《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于FPGA的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換技術(shù)

2008-07-24
作者:徐義忠, 孫苓生

??? 摘 要: 以AT45DB041B為例,將FPGA和大容量" title="大容量">大容量串行flash存儲(chǔ)芯片" title="存儲(chǔ)芯片">存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來(lái),實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)串行存儲(chǔ)芯片的高效讀寫(xiě)操作,完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)處理和與上位機(jī)" title="上位機(jī)">上位機(jī)的交換,并在某電力局項(xiàng)目工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中成功應(yīng)用。
??? 關(guān)鍵詞: FPGA; 串行flash; 存儲(chǔ)交換" title="存儲(chǔ)交換">存儲(chǔ)交換; UART; VHDL

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??? 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)采用基于芯片的設(shè)計(jì)方法,具有穩(wěn)定可靠、抗干擾能力強(qiáng)、可以反復(fù)編程、易于修改等特點(diǎn),極大地增強(qiáng)了設(shè)計(jì)的靈活性,提高了設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)速度;大容量串行flash存儲(chǔ)芯片價(jià)格低,管腳少,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用SPI對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問(wèn),方便了硬件規(guī)劃,增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性,減少了轉(zhuǎn)換噪聲,縮小了封裝尺寸,也節(jié)省了大量的FPGA的I/O口。兩者的有效結(jié)合可以使得大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)交換更加高效穩(wěn)定可靠。
1 設(shè)計(jì)背景
??? 在筆者的多通道工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀項(xiàng)目中,需要在無(wú)人監(jiān)控的情況下,長(zhǎng)期定時(shí)采集高壓架空線和變電站周?chē)碾姶艌?chǎng)強(qiáng)度及溫濕度數(shù)據(jù),并及時(shí)進(jìn)行存儲(chǔ)處理,隨時(shí)供上位機(jī)通過(guò)UART訪問(wèn)分析。這必然涉及到大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)交換。本設(shè)計(jì)選用ALTRERA公司的Cyclone系列芯片EP1C3T144C8作為主控芯片,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的采集和交換,選用ATMEL公司的串行flash—AT45DB041B,用以對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。本文以實(shí)際項(xiàng)目為例,闡述利用FPGA和大容量串行flash存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn),有效解決大量測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換問(wèn)題的方法。
2 芯片介紹
2.1 EP1C3T144C8

??? EP1C3T144C8采用了基于全層銅SRAM工藝,支持多種I/O標(biāo)準(zhǔn),2 910個(gè)LEs,1個(gè)內(nèi)部PLL,13個(gè)M4K RAM塊,59 904個(gè)RAM位,104個(gè)可供使用的I/O。
2.2 AT45DB041B
2.2.1 基本原理

??? 該存儲(chǔ)器主要由主存儲(chǔ)器和兩個(gè)264B的緩存構(gòu)成,主存儲(chǔ)器容量約為4Mbit,分為2 048頁(yè),每頁(yè)也為264B。
??? AT45DB041B具有多種封裝形式,圖1是SOIC-8封裝下的管腳圖。其各管腳的定義與功能如下:
??? 1腳:SI,串行數(shù)據(jù)輸入端;
??? 2腳:SCK,串行時(shí)鐘信號(hào)。數(shù)據(jù)在SCK上升沿輸入,下降沿輸出;
??? 3腳:復(fù)位信號(hào),低電平有效。由于芯片內(nèi)部有上電復(fù)位電路,不用時(shí)此管腳可直接接高電平;
??? 4腳:片選信號(hào),低電平有效;
??? 5腳:寫(xiě)保護(hù)信號(hào),低電平有效。若此腳為低,則主存儲(chǔ)區(qū)前256頁(yè)不能被擦寫(xiě)編程,如果不用此功能,可直接接高電平;
??? 6腳:VCC,電源輸入端;
??? 7腳:GND,電源地;
??? 8腳:SO,串行數(shù)據(jù)輸出端。

