·       至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)44%

·       英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)

·       GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場

【2026年2月10日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動(dòng)功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。 

英飛凌科技氮化鎵系統(tǒng)業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“GaN已經(jīng)成為一個(gè)切實(shí)的市場應(yīng)用，在多個(gè)行業(yè)獲得了廣泛關(guān)注。英飛凌致力于快速、高效地為客戶創(chuàng)造價(jià)值。憑借‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’的解決方案、領(lǐng)先的制造實(shí)力，以及豐富的GaN產(chǎn)品組合，我們?yōu)榭蛻籼峁┑慕鉀Q方案幫助客戶在市場上獲得成功。我們將持續(xù)努力，保持英飛凌作為值得信賴的合作伙伴的地位，幫助客戶應(yīng)對GaN技術(shù)所帶來的挑戰(zhàn)，充分釋放其潛力?！?/p>

分析師預(yù)測，到2030年，GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望接近30億美元，較2025年市場規(guī)模增長400%1。這一快速增長得益于2025年啟動(dòng)的大規(guī)模產(chǎn)能擴(kuò)張，這推動(dòng)了GaN技術(shù)在多個(gè)行業(yè)的廣泛應(yīng)用，還促進(jìn)了該技術(shù)在新興領(lǐng)域中的滲透。預(yù)計(jì)該市場在2025至2030年間的年復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá)到44%2，2026年其營收將達(dá)到9.2億美元，較2025年增長58%3。

GaN產(chǎn)品創(chuàng)新進(jìn)展 

到2026年，設(shè)計(jì)人員有望在光伏逆變器、電動(dòng)汽車（EV）車載充電器之外，發(fā)掘更多GaN雙向開關(guān)（BDS）的新型應(yīng)用場景。英飛凌的高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)，并基于成熟的柵極注入晶體管（GIT）技術(shù)。這種獨(dú)特架構(gòu)使同一漂移區(qū)可實(shí)現(xiàn)雙向電壓阻斷，相較傳統(tǒng)背靠背方案顯著縮小了芯片面積。例如，采用英飛凌CoolGaN? BDS（支持最高開關(guān)頻率1MHz）的光伏微型逆變器在同等尺寸下功率提升了40%，同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。

GaN技術(shù)正拓展至新興應(yīng)用領(lǐng)域 

GaN技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷拓展，包括AI數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、可再生能源等行業(yè)，以及數(shù)字健康、量子計(jì)算等新興領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心市場，采用新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的GaN電源實(shí)現(xiàn)了空前的效率與功率密度，功耗最多降低30%，助力部署更加高效緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。在人形機(jī)器人領(lǐng)域，GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)體積可縮減40%，同時(shí)還能提高對于精細(xì)運(yùn)動(dòng)的控制能力。

為何選擇英飛凌GaN技術(shù)？ 

英飛凌是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，以硅（Si）、碳化硅（SiC）和GaN領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案聞名。公司依托垂直整合制造（IDM）戰(zhàn)略，結(jié)合業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)理解能力，提供各種領(lǐng)先技術(shù)，滿足行業(yè)不斷變化的需求。依托300毫米GaN晶圓制造技術(shù)，英飛凌GaN產(chǎn)品性能卓越，為各類應(yīng)用場景帶來顯著優(yōu)勢。例如： 

·英飛凌全新的CoolGaN? 650V G5晶體管系列產(chǎn)品在品質(zhì)因數(shù)（導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的乘積）方面領(lǐng)先業(yè)界30-40%，可大幅提升系統(tǒng)性能和設(shè)計(jì)自由度。

·英飛凌創(chuàng)新的CoolGaN? Transistor MV G5系列產(chǎn)品在器件內(nèi)集成了肖特基二極管，減少了15%的損耗，并將器件溫度降低了10%以上，在縮小尺寸、降低成本的同時(shí)，提高了效率與可靠性。

·英飛凌的全新CoolGaN? 100V車規(guī)級晶體管系列產(chǎn)品進(jìn)一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)苛要求，可幫助客戶應(yīng)對新一代汽車架構(gòu)設(shè)計(jì)中從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的應(yīng)用需求。 

英飛凌擁有超過50款GaN產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品組合，涵蓋分立與高度集成解決方案，電壓覆蓋從40V至700V，布局消費(fèi)電子、工業(yè)電子及汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域，可為廣泛的功率應(yīng)用場景提供各類解決方案。 

2026年，憑借出色的性能、效率與可靠性，GaN技術(shù)將進(jìn)一步應(yīng)用于功率電子行業(yè)。作為GaN技術(shù)的市場領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌致力于賦能客戶與合作伙伴，在這一新領(lǐng)域不斷探索，共同打造面向未來的節(jié)能技術(shù)。

資料獲取

 《2026年GaN技術(shù)展望》電子版現(xiàn)已在英飛凌官網(wǎng)上線，文中深入解讀了GaN技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)品布局、應(yīng)用場景，以及未來可能面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。點(diǎn)擊此處下載。

1 Yole Group：《Power GaN 2025》報(bào)告，https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2025/

2 TrendForce：《2025年全球氮化鎵功率器件市場分析》，https://www.trendforce.com/research/download/RP250731KZ

3 Yole Group：《Power GaN 2025》報(bào)告，https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2025/