NEC電子近日完成22款16位閃存微控制器" title="微控制器">微控制器的開(kāi)發(fā),并于日前推出樣品。這22款閃存微控制器主要用于電池驅(qū)動(dòng)" title="電池驅(qū)動(dòng)">電池驅(qū)動(dòng)的小型、低功耗" title="低功耗">低功耗系統(tǒng)。?
新產(chǎn)品以NEC電子的16位高性能" title="高性能">高性能CPU核為基礎(chǔ),大幅度降低了功耗。其主要特征包括:?
1.與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品相比,在待機(jī)狀態(tài)下可降低約60%功耗,在10MHz工作時(shí)可降低約17%、在20MHz下高速工作時(shí)可降低約16%的功耗,可滿足用電池進(jìn)行供電的系統(tǒng),同時(shí)兼顧低功耗及高性能的要求;?
2.內(nèi)置1MHz、8MHz、20MHz的振蕩電路,可根據(jù)系統(tǒng)需求選擇最佳振蕩電路,為降低系統(tǒng)成本及實(shí)現(xiàn)小型化做貢獻(xiàn);?
3.運(yùn)算放大器、比較器及高速A/D轉(zhuǎn)換器,是用于集成有傳感器功能系統(tǒng)的最佳產(chǎn)品。?
使用新產(chǎn)品,有助于用戶在帶有傳感器功能的系統(tǒng)上同時(shí)兼顧低功耗及高性能,有利于小型化及電池壽命的延長(zhǎng),如火災(zāi)報(bào)警器等電池驅(qū)動(dòng)的安全系統(tǒng)、帶防抖功能的數(shù)碼相機(jī)等。?
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新產(chǎn)品的樣品價(jià)格根據(jù)存儲(chǔ)器容量、封裝類(lèi)型、引腳數(shù)量的不同而有所差異。其中,閃存容量64Kbyte、RAM 3Kbyte、封裝為64pin FPBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)的78K0R/KE3-L的樣品單價(jià)為500日元。新產(chǎn)品的量產(chǎn)預(yù)計(jì)從2008年底開(kāi)始, 1年后月產(chǎn)量總計(jì)將達(dá)100萬(wàn)個(gè)。?
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NEC電子自2004年11月首次推出用閃存存儲(chǔ)器替代的全閃存微控制器以來(lái),開(kāi)發(fā)出從8位到32位的品種豐富的微控制器產(chǎn)品,可滿足用戶在各種領(lǐng)域的需求。其中,在16位微控制器領(lǐng)域,NEC電子于2006年2月推出了“78K0R/KG
近幾年,隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高,在微控制器應(yīng)用領(lǐng)域,系統(tǒng)的節(jié)能化也成為競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)之一。在這種背景下,用戶開(kāi)始對(duì)包括半導(dǎo)體在內(nèi)的各種器件提出低功耗化要求。NEC電子于2007年10月推出了以“超低功耗”為核心的8款32位微控制器,并不斷致力于開(kāi)發(fā)低功耗產(chǎn)品。此次,NEC電子為了滿足16位微控制器市場(chǎng)的低功耗化需求,針對(duì)今后將出現(xiàn)高增長(zhǎng)的電池驅(qū)動(dòng)小型化系統(tǒng)市場(chǎng),推出了低功耗全閃存微控制器“78K0R/KC3-L”、“78K0R/KD3-L”、“78K0R/KE3-L”。?
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新產(chǎn)品的主要特征如下?
(1)實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小的功耗?
通過(guò)改良整體電路,可將待機(jī)狀態(tài)的功耗從現(xiàn)有產(chǎn)品的2.4霢降低到1.0霢,約降低了60%。并且通過(guò)降低內(nèi)部工作電壓,將工作頻率為10MHz時(shí)的功耗從3.9mA降低到3.2mA,約降低了17%;在20MHz高速工作時(shí),功耗從8.5mA降低到7.2mA,約降低了16%。將業(yè)界最高水平的能效比(注2)由1.8mW改寫(xiě)為1.5mW,為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整體的低功耗和高性能作出貢獻(xiàn)。?
(2)內(nèi)置可生成三種工作頻率的高性能振蕩器?
除以往產(chǎn)品的8MHz之外,內(nèi)置的振蕩電路還可生成適合低功耗的1MHz以及發(fā)揮高性能的20MHz頻率,可根據(jù)實(shí)際需要選擇最佳振蕩電路。生成的8MHz和20MHz工作頻率其誤差低于1%,即使是高精度要求的異步通信也無(wú)須外接振蕩器。因此,可以降低系統(tǒng)成本及實(shí)現(xiàn)小型化。?
