《電子技術(shù)應用》
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一种基于片上变压器隔离的高CMTI编解码电路
电子技术应用
刘甲俊，李飞
中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 随着第三代宽禁带半导体材料的发展，GaN和SiC等新型功率开关管得到了广泛的应用，新型功率管较快的开关速度使得驱动器开关的瞬态电压dV/dt最高至200 V/ns，造成功率管的误开启。为提高隔离驱动的共模瞬变抗扰度（Common Mode Transient Immunity，CMTI），设计了一种结构简单的高CMTI的编解码电路，采用OOK（On-Off Krying）调制结构，编码电路采用负跨导振荡器结构将信号的高电位编码为差分振荡信号，解码电路采用共模点提升电路将差分信号的共模点稳定在VDD/2，仅通过比较器就可将输入信号还原。仿真结果表明，该编解码电路输入信号的速度可达143 Mb/s，差分振荡信号频率为644 MHz，典型传输延时为1.2 ns，应用在某款隔离驱动芯片中，经过实测CMTI最高可达400 V/ns。
關(guān)鍵詞： 编解码电路 高CMTI 开关键控
中圖分類號：TN433 文獻標志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.256683
中文引用格式： 劉甲俊，李飛. 一種基于片上變壓器隔離的高CMTI編解碼電路[J]. 電子技術(shù)應用，2025，51(11)：65-70.
英文引用格式： Liu Jiajun，Li Fei. A high CMTI codec circuit based on on-chio transformer isolation[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(11)：65-70.
A high CMTI codec circuit based on on-chio transformer isolation
Liu Jiajun，Li Fei
The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group
Abstract： With the development of the third generation of wide bandgap semiconductor materials, new power switches such as GaN and SiC have been widely used, and the fast switching speed of the new power tubes makes the transient voltage dV/dt of the driver switch up to 200 V/ns, resulting in the false opening of the power tube. In order to improve the Common Mode Transient Immunity (CMTI) of isolated drive, a simple high-CMTI codec circuit is designed, which adopts OOK (On-Off Krying) modulation structure, the coding circuit uses a negative transconductance oscillator structure to encode the high potential of the signal into a differential oscillation signal, and the decoding circuit uses a common-mode point lifting circuit to stabilize the common-mode point of the differential signal at VDD/2. The input signal can be restored only by means of a comparator. The simulation results show that the speed of the input signal of the codec circuit can reach 143 Mb/s, the frequency of the differential oscillation signal is 644 MHz, and the typical transmission delay is 1.2 ns, which is used in an isolated driver chip, and the measured CMTI can reach up to 400 V/ns.
Key words : codec circuits；high CMTI；open key wipe

引言

隨著半導體技術(shù)和汽車電子的高速發(fā)展，隔離驅(qū)動芯片已廣泛應用在工業(yè)控制與自動化領(lǐng)域、通信領(lǐng)域和航空航天等高可靠性應用中[1-5]。其中隔離驅(qū)動芯片所驅(qū)動的硅基功率器件是應用最廣泛的功率器件，但是其性能已經(jīng)無法進行突破。隨著第三代寬禁帶半導體材料的發(fā)展，GaN和SiC等新型功率開關(guān)管較于硅基功率器件具有更小的寄生電容、更快的開關(guān)速度和更高的效率，已有替代傳統(tǒng)硅基功率器件的趨勢。為了充分利用GaN和SiC功率管能提供的高開關(guān)頻率，隔離驅(qū)動芯片必須提高其控制信號的頻率，但是頻率的增加會導致開關(guān)點產(chǎn)生較高的dV/dt和dI/dt，CMTI是隔離驅(qū)動的關(guān)鍵性能指標，其決定了芯片的最高工作頻率，為了實現(xiàn)更高的開關(guān)速度，必須對CMTI的影響因素進行研究，并設計一種高CMTI的編解碼電路。

文獻[6-7]采用變壓器隔離方案，改善了光耦隔離電流不穩(wěn)定的傳輸率和非線性傳輸，提高了CMTI，但是其編解碼方案為脈沖調(diào)制，將信號的上升沿和下降沿分別編碼為雙脈沖和單脈沖，抗干擾能力差，CMTI上限較低，無法滿足高開關(guān)頻率的CMTI要求。文獻[8]將上升沿和下降沿分別編碼為正負單脈沖，并利用吉赫茲頻段諧波的發(fā)射器和一個可以檢測吉赫茲頻段脈沖的接收器，減小變壓器面積的同時提升了CMTI，但是CMTI只有35 kV/μs。為解決脈沖調(diào)制CMTI上限較低的問題，文獻[9]采用OOK的編解碼架構(gòu)，編碼電路采用混頻器將輸入信號和高頻載波信號組合一起，為提高CMTI，并采用一種具有源零負載的高性能前置放大器，這種OOK架構(gòu)振蕩器和編碼電路分開，并且解碼電路結(jié)構(gòu)復雜，面積較大。文獻[10]設計一種OOK編解碼結(jié)構(gòu)，編碼電路由振蕩器和混頻器組成，采用振蕩器和編碼電路分離的結(jié)構(gòu)，解碼電路由前置放大器、包絡檢波器和高通濾波器組成，這種結(jié)構(gòu)提高了CMTI，但是消耗了功耗和面積。

針對上述問題，本文基于片上變壓器隔離傳輸?shù)募軜?gòu)，設計一種高CMTI的編解碼電路，為了提升CMTI，編解碼電路采用開關(guān)鍵控架構(gòu)，編碼電路將信號的高電平編碼為差分的振蕩信號，并設計共模點提升電路提升衰減后的振蕩幅度。為了減小電路的面積和功耗，編碼電路采用負跨導振蕩器結(jié)構(gòu)，解碼電路采用一個比較器就可以將輸入信號還原。


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作者信息：

劉甲俊，李飛

（中國電子科技集團公司第五十八研究所，江蘇 無錫 204135）


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