中文引用格式： 杜澤保，孔小雪，王曉慶，等. L頻段雙通道高集成度變頻SiP模塊設計[J]. 電子技術應用，2026，52(1)：48-52.
英文引用格式： Du Zebao，Kong Xiaoxue，Wang Xiaoqing，et al. Design of L-band dual channel high integration frequency conversion SiP Module[J]. Application of Electronic Technique，2026，52(1)：48-52.
引言
在當前電子裝備向多功能化、高性能化、輕量化和小型化發(fā)展的趨勢下，傳統分立式硬件架構已難以滿足日益增長的系統需求，微系統技術成為實現這一目標的必然選擇。其中，SiP（System in Package,系統級封裝）作為微系統領域的核心技術手段，通過將不同功能、不同工藝實現的有源器件（數字電路、射頻電路、模擬電路等）、無源元件（電阻、電容、電感等）以及MEMS電路等異質集成于單一封裝體內，形成一個具備完整功能的子系統或系統級標準封裝件。與SoC（System on Chip,片上系統）相比，SiP技術具有研發(fā)投入低、迭代周期短、異質集成能力強等顯著優(yōu)勢，能夠充分發(fā)揮不同工藝器件的性能特點，實現系統綜合性能的最優(yōu)化，特別適合多品種、小批量的定制化應用場景。
在射頻領域，射頻SiP模塊通過高密度互連、嵌入式無源元件、先進封裝工藝等技術，將射頻前端（如低噪聲放大器、功放、濾波器、開關）、控制電路（如微控制器、電源調制器）等關鍵部件高度集成，其核心功能在于實現射頻信號的高效處理（如變頻、調制/解調）、濾波、放大和低損耗傳輸，同時兼顧尺寸微型化和性能。常見的射頻SiP模塊包括變頻模塊[1-3]、頻率源（乒乓環(huán)、點頻源等）[4-6]、多通道T/R組件[7-9]、封裝天線[10-12]等，廣泛應用于通信、衛(wèi)星導航、雷達、電子對抗等領域。在封裝形式上，射頻SiP通常采用QFN（Quad Flat No-lead，四面扁平無引腳）、BGA（Ball Grid Array，球柵陣列）等緊湊型表貼封裝，以支持高密度PCB組裝，并進一步集成到更復雜的電子系統中，滿足現代裝備對高性能、輕量化、小型化的嚴苛需求。
本文介紹了一種L頻段雙通道變頻SiP模塊。該模塊實現L頻段的一次下變頻功能，除了集成低噪聲放大、數控衰減、濾波器、混頻器、鎖相環(huán)、微控制器等，還集成了高PSRR（Power Supply Rejection Ratio,電源紋波抑制比）線性穩(wěn)壓器為鎖相環(huán)等供電敏感器件提供高質量電源。通過鏈路計算、合理布局、關鍵線路電磁仿真、基板應力仿真等，最終實現該SiP模塊，經過相關測試驗證，完全滿足設計要求。
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作者信息：
杜澤保1，2，孔小雪2，王曉慶2，張樹鵬2
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2.北京華龍通科技有限公司，北京 100084）