(3)內(nèi)置了各種適用于傳感器系統(tǒng)的電路?
為提高將輸入的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的速度,優(yōu)化了10位A/D轉(zhuǎn)換器。因此轉(zhuǎn)換信號(hào)所需時(shí)間從原有產(chǎn)品的6○s減少為3○s。此外,把以前產(chǎn)品外接的1通道運(yùn)放器及2通道比較器改為內(nèi)置,可降低模擬信號(hào)的測(cè)算成本。?
(4)可在1.8V電壓下進(jìn)行編程?
內(nèi)置了專(zhuān)用的升壓電路,因此向閃存寫(xiě)入程序所必需的電壓由原來(lái)的2.7V降低到1.8V。從而有效地利用電能,可以延長(zhǎng)系統(tǒng)的工作時(shí)間。?
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NEC電子將全新改進(jìn)的全閃存芯片低功耗技術(shù)用于該系列新產(chǎn)品中。為了讓新產(chǎn)品成為電池驅(qū)動(dòng)的小型化系統(tǒng)及帶有傳感器功能產(chǎn)品的最佳選擇,NEC電子計(jì)劃今后進(jìn)行更積極的營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng)。?
新產(chǎn)品的主要規(guī)格請(qǐng)參考附件。?
(注1)MIPS:Million Instructions Per Second的簡(jiǎn)稱(chēng)。1MIPS是1秒鐘處理100萬(wàn)次命令的能力。微處理器的性能測(cè)試是基于Dhrystone 1.1版本?
(注2)能耗比:執(zhí)行1MIPS命令所需的能量。?
(備注1)該發(fā)布中產(chǎn)品名稱(chēng)以及服務(wù)名稱(chēng)都是各自所屬者的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。?
(備注2)新產(chǎn)品得到了由Silicon Storage Technology, Inc許可的SuperFlash技術(shù)。SuperFlash是美國(guó)Silicon Storage Technology, Inc在美國(guó)、日本等國(guó)的注冊(cè)商標(biāo)。?
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<附件>?
主要規(guī)格?
項(xiàng)? 目? |
78K0R/KC3-L? (44引腳)? (UPD78F100y注 1:? y = 0-3)? |
78K0R/KC3-L? (48引腳)? (UPD78F100y注 1:? y = 1-3)? |
78K0R/KD3-L? (52引腳)? (UPD78F100y注 1:? y = 4-6)? |
78K0R/KE3-L? (64引腳)? (UPD78F100y注 1:? y = 7-9)? | ||||||||||||
內(nèi)置存儲(chǔ)器? |
閃存(K字節(jié))? |
16? |
32? |
48? |
64? |
32? |
48? |
64? |
32? |
48? |
64? |
32? |
48? |
64? | ||
RAM(K字節(jié))? |
1? |
1.5? |
2? |
3/2注 2? |
1.5? |
2? |
3/2? 注 2? |
1.5? |
2? |
3/2? 注 2? |
1.5? |
2? |
3/2? 注 2? | |||
存儲(chǔ)器容量? |
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主系統(tǒng)時(shí)鐘? |
高速系統(tǒng)時(shí)鐘? |
X1(晶體/陶瓷)振蕩,外部主系統(tǒng)時(shí)鐘" title="系統(tǒng)時(shí)鐘">系統(tǒng)時(shí)鐘輸入(EXCLK)? 2~20 MHz:VDD = 2.7~5.5 V;2~5 MHz:VDD = 1.8~5.5 V? | ||||||||||||||
高速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘? |
內(nèi)置振蕩? 1 MHz±5 %, 8 MHz±1 %(目標(biāo)):VDD = 1.8~5.5 V? | |||||||||||||||
20 MHz高速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘? |
內(nèi)置振蕩? 20 MHz±1 %(目標(biāo)):VDD = 2.7~5.5 V? | |||||||||||||||
副系統(tǒng)時(shí)鐘? |
XT1(晶體)振蕩? 32.768 kHz(TYP.):VDD = 1.8~5.5 V? | |||||||||||||||
低速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘? (WDT專(zhuān)用)? |