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2.2.2 器件操作
??? AT45DB041B的操作命令分為讀命令、編程和擦寫(xiě)命令以及附加命令,其具體的指令和讀寫(xiě)操作方式很多文章和資料已有介紹,限于篇幅,本文只將要用到的命令作簡(jiǎn)要的介紹。
??? (1)讀主存儲(chǔ)區(qū)
??? 不經(jīng)過(guò)緩沖區(qū)讀主存儲(chǔ)區(qū)任一頁(yè),緩沖區(qū)內(nèi)容不會(huì)改變。指令格式后續(xù)的SCK信號(hào)將使數(shù)據(jù)依次從SO端輸出。如果讀到了指定頁(yè)的最后字節(jié),將自動(dòng)跳回到頁(yè)首起始位置,循環(huán)讀取。整個(gè)過(guò)程中,/CS必須保持為低電平,/CS從低到高的跳變將中止讀操作,并三態(tài)SO引腳。
??? (2)連續(xù)讀主存儲(chǔ)區(qū)
??? 不經(jīng)過(guò)緩沖區(qū)直接讀任意存儲(chǔ)單元的內(nèi)容,緩沖區(qū)內(nèi)容也不會(huì)改變。指令格式后續(xù)的SCK時(shí)鐘信號(hào)將使數(shù)據(jù)依次從SO端輸出。如果讀到了整個(gè)主存儲(chǔ)區(qū)的最后字節(jié),將自動(dòng)跳回主存儲(chǔ)區(qū)起始位置,循環(huán)讀取,頁(yè)與頁(yè)之間及主存儲(chǔ)區(qū)首尾之間沒(méi)有延時(shí)。整個(gè)過(guò)程中,/CS必須保持為低電平,/CS從低到高的跳變將中止讀操作,并三態(tài)SO引腳。
??? (3)寫(xiě)緩沖區(qū)
??? 數(shù)據(jù)能夠通過(guò)SI端被寫(xiě)入任意一個(gè)緩沖區(qū)。當(dāng)寫(xiě)到緩沖區(qū)結(jié)尾后仍有數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí),數(shù)據(jù)將從緩沖區(qū)起始字節(jié)依次寫(xiě)入。只要/CS保持為低,在SCK時(shí)鐘信號(hào)配合下,數(shù)據(jù)將一直循環(huán)寫(xiě)入,/CS從低到高的跳變將中止寫(xiě)操作。
??? (4)緩沖區(qū)寫(xiě)入主存儲(chǔ)頁(yè)(帶擦除)
??? 事先寫(xiě)入緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)可通過(guò)編程寫(xiě)到主存儲(chǔ)頁(yè)中。當(dāng)指令寫(xiě)完后,/CS由0變?yōu)?時(shí),芯片首先擦除待寫(xiě)入頁(yè),然后再將指定緩沖區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入主存儲(chǔ)頁(yè)。頁(yè)擦除和寫(xiě)入操作由內(nèi)置時(shí)鐘控制,最長(zhǎng)時(shí)間為tEP
2.2.3 時(shí)序
??? AT45DB041B的命令、地址、附加位和數(shù)據(jù)都是通過(guò)SI、SO引腳以位的形式輸入和輸出的,因此要采用FPGA產(chǎn)生讀寫(xiě)時(shí)序時(shí)除正確理解其操作過(guò)程外,另一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)在于正確理解位的發(fā)送和接收時(shí)序,也就是數(shù)據(jù)如何按位移入或移出AT45DB041B。工作于SPI的inactive clock polarity high模式的時(shí)序如圖2所示。

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3 實(shí)際應(yīng)用
3.1 硬件接線

??? 硬件電路如圖3所示。EP1C3T144C8的I/O和AT45DB041B的SI、SO、SCK、/RST、/CS引腳相連,/WP接高電平,實(shí)現(xiàn)對(duì)串行flash的讀寫(xiě)操作;再由TXD、RXD通過(guò)MAX232和9芯串口" title="串口">串口與上位機(jī)實(shí)現(xiàn)UART通信,完成數(shù)據(jù)的交換工作。

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3.2 軟件設(shè)計(jì)
??? 一般的串行flash存儲(chǔ)芯片提供了許多操作命令,可以根據(jù)不同的設(shè)計(jì)目的選擇不同的操作命令組合,實(shí)現(xiàn)對(duì)串行flash存儲(chǔ)芯片的不同操作,滿足不同的設(shè)計(jì)要求。
??? 在本設(shè)計(jì)中,要定時(shí)地采集高壓架空線和變電站周?chē)碾姶艌?chǎng)強(qiáng)度及溫濕度數(shù)據(jù),每次12個(gè)字節(jié),并進(jìn)行及時(shí)的存儲(chǔ)處理,隨時(shí)供上位機(jī)通過(guò)UART讀取。
??? 在Quartus II中用VHDL編寫(xiě)FPGA與AT45DB041B的接口程序,其程序框圖如圖4所示。

