6月6日消息，中國(guó)的內(nèi)存技術(shù)正在快速崛起，與韓國(guó)的差距逐漸縮小。

據(jù)媒體報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在低功耗內(nèi)存半導(dǎo)體（LPDDR）領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，已經(jīng)成功開發(fā)并量產(chǎn)了LPDDR5X，并且今年就正在向LPDDR6發(fā)起沖刺。

LPDDR是智能手機(jī)、IT設(shè)備、機(jī)器人、自動(dòng)駕駛汽車等領(lǐng)域的關(guān)鍵零部件，隨著AI相關(guān)應(yīng)用的快速發(fā)展，其市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。

有分析認(rèn)為，考慮到當(dāng)前技術(shù)開發(fā)速度，長(zhǎng)鑫最早可能在2026年實(shí)現(xiàn)LPDDR6量產(chǎn)，這能與三星的LPDDR6量產(chǎn)時(shí)間相差不到一年。

因此三星也將已進(jìn)入高速開發(fā)模式，集中精力在基于“1c DRAM”工藝的下一代LPDDR6，以此確保能保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并計(jì)劃向高通等大客戶供貨。

有報(bào)道稱高通將成為首個(gè)在其產(chǎn)品中集成三星LPDDR6內(nèi)存的客戶，其即將推出的驍龍8 Elite Gen2據(jù)傳將支持這項(xiàng)技術(shù)，預(yù)計(jì)該SoC將在9月的驍龍峰會(huì)上發(fā)布。