內(nèi)置振蕩? 30 kHz(TYP.):VDD = 1.8~5.5 V? | |||||||||||||||
通用寄存器? |
8位×32(8位×8個(gè)寄存器×4組)? | |||||||||||||||
最小命令執(zhí)行時(shí)間? |
0.05ms(高速系統(tǒng)時(shí)間:fMX = 20 MHz工作時(shí))? | |||||||||||||||
0.125ms(高速內(nèi)置振蕩時(shí)鐘:fIH = 8 MHz(TYP.)工作時(shí))? | ||||||||||||||||
61ms(副系統(tǒng)時(shí)鐘:fSUB = 32.768 kHz工作時(shí))? | ||||||||||||||||
命令設(shè)定? |
·8位運(yùn)算,16位運(yùn)算? ·乘法運(yùn)算(8位×8)? ·位操作(置位、復(fù)位、測(cè)試、布爾演算)等? | |||||||||||||||
I/O口? |
合計(jì)? |
37? |
41? |
45? |
55? | |||||||||||
CMOS輸入/輸出? |
33? |
34? |
38? |
48? | ||||||||||||
CMOS輸入? |
4? |
4? |
4? |
4? | ||||||||||||
CMOS輸出? |
-? |
1? |
1? |
1? | ||||||||||||
N-ch開(kāi)漏輸入/輸出(耐壓6 V)? |
-? |
2? |
2? |
2? | ||||||||||||
時(shí)鐘? |
·16位定時(shí)器???????????????? :8通道? ·看門(mén)狗定時(shí)器?????????????? :1通道? ·實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC) ???????????? :1通道? | |||||||||||||||
? |
時(shí)鐘輸出? |
8路(PWM輸出:7路注3)? | ||||||||||||||
? |
RTC輸出? |
2路? ·1Hz(副系統(tǒng)時(shí)鐘:fSUB = 32.768 kHz)? ·512Hz或16.384kHz或32.768kHz(副系統(tǒng)時(shí)鐘:fSUB = 32.768 kHz)? | ||||||||||||||
時(shí)鐘輸出/蜂鳴器輸出? |
-? |
1路? |
1路? |
2路? | ||||||||||||
·2.44 kHz, 4.88 kHz, 9.76 kHz, 1.25 MHz, 2.5 MHz, 5 MHz, 10 MHz(周邊硬件時(shí)鐘:fMAIN = 20 MHz工作時(shí))? ·256 Hz, 512 Hz, 1.024 kHz, 2.048 kHz, 4.096 kHz, 8.192 kHz, 16.384 kHz, 32.768 kHz(子系統(tǒng)時(shí)鐘:fSUB = 32.768 kHz工作時(shí))? | ||||||||||||||||
10位精度A/D轉(zhuǎn)換器? (AVREF = 1.8~5.5 V)? |
10通道? |
11通道? |
11通道? |
12通道? | ||||||||||||
串行接口? |
·CSI:2通道/UART(支持LIN-bus):1通道? ·CSI:1通道/UART:1通道/簡(jiǎn)易I2C:1通道? | |||||||||||||||
? |
I |
-? |
1通道? |
1通道? |
1通道? | |||||||||||
乘除法器? |
16位×16位 = 32位(乘法運(yùn)算)? 32位÷32位 = 32位(除法運(yùn)算)? | |||||||||||||||
DMA控制? |
2通道? | |||||||||||||||
中斷源? |
內(nèi)部? |
24? |
25? |
25? |
25? | |||||||||||
外部? |
9? | |||||||||||||||
按鍵中斷? |
6通道(KR0-KR5)? |
8通道(KR0-KR7)? | ||||||||||||||
復(fù)位? |
·看門(mén)狗計(jì)時(shí)器的內(nèi)部復(fù)位? ·上電復(fù)位的內(nèi)部復(fù)位? ·低電壓檢測(cè)電路的內(nèi)部復(fù)位? ·執(zhí)行非法指令的內(nèi)部復(fù)位注4? | |||||||||||||||
上電清零電路? |
·上電復(fù)位:1.61±0.09 V? ·掉電復(fù)位:1.59±0.09 V? | |||||||||||||||
低電壓檢測(cè)電路? |
1.91 V~4.22 V(16階段)? | |||||||||||||||
片上調(diào)試功能? |
有? | |||||||||||||||
電源電壓? |
VDD = 1.8~5.5 V? | |||||||||||||||
工作周?chē)h(huán)境溫度? |
TA = -40~+ |
注?
1. 開(kāi)發(fā)中?
2. 使用自編程功能時(shí)是2K字節(jié)?