9月2日消息，據(jù)外資投行高盛最新發(fā)布的研究報告稱，雖然中國近年來在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展迅速，但是在半導(dǎo)體制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)的光刻機研發(fā)上仍存在瓶頸，而中國國產(chǎn)光刻機目前仍停留在65納米，至少落后國際大廠20年的時間。

目前制造5nm及以下更先進制程的芯片需要依靠極紫外光（EUV）光刻機，而埃米級制程則需要用到更先進的高數(shù)值孔徑（High NA）EUV光刻機，目前這些最先進的光刻機只有荷蘭公司 ASML能夠制造。但由于ASML的這些光刻機仍依賴于美國原產(chǎn)的關(guān)鍵零部件，這也使得美國政府能夠限制它們對中國的銷售。

美國和荷蘭政府的禁令對中國科技產(chǎn)業(yè)造成了深遠影響，這也使得中國本土的晶圓制造商難以獲取先進的光刻機，先進制程的芯片制造水平目前仍停留在7nm級別。

高盛在報告中指出，即便中芯國際能生產(chǎn)出7nm制程的芯片，但是這些7nm芯片極有可能還是通過ASML較舊的深紫外光（DUV）光刻機來生產(chǎn)制造，因為中國目前尚不具備制造這類先進光刻機的能力，因為這些設(shè)備的核心零組件主要來自全球供應(yīng)商，尤其是美國和歐洲的供應(yīng)商。

光刻技術(shù)是在晶圓上構(gòu)建精細電路的關(guān)鍵，這也使其成為芯片制造流程中的決定性瓶頸。 目前，全球領(lǐng)先的芯片制造商如臺積電正利用ASML的光刻機大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，并即將量產(chǎn)2nm芯片。 而中國國產(chǎn)的光刻機的技術(shù)水平仍停留在相對陳舊的65nm制程。

高盛的報告還引述了公開數(shù)據(jù)強調(diào)，ASML為了從65nm技術(shù)躍升至低于3nm的光刻能力，經(jīng)過了二十年的時間，并投入了高達400億美元的研發(fā)與資本支出。 綜合考量中國當前技術(shù)水平與所需龐大投入，以及全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜依賴性，高盛認為中國光刻機廠商在短期內(nèi)趕上西方先進技術(shù)的可能性較小。 這無疑為中國在高端芯片領(lǐng)域達成自給自足的愿望，設(shè)下了巨大的障礙。