《電子技術(shù)應(yīng)用》
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5~12GHz新型復(fù)合管寬帶功率放大器設(shè)計
電子科技
程 華,嚴唯敏,滑育楠,胡善文,高 懷
摘要: 利用一種新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計了一款寬帶功率放大器,有效抑制了HBT的大信號Kink效應(yīng)。采用微波仿真軟件AWR對電路結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化和仿真,結(jié)果顯示,在5~12 GHz頻帶內(nèi),復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)的輸出阻抗值更穩(wěn)定,帶寬得到有效擴展,最高增益達到11 dB,帶內(nèi)波動<0.5 dB,在9 GHz工作頻率時,其1 dB壓縮點處的輸出功率為26 dBm。
Abstract:
Key words :

    隨著寬帶無線通信系統(tǒng)的不斷發(fā)展,對高靈敏度、大動態(tài)范圍、高效率的寬帶放大器的需求也越來越大,從某種意義上講,寬帶放大器性能的好壞直接決定著微波系統(tǒng)性能的優(yōu)劣。然而在寬帶放大器的設(shè)計過程中,砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)共發(fā)組態(tài)工作模式下的輸出反射系數(shù)S22,在某一頻率將會出現(xiàn)Kink 效應(yīng),因此采用HBT實現(xiàn)寬帶放大器時,會給工作頻帶跨越Kink點的寬帶輸出匹配設(shè)計帶來難題。目前,有效擴展帶寬的方法有反比例級聯(lián)、并聯(lián)峰值、電容峰值、分布式放大器和fT倍頻器技術(shù)等。但這些方法都會不同程度地增加電路的復(fù)

 雜度,需要占用更多的芯片面積。本文使用一種改善HBT Kink效應(yīng)復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)來擴展放大器的帶寬,簡化寬帶輸出匹配的設(shè)計。

     自Shey-Shi Lu,Yo-Sheng Lin等人提出HBT的Kink效應(yīng)以來,關(guān)于該現(xiàn)象的小信號理論分析日臻成熟。文獻提出一種基于負反饋技術(shù)的新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu),能夠有效消除 HBT的小信號Kink效應(yīng)。但是有關(guān)于該現(xiàn)象的大信號研究較為罕見。

    文中首先基于AWR軟件研究HBT的大信號Kink效應(yīng),其次分別采用新型HBT復(fù)合管和普通HBT管(以下分別簡稱復(fù)合管、普通管)來完成兩款寬帶功率放大器的設(shè)計。通過軟件仿真,結(jié)果表明:該新型HBT復(fù)合晶體管不但可以有效消除HBT的大信號Kink效應(yīng),而且還明顯擴展放大器的帶寬,提高增益帶寬積,簡化輸出端的阻抗匹配設(shè)計。
 

1 新型HBT復(fù)合晶體管大信號特性

1.1 HBT的小信號Kink效應(yīng)

    隨著頻率的升高,晶體管自身寄生電容Cce,Cbe,Cbc等對器件性能的影響明顯增加,使得HBT共發(fā)組態(tài)工作模式下的輸出反射系數(shù)S22在某一頻率處出現(xiàn)一拐點,這種現(xiàn)象稱為Kink效應(yīng),如圖1所示。另外隨著器件尺寸的增加,Kink效應(yīng)有增強的趨勢。

 

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     可以看出,低頻時HBT的輸出阻抗等效為串聯(lián)的RC電路,而高頻時則等效為并聯(lián)的RC電路,在兩種等效電路的過渡過程中就出現(xiàn)了圖1中所示的拐點,即 Kink效應(yīng)。為了有效消除HBT的Kink效應(yīng),文獻提出了基于負反饋技術(shù)的新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu),本文在該結(jié)構(gòu)上另加1個電阻R2調(diào)整反饋強度和相位,其拓撲結(jié)構(gòu)如圖2所示。

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    在圖2中,共射極連接的HBT1作為常規(guī)放大器件工作在放大狀態(tài),HBT2作為HBT1的負反饋支路工作在反向狀態(tài)。HBT2發(fā)射極通過一個小電感L和一個小電阻R2連接到電路輸出端,由于該電感均衡寄生電容對輸出阻抗的影響,使得HBT在共發(fā)組態(tài)工作模式下,其小信號輸出阻抗在整個工作頻段內(nèi)接近于一個簡單的RC串聯(lián)電路,且電阻值R為一常數(shù),能夠有效消除HBT的小信號Kink效應(yīng)。

