《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英飛凌推出采用全新 EasyPACK? C 封裝的碳化硅功率模塊

助力提升工業(yè)應(yīng)用的能效與使用壽命
2025-10-30
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 EasyPACK

【2025年10月29日, 德國慕尼黑訊】工業(yè)領(lǐng)域中的快速直流電動汽車(EV)充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng),以及不間斷電源設(shè)備,往往需要在嚴(yán)苛環(huán)境條件與波動負(fù)載的運行模式下工作。這些應(yīng)用對高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了EasyPACK? C 系列產(chǎn)品 ——EasyPACK? 封裝家族的新一代產(chǎn)品。該全新封裝系列的首款產(chǎn)品為碳化硅(SiC)功率模塊,集成了英飛凌CoolSiC? MOSFET 1200 V G2技術(shù),并采用了公司專有的.XT 互連技術(shù)。通過降低靜態(tài)損耗并提高可靠性,這些模塊有助于滿足工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域日益增長的能源需求,并助力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。 

憑借英飛凌的 CoolSiC? MOSFET G2 技術(shù),新產(chǎn)品較上一代 CoolSiC? MOSFET功率密度提升超過30%,使用壽命延長高達(dá) 20 倍。此外,該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻(RDS(on))顯著降低約 25%。不僅如此,全新的 EasyPACK? C 封裝設(shè)計理念進(jìn)一步提高了功率密度與布局靈活性,為未來更高電壓等級的產(chǎn)品設(shè)計奠定了基礎(chǔ)。而英飛凌的.XT 互連技術(shù)進(jìn)一步延長了器件的使用壽命。

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該系列模塊可承受結(jié)溫(Tvj(over))高達(dá) 200°C 的過載開關(guān)工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳,其電流承載能力提升一倍,同時降低PCB板的溫度,并優(yōu)化安裝流程。全新的塑封材質(zhì)與硅凝膠設(shè)計,支持該模塊在最高 175°C 的結(jié)溫(Tvj(op))下依然穩(wěn)定運行。此外,該系列模塊還具備一分鐘內(nèi)耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模塊實現(xiàn)更卓越的系統(tǒng)能效、更長的使用壽命,以及更出色的耐高溫性能。 

采用 EasyPACK? C 封裝的全新模塊提供多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括三電平(3-level)和 H 橋(H-bridge)配置,且同時提供含/不含熱界面材料的兩種版本。

供貨情況

首款采用 EasyPACK? C 封裝且集成 CoolSiC? MOSFET G2 技術(shù)的模塊現(xiàn)已上市。英飛凌計劃進(jìn)一步拓展產(chǎn)品組合,以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域不斷變化的需求。

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