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??? 寫(xiě)操作使用了寫(xiě)緩沖區(qū)和緩沖區(qū)寫(xiě)入主存儲(chǔ)頁(yè)(帶擦除)兩個(gè)命令。寫(xiě)信號(hào)到時(shí)將規(guī)定寫(xiě)入的數(shù)據(jù)寫(xiě)入緩沖區(qū)后,立即將緩沖區(qū)寫(xiě)入主存儲(chǔ)頁(yè);寫(xiě)完之后,再將當(dāng)前的位置信息(主存儲(chǔ)區(qū)頁(yè)地址和頁(yè)內(nèi)行地址)通過(guò)緩沖區(qū)寫(xiě)到主存儲(chǔ)區(qū)的最后一頁(yè),供每次程序啟動(dòng)時(shí)讀取來(lái)恢復(fù)存儲(chǔ)器的狀態(tài),之后就進(jìn)入idle狀態(tài)。
??? 讀操作使用了讀主存儲(chǔ)區(qū)和連續(xù)讀主存儲(chǔ)區(qū)命令。讀存儲(chǔ)區(qū)是為了恢復(fù)每次寫(xiě)入的位置信息,以便在程序復(fù)位后繼續(xù)接著寫(xiě)入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù);讀信號(hào)到即發(fā)送連續(xù)讀主存儲(chǔ)區(qū)命令,每讀完一個(gè)字節(jié)便通過(guò)串口發(fā)送到上位機(jī),接到串口發(fā)送完當(dāng)前字節(jié)信號(hào)后,再繼續(xù)讀下一字節(jié)。當(dāng)讀完寫(xiě)操作時(shí)記錄的主存儲(chǔ)區(qū)當(dāng)前頁(yè)或上位機(jī)給出發(fā)送出錯(cuò)信號(hào)時(shí),結(jié)束讀操作。
??? 程序的實(shí)現(xiàn)采用了VHDL中的狀態(tài)機(jī)(state machine),它是描述一系列狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時(shí)序電路,它能夠很好地完成本設(shè)計(jì)中各狀態(tài)的條件的判斷和轉(zhuǎn)換。在程序設(shè)計(jì)過(guò)程中要特別注意幾個(gè)問(wèn)題:
??? (1)程序剛啟動(dòng)時(shí)的延時(shí):這是為了使芯片工作在inactive clock polarity high模式,保證芯片的正常運(yùn)行;
??? (2)讀過(guò)程中的延時(shí):由于對(duì)flash訪問(wèn)的時(shí)鐘(AT45DB041B可達(dá)20MHz)和用于UART發(fā)送的波特率(本設(shè)計(jì)中為9 600b/s)速度不匹配,而如果不作延時(shí)處理,直接給一個(gè)周期的UART發(fā)送使能,發(fā)送模塊就可能在自身時(shí)鐘的邊沿捕捉不到發(fā)送使能信號(hào),為了保證正常發(fā)送,必須對(duì)發(fā)送使能信號(hào)進(jìn)行延時(shí);
??? (3)寫(xiě)過(guò)程中的延時(shí):由于擦除主存儲(chǔ)區(qū)并將緩沖區(qū)寫(xiě)入所需的最長(zhǎng)時(shí)間為tEP,為了確保每次都將數(shù)據(jù)成功寫(xiě)入,必須延時(shí)一段時(shí)間tEP再轉(zhuǎn)入其他狀態(tài)。
??? VHDL實(shí)現(xiàn)的基于RS232標(biāo)準(zhǔn)的UART簡(jiǎn)單穩(wěn)定可靠,有很多文獻(xiàn)資料可供參考,這里不再贅述。
??? 本文采用FPGA結(jié)合VHDL編程來(lái)模擬SPI接口時(shí)序的方法實(shí)現(xiàn)了對(duì)大容量串行存儲(chǔ)器的訪問(wèn),在UART的配合下完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)交換工作,并在筆者設(shè)計(jì)的儀表中成功地應(yīng)用,運(yùn)行穩(wěn)定可靠高效。這里雖然是以ATMEL公司的AT45DB041B為例,但使用相同的方法,對(duì)一系列其他類型的串行存儲(chǔ)芯片如Megawin公司的flash存儲(chǔ)器MM36SBO10等,也可以進(jìn)行類似的操作,對(duì)以后解決此類問(wèn)題具有一定的參考價(jià)值。
參考文獻(xiàn)
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