1.2 大信號Kink效應(yīng)及其消除

    功率放大器工作在大信號狀態(tài)時,HBT放大管的工作狀態(tài)和等效電路模型不同于小信號情況。為了深入研究HBT的大信號Kink效應(yīng),分別采用新型HBT復(fù)合管和普通HBT管設(shè)計了兩個單級放大電路,如圖3所示,同時其大信號S22隨頻率變化的仿真曲線如圖4所示。
 

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     圖4仿真結(jié)果表明,HBT在大信號輸入情況下的S22同樣具有Kink效應(yīng),然而采用復(fù)合管結(jié)構(gòu)能夠使HBT大信號情況下的輸出阻抗在很寬的頻率范圍內(nèi)為一常數(shù),S22的Kink效應(yīng)得到有效的消除。

     功率放大器輸出端的負載特性將直接影響到輸出端匹配電路的復(fù)雜度,為了獲得最佳功率輸出負載阻抗,在4~12 GHz頻帶內(nèi)進行常規(guī)的負載牽引(Load-Pull)測試,得到最佳輸出功率和功率增益。Load-Pull得到設(shè)計所需要的輸出負載阻抗值,其結(jié)果如圖5所示。

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     如圖5所示,Load-Pull的結(jié)果表明,在整個頻帶內(nèi)普通管電路最佳負載阻抗的實部和虛部都隨頻率發(fā)生變化,而復(fù)合管電路的輸出阻抗隨頻率變化不大,所以采用該結(jié)構(gòu)作為寬帶功率放大器的有源放大器件,可以簡化其輸出端的功率匹配電路設(shè)計,獲得較好的功率輸出特性。

2 放大器設(shè)計

     基于上述小信號和大信號特性分析,分別采用普通管和復(fù)合管設(shè)計了兩款寬帶功率放大器,匹配電路采用基本LC匹配結(jié)構(gòu),輸入匹配滿足高通特性,輸出匹配滿足低通特性,如圖6所示。

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     在微波頻段,GaAs HBT的反向傳輸散射參數(shù)S12很小。因而單向模型經(jīng)微小修正后就可以作單向近似,以至于這種器件的輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)就可以分開設(shè)計,分別解決寬帶功放的輸入端和輸出端的匹配問題,由于有源器件隨頻率上升,其增益按6 dB倍頻程下降,因此輸入匹配網(wǎng)絡(luò)需要提供一個增益補償,以保證放大器平坦的增益特性。為了使放大器的增益更平坦,應(yīng)用CAD技術(shù)對電路的初步設(shè)計結(jié)果進行優(yōu)化,最終得到較為滿意的單級功率放大器。

     在Kink頻率點處復(fù)合管寬帶放大器的大信號參數(shù)如圖7(a)所示。5~12 GHz頻帶內(nèi)小信號參數(shù)仿真曲線及兩款放大器功率增益的帶寬特性對比如圖7(b)所示。

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    從圖7可以看出,普通管放大器在6~10 GHz的工作頻率范圍內(nèi),功率增益PGain=12 dB,增益帶寬積為16 GHz,復(fù)合管結(jié)構(gòu)放大器功率增益為PGain=11 dB,帶寬拓展至5~12 GHz,增益帶寬積達到25 GHz,明顯高于前者。以上結(jié)果較好地說明了利用新型HBT復(fù)合管結(jié)構(gòu)能有效地消除HBT的大信號Kink效應(yīng),進而擴展放大器帶寬。同時,設(shè)計的復(fù)合管結(jié)構(gòu)寬帶功率放大器在整個頻率范圍內(nèi)具有較高的功率輸出,具有實際應(yīng)用價值。

3 結(jié)束語

     利用一種新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計了5~12 GHz寬帶功率放大器,并采用AWR軟件進行CAD優(yōu)化,使寬帶功放達到較高的性能指標(biāo)。另一方面,利用普通管HBT設(shè)計了一款寬帶功率放大器電路作為比較,結(jié)果表明:采用該新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)作為有源器件可以有效消除Ga-As HBT的大信號Kink效應(yīng),利用其設(shè)計寬帶功率放大器可以有效提高放大器的增益帶寬積,同時和其他技術(shù)相比,該放大器結(jié)構(gòu)簡單,具有較好的實際應(yīng)用價值。

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