目前，士蘭微電子的交貨期基本控制在1個(gè)月以內(nèi)，芯片生產(chǎn)和封測產(chǎn)能壓力空前。士蘭微一方面提高生產(chǎn)管理能力，將現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)能利用到極致，不斷降低每道工序的加工周期；另一方面加強(qiáng)和客戶的溝通，按照客戶的需求安排投料。此外，士蘭微有計(jì)劃從2010年起在未來的2～3年內(nèi)安排投資13,500萬元，組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線。湯學(xué)民透露，士蘭微功率器件的月產(chǎn)能已經(jīng)從2010年初的4萬片(6英寸)提升到2010年底的6萬片，這個(gè)數(shù)字將在2011年改寫為8萬片以上。

新興和傳統(tǒng)市場雙驅(qū)動(dòng)

傳統(tǒng)功率器件市場持續(xù)復(fù)蘇，再加上新興市場不斷冒頭，導(dǎo)致功率器件仍舊奇貨可居。2011年功率器件供應(yīng)商普遍雙管齊下，傳統(tǒng)和新興市場兩手抓，焦點(diǎn)集中在變頻電機(jī)、馬達(dá)和新能源領(lǐng)域，可以預(yù)見2011年功率器件市場依舊硝煙彌漫。

胡鳳平指出，英飛凌的市場重點(diǎn)側(cè)重在高能效領(lǐng)域，如風(fēng)能、太陽能、電動(dòng)汽車等新能源市場，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、變頻家電及逆變焊機(jī)等。三菱電機(jī)同樣看好風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、電動(dòng)汽車等新能源領(lǐng)域，以及傳統(tǒng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電源、空調(diào)市場。

在國際企業(yè)圍繞新興市場過招時(shí)，本土企業(yè)則選擇從中小功率器件入手。士蘭微電子的目標(biāo)市場鎖定為AC-DC電源、小功率變頻電機(jī)、HID燈、節(jié)能燈、LED燈的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及太陽能光伏系統(tǒng)。模擬器件講究工藝和設(shè)計(jì)的匹配，還需根據(jù)不同的客戶應(yīng)用精雕細(xì)琢。

湯學(xué)民認(rèn)為，除了最基本的導(dǎo)通壓降、電流耐量、反向耐壓等參數(shù)指標(biāo)外，各應(yīng)用系統(tǒng)對功率器件都會(huì)有不同的要求，主要反映在一些動(dòng)態(tài)參數(shù)上，因此優(yōu)化動(dòng)態(tài)參數(shù)是士蘭功率器件芯片技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn)之一。“針對特定的應(yīng)用環(huán)境，或調(diào)整器件的參數(shù)、或配合客戶優(yōu)化外圍線路也是我們重要的技術(shù)工作方面。”他說。

SiC器件集中登陸市場

2011年功率器件市場除了傳統(tǒng)MOSFET和IGBT挑大梁唱主角之外，一些新面孔也將由龍?zhí)咨駷榕浣?。碳化硅SiC早在10年以前就出現(xiàn)在半導(dǎo)體市場，隨著工藝的成熟化和價(jià)格的平民化，諸多SiC功率器件將集結(jié)在2011年登陸功率市場。

三菱電機(jī)已成功采用SiC制成新器件，通過使用SiC制造的MOSFET和肖特基二極管，研發(fā)出一個(gè)達(dá)400V的11kW變頻器原件，它比硅制造的變頻器，減少能源損耗達(dá)七成，輸出功率為 10 W/cm3。因此，SiC器件損耗更低，并能在更高溫下運(yùn)作，令器件變得更細(xì)小，用電量更低。至于SiC器件的上市時(shí)間，三菱電機(jī)并未透露。

另一家日本公司也暗暗發(fā)力SiC器件。RoHM在2008年收購生產(chǎn)SiC材料的SiCrystal公司之后，已掌握晶圓制造、前期工序、后期工序以及功率模塊的一條龍?bào)w系。2010年4月RoHM已開始量產(chǎn)SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)。同年12月開始量產(chǎn)供貨SiC的DMOSFET定制產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將于2011年夏季供貨通用產(chǎn)品。

德國研究項(xiàng)目“NEULAND”的6家成員企業(yè)宣布，通過使用新半導(dǎo)體材料，能將可再生能源、通信及照明各系統(tǒng)的能源損失減半。作為NEULAND成員之一，英飛凌明確地表示，2011年將推出SiC J-FET。