12 月 17 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》昨晚報(bào)道，臺(tái)積電 2nm 節(jié)點(diǎn)全面轉(zhuǎn)向 GAA 架構(gòu)，目標(biāo)是在性能和能效層面實(shí)現(xiàn)顯著躍升，迅速吸引了大量客戶跟進(jìn)。

市場(chǎng)需求之旺盛已經(jīng)超出臺(tái)積電原有規(guī)劃。此前兩座 2nm 晶圓廠產(chǎn)能被迅速訂空，臺(tái)積電因此需要追加三座新廠，總投資規(guī)模約為 286 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 2015.92 億元人民幣）。最新消息顯示，臺(tái)積電 2026 年的 2nm 產(chǎn)能已被全部預(yù)訂，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)落在當(dāng)年年底。

客戶結(jié)構(gòu)上，高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果和 AMD 均在排隊(duì)等候。臺(tái)積電計(jì)劃在 2026 年底前將月產(chǎn)能提升至 10 萬(wàn)片，2nm 制程有望成為公司未來(lái)增長(zhǎng)的核心動(dòng)力。

技術(shù)層面，相比于 FinFET，GAA 通過(guò)納米片堆疊結(jié)構(gòu)強(qiáng)化電流控制能力，并有效抑制漏電，使 2nm 在相同功耗下帶來(lái) 10% 至 15% 的性能提升，或在性能不變的情況下實(shí)現(xiàn) 25% 至 30% 的功耗下降。

從報(bào)道中獲悉，三星雖然率先啟動(dòng) 2nm GAA 量產(chǎn)，但目前披露的數(shù)據(jù)相較 3nm 節(jié)點(diǎn)并無(wú)明顯突破，業(yè)內(nèi)認(rèn)為與良率尚未完全成熟有關(guān)，后續(xù)仍有改善空間。

總體來(lái)看，臺(tái)積電并未急于追求時(shí)間優(yōu)勢(shì)，而是選擇以制程質(zhì)量?jī)?yōu)先應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn)。市場(chǎng)預(yù)計(jì)，臺(tái)積電 2026 年的資本支出將攀升至 480 億至 500 億美元（現(xiàn)匯率約合 3383.36 億至 3524.33 億元人民幣），刷新歷史紀(jì)錄。