12 月 17 日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》昨晚報道，臺積電 2nm 節(jié)點全面轉(zhuǎn)向 GAA 架構(gòu)，目標是在性能和能效層面實現(xiàn)顯著躍升，迅速吸引了大量客戶跟進。

市場需求之旺盛已經(jīng)超出臺積電原有規(guī)劃。此前兩座 2nm 晶圓廠產(chǎn)能被迅速訂空，臺積電因此需要追加三座新廠，總投資規(guī)模約為 286 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 2015.92 億元人民幣）。最新消息顯示，臺積電 2026 年的 2nm 產(chǎn)能已被全部預訂，量產(chǎn)時間預計落在當年年底。

客戶結(jié)構(gòu)上，高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果和 AMD 均在排隊等候。臺積電計劃在 2026 年底前將月產(chǎn)能提升至 10 萬片，2nm 制程有望成為公司未來增長的核心動力。

技術(shù)層面，相比于 FinFET，GAA 通過納米片堆疊結(jié)構(gòu)強化電流控制能力，并有效抑制漏電，使 2nm 在相同功耗下帶來 10% 至 15% 的性能提升，或在性能不變的情況下實現(xiàn) 25% 至 30% 的功耗下降。

從報道中獲悉，三星雖然率先啟動 2nm GAA 量產(chǎn)，但目前披露的數(shù)據(jù)相較 3nm 節(jié)點并無明顯突破，業(yè)內(nèi)認為與良率尚未完全成熟有關(guān)，后續(xù)仍有改善空間。

總體來看，臺積電并未急于追求時間優(yōu)勢，而是選擇以制程質(zhì)量優(yōu)先應對技術(shù)挑戰(zhàn)。市場預計，臺積電 2026 年的資本支出將攀升至 480 億至 500 億美元（現(xiàn)匯率約合 3383.36 億至 3524.33 億元人民幣），刷新歷史紀錄。