、大功率電力電子器件的迫切需求，被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。但長期以來，我國SiC器件的研制生產(chǎn)主要依賴進(jìn)口。SiC器件關(guān)鍵裝備的成功研發(fā)對加快解決全產(chǎn)業(yè)鏈的自主保障、降低生產(chǎn)線建設(shè)與運營成本、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和快速發(fā)展壯大等方面具有重大的推動作用。

發(fā)表于：9/27/2018

Molex推出新型高性能節(jié)能串燈

Molex發(fā)布全新Woodhead LED串燈，這是一款為工業(yè)和電氣應(yīng)用設(shè)計的高性能節(jié)能產(chǎn)品。Woodhead LED串燈不僅降低了運營成本，還降低了對基礎(chǔ)設(shè)施和后期維護(hù)的要求。集成的燈具引擎使得這一體化解決方案可以搭建整個系統(tǒng)而無需采購額外的產(chǎn)品，比如單獨采購的保護(hù)罩或更換的燈珠。

發(fā)表于：9/27/2018

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。

發(fā)表于：9/27/2018

集邦咨詢：供過于求加上旺季不旺，DRAM第四季合約價跌幅恐?jǐn)U大至5%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，時序進(jìn)入9月下旬，正值各家廠商議定第四季合約價的關(guān)鍵時機(jī)，但受到位元產(chǎn)出持續(xù)增加，以及旺季需求并未明顯增溫的影響，價格走弱的態(tài)勢更為明顯，DRAM第四季合約價跌幅將由原先預(yù)估的季跌1~3%，擴(kuò)大至約5%

發(fā)表于：9/27/2018

國內(nèi)首條全碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線在廈投產(chǎn)

　廈門中小平臺消息，國內(nèi)首條全碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線將在廈門正式投產(chǎn)，標(biāo)志著我國在碳化硅芯片這個新興行業(yè)又實現(xiàn)了一次重要突破。值得一提的是，這一中國半導(dǎo)體行業(yè)健康發(fā)展的新亮點是“廈門制造”，由廈門市火炬高新區(qū)企業(yè)廈門芯光潤澤科技有限公司研發(fā)。

發(fā)表于：9/27/2018

半導(dǎo)體代際迅速發(fā)展，羅姆：爭取2022年普及碳化硅

科技是人類一大進(jìn)步的基石，自從第一次工業(yè)革命開始后，人類發(fā)展的速度突飛猛進(jìn)。越來越多科技產(chǎn)品的出現(xiàn)便利了人們的生活，現(xiàn)如今人們離不開電子產(chǎn)品等時代的產(chǎn)物了。

發(fā)表于：9/27/2018

SiC器件的優(yōu)點被熟知近60年為什么還未普及？

如果硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體材料奠定了微電子產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料奠定了信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，那么以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料將是提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的重要支撐。憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大等特性，SiC器件備受期待，但工藝和成本成為其普及的障礙。不過，在可以預(yù)見的未來，我們將看到SiC對電動汽車行業(yè)產(chǎn)生的革命性影響，電動汽車也將引領(lǐng)SiC器件的普及。

發(fā)表于：9/27/2018

對SiC-MOSFET和IGBT的區(qū)別

眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT和MOSFET器件的同時，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。

發(fā)表于：9/27/2018

Akamai《互聯(lián)網(wǎng)安全狀況報告：撞庫攻擊》顯示金融服務(wù)行業(yè)持續(xù)受到自動賬戶盜用工具的攻擊

負(fù)責(zé)提供安全數(shù)字化體驗的智能邊緣平臺阿卡邁技術(shù)公司（Akamai Technologies, Inc.，以下簡稱：Akamai）（NASDAQ：AKAM）今日發(fā)布的《2018年互聯(lián)網(wǎng)安全狀況報告：撞庫攻擊》顯示，全球惡意登錄嘗試次數(shù)不斷增加。該報告研究發(fā)現(xiàn)，在2018年1月到4月間，Akamai每月大約檢測到32億次惡意登錄，此外，2018年5月和6月的爬蟲程序惡意登錄次數(shù)超過83億次，月平均增長率達(dá)到30%?？傮w而言，從2017年11月初到2018年6月末，Akamai的研究分析結(jié)果顯示，惡意登錄嘗試在8個月內(nèi)超過300億次。

發(fā)表于：9/27/2018

5分鐘帶你了解什么是SiC！

在TechWeb的“基礎(chǔ)知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因為，為了應(yīng)對全球共通的“節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。

發(fā)表于：9/27/2018